【技術實現(xiàn)步驟摘要】
本申請涉及射頻，尤其涉及一種功率放大器、芯片及射頻前端模組。
技術介紹
1、射頻功率放大器廣泛用于通訊、廣播、雷達、工業(yè)加工、醫(yī)療儀器和科學研究等領域。目前，隨著5g通信系統(tǒng)的發(fā)展，對射頻功率放大器提出了更高的要求，例如滿足頻率更高、qam調制更高階、體積小型化等。
2、射頻功率放大器中，通常利用巴倫(平衡-不平衡轉換器)對射頻功率放大器的輸入信號或輸出信號進行轉換及阻抗匹配。
3、為了實現(xiàn)平衡-不平衡轉換，巴倫的主級線圈需要與差分功率放大器的兩個輸入端/兩個輸出端連接，傳統(tǒng)巴倫的主級線圈通常為一個環(huán)形繞設的、一體的線圈，通過將該線圈的兩端與差分功率放大器的兩個輸入端/兩個輸出端一一對應連接來實現(xiàn)對差分射頻信號的接收/輸出，但這種一體的線圈需要占用較大的面積，不利于射頻前端模組的小型化設計。
技術實現(xiàn)思路
1、本申請?zhí)岢隽艘环N功率放大器、芯片及射頻前端模組，能夠減小功率放大器所占用的面積。
2、第一方面，本申請實施例提供了一種功率放大器，包括第一功率放大電路、第二功率放大電路和巴倫，其中，所述巴倫包括：第一耦合線，所述第一耦合線的第一端連接于所述第一功率放大電路的輸出端或輸入端，第二端連接于第一接地端；第二耦合線，所述第二耦合線的第一端連接于所述第二功率放大電路的輸出端或輸入端，第二端連接于第二接地端；第三耦合線，所述第三耦合線的第一端連接于所述功率放大器的輸出端或輸入端，第二端連接于第三接地端。
3、可選地，所述第三耦合線設置于所述
4、可選地，所述功率放大器還包括第一匹配電容和第二匹配電容，其中:所述第一匹配電容串聯(lián)在所述第一功率放大電路的輸出端或輸入端與所述第一耦合線的第一端之間，所述第二匹配電容串聯(lián)在所述第二功率放大電路的輸出端或輸入端與所述第二耦合線的第一端之間；或者，所述第一匹配電容串聯(lián)在所述第一耦合線的第二端與所述第一接地端之間，所述第二匹配電容串聯(lián)在所述第二耦合線的第二端與所述第二接地端之間。
5、可選地，所述功率放大器還包括第三匹配電容，其中所述第三匹配電容串聯(lián)在功率放大器的輸出端或輸入端與所述第三耦合線的第一端之間；或者，所述第三匹配電容串聯(lián)在所述第三耦合線的第二端與所述第三接地端之間；或者，所述第三匹配電容串聯(lián)在所述第三耦合線的第一端與第二端之間。
6、可選地，所述功率放大器還包括第四匹配電容和第五匹配電容，其中：所述第四匹配電容串聯(lián)在功率放大器的輸出端或輸入端與所述第三耦合線的第一端之間；所述第五匹配電容串聯(lián)在所述第三耦合線的第二端與所述第三接地端之間。
7、可選地，所述第四匹配電容與所述第五匹配電容的容值相等。
8、可選地，所述第一耦合線、所述第二耦合線和所述第三耦合線位于同一金屬層。
9、可選地，所述第一耦合線、所述第二耦合線和所述第三耦合線互相平行。
10、可選地，所述巴倫還包括：第四耦合線和第五耦合線，所述第四耦合線和所述第五耦合線均與所述第三耦合線并聯(lián)。
11、可選地，所述第一耦合線、所述第二耦合線、所述第三耦合線、所述第四耦合線和所述第五耦合線位于同一金屬層，并且所述第一耦合線、所述第三耦合線和所述第二耦合線依序設置在所述第四耦合線與所述第五耦合線之間。
12、可選地，所述第一耦合線、所述第二耦合線和所述第三耦合線位于第一金屬層；所述第四耦合線和所述第五耦合線位于第二金屬層；所述第四耦合線在所述第一金屬層上的投影與所述第一耦合線至少部分重疊，所述第五耦合線在所述第一金屬層上的投影與所述第二耦合線至少部分重疊。
13、可選地，所述第一耦合線的第一端連接于所述第一功率放大電路的輸出端，所述第二耦合線的第一端連接于所述第二功率放大電路的輸出端，所述第三耦合線的第一端連接于所述功率放大器的輸出端；
14、或者，所述第一耦合線的第一端連接于所述第一功率放大電路的輸入端，所述第二耦合線的第一端連接于所述第二功率放大電路的輸入端，所述第三耦合線的第一端連接于所述功率放大器的輸入端。
15、可選地，所述第一接地端和所述第二接地端通過不同的過孔接地。
16、第二方面，本申請實施例提供了一種芯片，所述芯片包括如上述任一項所述的功率放大器。
17、第三方面，本申請實施例提供了一種射頻前端模組，包括：基板以及如上述任一項所述的功率放大器；其中，所述基板上設置有功率放大芯片，所述第一功率放大電路和第二功率放大電路集成在所述功率放大芯片內；所述巴倫集成在所述功率放大芯片內或設置在所述基板上。
18、本申請實施例將巴倫的主級拆分為兩條彼此獨立的耦合線，通過不同的接地端將兩條主級耦合線分別接地，使兩條主級耦合線既可以在物理空間上彼此獨立，又可以實現(xiàn)電路上的串聯(lián)，從而代替?zhèn)鹘y(tǒng)一體式的主級耦合線。這種方式降低了對單條主級耦合線的線長的要求，不用為了增加線長而將主級耦合線固定設置為多圈繞設的形狀，從而可以根據(jù)需要靈活設置各耦合線的形狀和位置，使功率放大器的版圖布局更加緊湊，有利于射頻前端模組的小型化設計。
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1.一種功率放大器，其特征在于，包括第一功率放大電路、第二功率放大電路和巴倫，其中，所述巴倫包括：
2.根據(jù)權利要求1所述的功率放大器，其特征在于，所述第三耦合線設置于所述第一耦合線與所述第二耦合線之間，并與所述第一耦合線和所述第二耦合線互相耦合。
3.根據(jù)權利要求1所述的功率放大器，其特征在于，所述功率放大器還包括第一匹配電容和第二匹配電容，其中:
4.根據(jù)權利要求1所述的功率放大器，其特征在于，所述功率放大器還包括第三匹配電容，其中所述第三匹配電容串聯(lián)在功率放大器的輸出端或輸入端與所述第三耦合線的第一端之間；或者，所述第三匹配電容串聯(lián)在所述第三耦合線的第二端與所述第三接地端之間；或者，所述第三匹配電容串聯(lián)在所述第三耦合線的第一端與第二端之間。
5.根據(jù)權利要求1所述的功率放大器，其特征在于，所述功率放大器還包括第四匹配電容和第五匹配電容，其中：
6.根據(jù)權利要求5所述的功率放大器，其特征在于，所述第四匹配電容與所述第五匹配電容的容值相等。
7.根據(jù)權利要求1-6任一項所述的功率放大器，其特征在于，所述第一
8.根據(jù)權利要求1-6任一項所述的功率放大器，其特征在于，所述第一耦合線、所述第二耦合線和所述第三耦合線互相平行。
9.根據(jù)權利要求1-6任一項所述的功率放大器，其特征在于，所述巴倫還包括：
10.根據(jù)權利要求9所述的功率放大器，其特征在于，所述第一耦合線、所述第二耦合線、所述第三耦合線、所述第四耦合線和所述第五耦合線位于同一金屬層，并且所述第一耦合線、所述第三耦合線和所述第二耦合線依序設置在所述第四耦合線與所述第五耦合線之間。
11.根據(jù)權利要求9所述的功率放大器，其特征在于，所述第一耦合線、所述第二耦合線和所述第三耦合線位于第一金屬層；
12.根據(jù)權利要求1-6任一項所述的功率放大器，其特征在于，所述第一耦合線的第一端連接于所述第一功率放大電路的輸出端，所述第二耦合線的第一端連接于所述第二功率放大電路的輸出端，所述第三耦合線的第一端連接于所述功率放大器的輸出端；
13.根據(jù)權利要求1-6任一項所述的功率放大器，其特征在于，所述第一接地端和所述第二接地端通過不同的路徑接地。
14.一種芯片，其特征在于，包括如權利要求1-13任一項所述的功率放大器。
15.一種射頻前端模組，其特征在于，包括：
...【技術特征摘要】
1.一種功率放大器，其特征在于，包括第一功率放大電路、第二功率放大電路和巴倫，其中，所述巴倫包括：
2.根據(jù)權利要求1所述的功率放大器，其特征在于，所述第三耦合線設置于所述第一耦合線與所述第二耦合線之間，并與所述第一耦合線和所述第二耦合線互相耦合。
3.根據(jù)權利要求1所述的功率放大器，其特征在于，所述功率放大器還包括第一匹配電容和第二匹配電容，其中:
4.根據(jù)權利要求1所述的功率放大器，其特征在于，所述功率放大器還包括第三匹配電容，其中所述第三匹配電容串聯(lián)在功率放大器的輸出端或輸入端與所述第三耦合線的第一端之間；或者，所述第三匹配電容串聯(lián)在所述第三耦合線的第二端與所述第三接地端之間；或者，所述第三匹配電容串聯(lián)在所述第三耦合線的第一端與第二端之間。
5.根據(jù)權利要求1所述的功率放大器，其特征在于，所述功率放大器還包括第四匹配電容和第五匹配電容，其中：
6.根據(jù)權利要求5所述的功率放大器，其特征在于，所述第四匹配電容與所述第五匹配電容的容值相等。
7.根據(jù)權利要求1-6任一項所述的功率放大器，其特征在于，所述第一耦合線、所述第二耦合線和所述第三耦合線位于同一金屬層。
8.根據(jù)權利要求...
【專利技術屬性】
技術研發(fā)人員：曹原，劉子林，倪建興，
申請(專利權)人：銳石創(chuàng)芯深圳科技股份有限公司，
類型：新型
國別省市：
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