【技術實現步驟摘要】
本專利技術屬于納米材料和薄膜器件，具體涉及一種納米花狀mose2顆粒及其制備方法和在憶阻器中的應用。
技術介紹
1、自單層石墨烯被成功剝離以來，二維材料因其優異的光電性能和機械性能而逐漸成為科學界研究的熱點。過渡金屬二硫族化合物更是憑借其優秀的電子結構和良好的電學性能，在憶阻器的發展上取得巨大的進展。作為tmds材料家族中的一員，盡管mose2與其姊妹材料如mos2、wse2相比，在催化析氫等領域已受到廣泛關注和研究。但在憶阻器領域，mose2的應用與開發仍處于初始階段。
2、基于上述理由，提出本申請。
技術實現思路
1、基于上述理由，針對現有技術中存在的問題或缺陷，本專利技術的目的在于提供一種納米花狀mose2顆粒及其制備方法和在憶阻器中的應用，解決或至少部分解決現有技術中存在的上述技術缺陷。
2、為了實現本專利技術的上述其中一個目的，本專利技術采用的技術方案如下：
3、一種納米花狀mose2顆粒的制備方法，具體采用溶劑熱法，所述方法具體包括如下步驟：
4、按配比將水溶性鉬鹽、se源和還原劑依次加入到由去離子水和無水乙醇組成的混合溶劑中，攪拌至所得混合反應液呈褐紅色；然后將所述混合反應液轉移至反應釜中，密封后升溫至200℃恒溫反應40h；反應結束后，將所得產物冷卻至室溫，離心，洗滌，干燥，獲得所述的納米花狀mose2顆粒。
5、進一步地，上述技術方案，在本專利技術的一個優選實施例中，所述水溶性鉬鹽為鉬酸鈉。
7、進一步地，上述技術方案，在本專利技術的一個優選實施例中，所述還原劑為硼氫化鈉。
8、進一步地，上述技術方案，在本專利技術的一個優選實施例中，所述水溶性鉬鹽與還原劑的摩爾比為1：1。
9、進一步地，上述技術方案，所述水溶性鉬鹽與se源的摩爾比為1：(2-4)。
10、在本專利技術的一個優選實施例中，所述水溶性鉬鹽與se源的摩爾比為1：
11、(2.5-3)。
12、進一步地，上述技術方案，在本專利技術的一個優選實施例中，所述去離子水與無水乙醇的體積比為1：1。
13、本專利技術的第二個目的在于提供上述所述方法制備得到的納米花狀mose2顆粒。
14、進一步地，上述技術方案，所述納米花狀mose2顆粒中，每個納米花的直徑約為400nm。
15、本專利技術的第三個目的在于提供上述所述方法制備得到的納米花狀mose2顆粒在制備憶阻器中的應用。
16、本專利技術的第四個目的在于提供一種憶阻器，包括從下到上依次設置的基底，ito薄膜層，mose2薄膜層，金屬電極層；其中：所述mose2薄膜層中采用的mose2材料是本專利技術上述所述方法制備得到的納米花狀mose2顆粒。
17、進一步地，上述技術方案，所述基底為硬質基底或柔性基底，所述硬質基底優選為硅、玻璃(sio2)、陶瓷或pcb板中的任意一種；所述柔性基底優選為pet薄膜、pen薄膜、pi薄膜或pc薄膜等中的任意一種。
18、進一步地，上述技術方案，在本專利技術的一個優選實施例中，所述金屬電極層優選al或ag。
19、本專利技術涉及的反應機理如下：
20、本專利技術采用溶劑熱法制備納米花狀mose2，選用二水合鉬酸鈉作為mo源，硒粉作為se源，硼氫化鈉作為還原劑。在反應過程中，混合使用去離子水和無水乙醇作為反應溶劑。反應原理詳見公式(1)至公式(4)：
21、2se+4bh4-+7h2o→2hse-+b4o72-+14h2?(1)
22、4moo42-+bh4-+10h2o→4mo4++bo2-+24oh-?(2)
23、hse-+oh-→h2o+se2-?(3)
24、mo4++2se2-→mose2?(4)
25、與現有技術相比，本專利技術具有如下有益效果：
26、本專利技術優選以se粉為se源，na2moo4·2h2o為mo源，nabh4為還原劑，溶劑熱法的合成方式制備mose2，并采用xrd、sem、xps、eds和拉曼光譜等表征手段對材料進行表征來驗證合成的mose2。接著，本專利技術采用一步旋涂法旋涂mose2懸浮液在ito導電玻璃上制備mose2薄膜，通過在薄膜上蒸鍍al或ag電極來探究al/mose2/ito和ag/mose2/ito憶阻器的阻變性能。本專利技術不僅探究操作電壓與限制電流對mose2憶阻器阻變性能的影響，還采用苯二甲酸乙二醇酯(pet)為基底制備了柔性mose2憶阻器并對其性能進行探究，研究mose2憶阻器在可穿戴器件上的發展。
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1.一種納米花狀MoSe2顆粒的制備方法，其特征在于：所述方法具體包括如下步驟：
2.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于：所述水溶性鉬鹽與還原劑的摩爾比為1：1。
3.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于：所述水溶性鉬鹽與Se源的摩爾比為1：(2-4)。
4.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于：所述所述還原劑為硼氫化鈉。
5.權利要求1-4任一項所述制備方法制備得到的納米花狀MoSe2顆粒。
6.根據權利要求5所述的納米花狀MoSe2顆粒，其特征在于：所述納米花狀MoSe2顆粒中，每個納米花的直徑約為400nm。
7.權利要求1-4任一項所述制備方法制備得到的納米花狀MoSe2顆粒在制備憶阻器中的應用。
8.一種憶阻器，包括從下到上依次設置的基底，ITO薄膜層，MoSe2薄膜層，金屬電極層；其特征在于：所述MoSe2薄膜層中采用的MoSe2材料是本專利技術上述所述方法制備得到的納米花狀MoSe2顆粒。
9.根據權利要求8所述的憶阻器，其特征在于：所述基底為硬質基底或柔性
10.根據權利要求9所述的憶阻器，其特征在于：所述硬質基底為硅、玻璃、陶瓷或PCB板中的任意一種；所述柔性基底為PET薄膜、PEN薄膜、PI薄膜或PC薄膜中的任意一種。
...【技術特征摘要】
1.一種納米花狀mose2顆粒的制備方法，其特征在于：所述方法具體包括如下步驟：
2.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于：所述水溶性鉬鹽與還原劑的摩爾比為1：1。
3.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于：所述水溶性鉬鹽與se源的摩爾比為1：(2-4)。
4.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于：所述所述還原劑為硼氫化鈉。
5.權利要求1-4任一項所述制備方法制備得到的納米花狀mose2顆粒。
6.根據權利要求5所述的納米花狀mose2顆粒，其特征在于：所述納米花狀mose2顆粒中，每個納米花的直徑約為400n...
【專利技術屬性】
技術研發人員：張軍，秦世偉，王浩，萬厚釗，馬國坤，饒毅恒，陶野，胡婷，張少杰，
申請(專利權)人：湖北大學，
類型：發明
國別省市：
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