【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
本技術(shù)涉及太陽(yáng)能光伏，特別涉及一種不銹鋼爐管以及l(fā)pcvd設(shè)備。
技術(shù)介紹
1、化學(xué)氣相沉積(chemical?vapor?deposition，cvd)是一種化工技術(shù)，該技術(shù)主要是利用含有薄膜元素的一種或幾種氣相化合物或單質(zhì)、在襯底表面上進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)生成薄膜的方法。化學(xué)氣相沉積分為熱化學(xué)氣相沉積(tcvd)、低壓化學(xué)氣相沉積(lpcvd)、等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(pecvd)等。
2、目前，可以使用低壓化學(xué)氣相沉積設(shè)備用于多晶硅的沉積。在多晶硅的沉積過(guò)程中，多晶硅會(huì)沉積在低壓化學(xué)氣相沉積設(shè)備中爐管的內(nèi)壁表面，形成多晶硅層。
3、現(xiàn)有技術(shù)中，爐管包括石英爐管和不銹鋼爐管。由于多晶硅與石英爐管的熱膨脹系數(shù)差異大，會(huì)導(dǎo)致石英爐管壽命短，使得運(yùn)行成本高。而多晶硅也與不銹鋼爐管的熱膨脹系數(shù)也差異大，導(dǎo)致不銹鋼爐管容易出現(xiàn)掉渣，影響襯底外觀及鈍化質(zhì)量，還導(dǎo)致不銹鋼爐管的使用壽命短，具有運(yùn)行成本高的問(wèn)題。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、有鑒于此，本技術(shù)旨在提出一種不銹鋼爐管以及l(fā)pcvd設(shè)備，以解決現(xiàn)有的低壓化學(xué)氣相沉積設(shè)備用于多晶硅的沉積時(shí)，爐管具有使用壽命短，運(yùn)行成本高的問(wèn)題。
2、為達(dá)到上述目的，本技術(shù)的技術(shù)方案是這樣實(shí)現(xiàn)的：
3、第一方面，本技術(shù)實(shí)施例提供一種不銹鋼爐管，該不銹鋼爐管包括不銹鋼管體，所述不銹鋼管體的至少內(nèi)壁表面設(shè)有過(guò)渡層，所述過(guò)渡層的熱膨脹系數(shù)介于所述不銹鋼管體的熱膨脹系數(shù)和多晶硅的熱膨脹系數(shù)之間；位于所述不銹鋼管體的內(nèi)壁表面的所述
4、可選的，所述過(guò)渡層的熱膨脹系數(shù)范圍是4＊10－6℃－12＊10－6℃。
5、可選的，所述過(guò)渡層的耐溫性大于等于600℃。
6、可選的，所述過(guò)渡層的厚度范圍是100um－200um。
7、可選的，所述過(guò)渡層與所述不銹鋼管體的結(jié)合力大于等于10mpa。
8、可選的，所述過(guò)渡層為碳化鎢－碳化鉻－鎳合金層，碳化鉻層，碳化鎢－鎳合金層，碳化鉻－鎳鉻合金層中的至少一種。
9、可選的，所述不銹鋼管體為耐高溫不銹鋼材料件。
10、可選的，所述不銹鋼管體的表面均設(shè)有所述過(guò)渡層。
11、可選的，所述過(guò)渡層背離所述不銹鋼管體的表面還設(shè)有無(wú)機(jī)封孔劑。
12、第二方面，本技術(shù)實(shí)施例還提供一種lpcvd設(shè)備，該lpcvd設(shè)備包括設(shè)備主體和不銹鋼爐管，所述不銹鋼爐管設(shè)于所述設(shè)備主體內(nèi)，所述不銹鋼爐管如上述不銹鋼爐管。
13、可選的，所述lpcvd設(shè)備還包括石英爐管，所述石英爐管設(shè)于所述設(shè)備主體內(nèi)，所述不銹鋼爐管設(shè)于所述石英爐管內(nèi)。
14、本技術(shù)公開(kāi)了一種不銹鋼爐管，不銹鋼爐管在使用時(shí)，多晶硅會(huì)沉積在位于不銹鋼管體的內(nèi)壁表面的過(guò)渡層中背離不銹鋼管體的表面，并形成多晶硅層。多晶硅與不銹鋼管體的熱膨脹系數(shù)的差異較大，例如，多晶硅的熱膨脹系數(shù)為2.36＊10－6/℃，不銹鋼管體的熱膨脹系數(shù)為18＊10－6/℃；過(guò)渡層的熱膨脹系數(shù)介于多晶硅的熱膨脹系數(shù)和不銹鋼管體的熱膨脹系數(shù)之間，可以延緩過(guò)渡層的脫落，避免不銹鋼管體的破裂，以及避免不銹鋼爐管出現(xiàn)掉渣，影響襯底外觀及鈍化質(zhì)量。因此，本申請(qǐng)實(shí)施例的不銹鋼爐管具有使用壽命長(zhǎng)，且不會(huì)影響襯底外觀及鈍化質(zhì)量的優(yōu)點(diǎn)。
15、上述說(shuō)明僅是本技術(shù)技術(shù)方案的概述，為了能夠更清楚了解本技術(shù)的技術(shù)手段，而可依照說(shuō)明書(shū)的內(nèi)容予以實(shí)施，并且為了讓本技術(shù)的上述和其它目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更明顯易懂，以下特舉本技術(shù)的具體實(shí)施方式。
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1.一種不銹鋼爐管，其特征在于，包括不銹鋼管體(10)，所述不銹鋼管體(10)的至少內(nèi)壁表面設(shè)有過(guò)渡層(11)，所述過(guò)渡層(11)的熱膨脹系數(shù)介于所述不銹鋼管體(10)的熱膨脹系數(shù)和多晶硅的熱膨脹系數(shù)之間；
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的不銹鋼爐管，其特征在于，所述過(guò)渡層(11)的熱膨脹系數(shù)范圍是4＊10－6/℃－12＊10－6/℃。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的不銹鋼爐管，其特征在于，所述過(guò)渡層(11)的耐溫性大于等于600℃。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的不銹鋼爐管，其特征在于，所述過(guò)渡層(11)的厚度范圍是100um－200um。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的不銹鋼爐管，其特征在于，所述過(guò)渡層(11)與所述不銹鋼管體(10)的結(jié)合力大于等于10MPa。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的不銹鋼爐管，其特征在于，所述過(guò)渡層(11)為碳化鎢－碳化鉻－鎳合金層，碳化鉻層，碳化鎢－鎳合金層，碳化鉻－鎳鉻合金層中的至少一種。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的不銹鋼爐管，其特征在于，所述不銹鋼管體(10)為耐高溫不銹鋼材料件。
8.根據(jù)權(quán)
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的不銹鋼爐管，其特征在于，所述過(guò)渡層(11)背離所述不銹鋼管體(10)的表面還設(shè)有無(wú)機(jī)封孔劑。
10.一種LPCVD設(shè)備，其特征在于，包括設(shè)備主體和不銹鋼爐管，所述不銹鋼爐管設(shè)于所述設(shè)備主體內(nèi)，所述不銹鋼爐管為如權(quán)利要求1－9任一項(xiàng)所述不銹鋼爐管。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的LPCVD設(shè)備，其特征在于，所述LPCVD設(shè)備還包括石英爐管，所述石英爐管設(shè)于所述設(shè)備主體內(nèi)，所述不銹鋼爐管設(shè)于所述石英爐管內(nèi)。
...【技術(shù)特征摘要】
1.一種不銹鋼爐管，其特征在于，包括不銹鋼管體(10)，所述不銹鋼管體(10)的至少內(nèi)壁表面設(shè)有過(guò)渡層(11)，所述過(guò)渡層(11)的熱膨脹系數(shù)介于所述不銹鋼管體(10)的熱膨脹系數(shù)和多晶硅的熱膨脹系數(shù)之間；
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的不銹鋼爐管，其特征在于，所述過(guò)渡層(11)的熱膨脹系數(shù)范圍是4＊10－6/℃－12＊10－6/℃。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的不銹鋼爐管，其特征在于，所述過(guò)渡層(11)的耐溫性大于等于600℃。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的不銹鋼爐管，其特征在于，所述過(guò)渡層(11)的厚度范圍是100um－200um。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的不銹鋼爐管，其特征在于，所述過(guò)渡層(11)與所述不銹鋼管體(10)的結(jié)合力大于等于10mpa。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的不銹鋼爐管，其特征在于，所述過(guò)渡層(11)...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：朱廣東，郭夢(mèng)龍，童洪波，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：隆基綠能科技股份有限公司，
類型：新型
國(guó)別省市：
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