【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
【國外來華專利技術(shù)】
相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用本申請(qǐng)要求2022年2月16日提交的韓國專利申請(qǐng)10-2022-0020454的優(yōu)先權(quán)的權(quán)益，其全部內(nèi)容通過引用并入本文。本專利技術(shù)涉及二次電池制造設(shè)備以及使用其的二次電池制造方法，更具體地，涉及分切電極的二次電池制造設(shè)備以及使用其的二次電池制造方法。
技術(shù)介紹
1、通常，二次電池是指可充放電的電池，不同于不可充電的一次電池。二次電池被廣泛應(yīng)用于高科技電子領(lǐng)域，諸如移動(dòng)電話、筆記本電腦和攝像機(jī)。
2、這種二次電池包括：電極組件，在該電極組件中，電極和隔膜交替堆疊；以及容納電極組件的殼體，并且電極組件具有其中多個(gè)電極和多個(gè)隔膜交替堆疊的結(jié)構(gòu)。
3、此外，二次電池的制造方法包括制造電極的電極制造過程、堆疊所制造的電極和隔膜以組裝電極組件的電極組件組裝過程以及將所制造的電極組件容納在殼體中以制造二次電池的過程。
4、這里，電極制造過程通常包括在電極片上涂覆并干燥電極活性材料的涂覆過程、在涂覆過程之后按壓電極的按壓過程以及在按壓過程之后將每個(gè)電極切割成預(yù)設(shè)寬度的分切過程。
5、這里，在分切過程中，第一分切器和第二分切器依次切割電極。在現(xiàn)有技術(shù)中，存在這樣的問題，即：第一分切器和第二分切器中的復(fù)繞機(jī)和退繞機(jī)等設(shè)施成倍增加，增加了工作時(shí)間，從而降低了電極產(chǎn)量。
6、因此，有必要開發(fā)一種技術(shù)來解決上述問題。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、技術(shù)問題
2、做出本專利技術(shù)以解決上述問題，并且本專利技術(shù)的一個(gè)目的是提供一種二次
3、技術(shù)方案
4、本專利技術(shù)提供了一種二次電池制造設(shè)備，所述二次電池制造設(shè)備包括：至少一個(gè)退繞部，所述至少一個(gè)退繞部配置為退繞其上涂覆并干燥有電極活性材料的電極片；至少一個(gè)第一分切部，所述至少一個(gè)第一分切部配置為從所述退繞部接收所述電極片并初次切割所述電極片，從而形成多個(gè)第一單元電極片；至少一個(gè)第二分切部，所述至少一個(gè)第二分切部配置為從所述第一分切部接收所述第一單元電極片并二次切割所述第一單元電極片，從而形成多個(gè)第二單元電極片；至少一個(gè)復(fù)繞部，所述至少一個(gè)復(fù)繞部配置為從所述第二分切部接收所述第二單元電極片，從而卷繞所接收的第二單元電極片；以及框架部，所述框架部中具有分切空間，其中，所述第一分切部和所述第二分切部安裝在所述框架部上。
5、所述設(shè)備還可以包括至少一個(gè)第一位置校正部，所述至少一個(gè)第一位置校正部設(shè)置在所述電極片的移動(dòng)路徑上，以檢測(cè)所述電極片的位置，從而校正所述電極片的位置。
6、所述第一位置校正部可以裝設(shè)在所述框架部上。
7、所述第一位置校正部可以包括：第一位置檢測(cè)部，所述第一位置檢測(cè)部配置為檢測(cè)所述電極片的位置；以及第一位置調(diào)整部，所述第一位置調(diào)整部基于從所述第一位置檢測(cè)部獲取的所述電極片的位置信息，調(diào)整所述電極片的位置。
8、所述第一位置檢測(cè)部可以包括線位置控制(lpc)傳感器。
9、所述第一位置檢測(cè)部可以包括樞轉(zhuǎn)輥。
10、此外，所述設(shè)備還可以包括至少一個(gè)第二位置校正部，所述至少一個(gè)第二位置校正部設(shè)置在所述第一分切部和所述第二分切部之間，以檢測(cè)每個(gè)所述第一單元電極片的位置，從而校正每個(gè)所述第一單元電極片的位置。
11、所述第二位置校正部可以設(shè)置成與由所述第一分切部切割而形成的第一單元電極片的數(shù)量對(duì)應(yīng)。
12、所述第二位置校正部可以包括：第二位置檢測(cè)部，所述第二位置檢測(cè)部檢測(cè)所述第一單元電極片的位置；以及第二位置調(diào)整部，所述第二位置調(diào)整部基于從所述第二位置檢測(cè)部獲取的所述第一單元電極片的位置信息，調(diào)整所述第一單元電極片的位置。
13、所述第二位置檢測(cè)部可以包括線位置控制(lpc)傳感器。
14、所述第二位置檢測(cè)部可以包括樞轉(zhuǎn)輥。
15、所述框架部可以包括：底部；從所述底部向上延伸的一對(duì)柱部；壁部，所述壁部聯(lián)接到所述一對(duì)柱部中的每個(gè)柱部的側(cè)表面；以及蓋部，所述蓋部聯(lián)接到所述一對(duì)柱部中的每個(gè)柱部的頂表面，并且在所述蓋部中限定有輸入孔，所述電極片經(jīng)由所述輸入孔放入所述分切空間中。
16、所述多個(gè)第一單元電極片可以從所述第一分切部分支朝向所述一對(duì)柱部移動(dòng)；并且所述復(fù)繞部設(shè)置可以為多個(gè)復(fù)繞部，所述多個(gè)復(fù)繞部在所述一對(duì)柱部上固定地安裝成彼此面對(duì)。
17、所述第一分切部和所述第二分切部可以固定地安裝在所述壁部上。
18、本專利技術(shù)提供一種二次電池的制造方法，所述方法包括：退繞過程，所述退繞過程用于退繞其上涂覆并干燥有電極活性材料的電極片；第一分切過程，所述第一分切過程用于在所述退繞過程之后初次切割所述電極片以形成多個(gè)第一單元電極片；第二分切過程，所述第二分切過程用于在所述第一分切過程之后二次切割所述第一單元電極片，以形成多個(gè)第二單元電極片；以及復(fù)繞過程，所述復(fù)繞過程用于在所述第二分切過程之后卷繞所述第二單元電極片；其中，所述退繞過程、所述第一分切過程、所述第二分切過程和所述復(fù)繞過程連續(xù)執(zhí)行。
19、此外，所述的方法還可以包括第一位置校正過程，所述第一位置校正過程用于在所述退繞過程和所述第一分切過程之間檢測(cè)所述電極片的位置，以校正所述電極片的位置。
20、此外，所述的方法還可以包括第二位置校正過程所述第二位置校正過程用于在所述第一分切過程和所述第二分切過程之間檢測(cè)每個(gè)所述第一單元電極片的位置，以校正所述第一單元電極片的位置。
21、有益效果
22、根據(jù)本專利技術(shù)，由于第一分切部和第二分切部安裝在框架部上以在一個(gè)裝置中操作，因此可以將過程整合以移除冗余裝置，從而簡(jiǎn)化設(shè)施。因此，在大規(guī)模生產(chǎn)期間可以存在減少設(shè)施空間和降低投資成本的優(yōu)點(diǎn)。
23、此外，本專利技術(shù)還可以包括第一位置校正部和/或第二位置校正部，以防止為了進(jìn)行分切而被傳送的電極的位置扭曲，從而降低產(chǎn)品的檢測(cè)速率，并提高產(chǎn)品的可靠性。
本文檔來自技高網(wǎng)...【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
1.一種二次電池制造設(shè)備，所述二次電池制造設(shè)備包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的二次電池制造設(shè)備，所述二次電池制造設(shè)備還包括至少一個(gè)第一位置校正部，所述至少一個(gè)第一位置校正部設(shè)置在所述電極片的移動(dòng)路徑上，以檢測(cè)所述電極片的位置，從而校正所述電極片的位置。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的二次電池制造設(shè)備，其中，所述第一位置校正部裝設(shè)在所述框架部上。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的二次電池制造設(shè)備，其中，所述第一位置校正部包括：
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的二次電池制造設(shè)備，其中，所述第一位置檢測(cè)部包括線位置控制LPC傳感器。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的二次電池制造設(shè)備，其中，所述第一位置檢測(cè)部包括樞轉(zhuǎn)輥。
7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的二次電池制造設(shè)備，所述二次電池制造設(shè)備還包括至少一個(gè)第二位置校正部，所述至少一個(gè)第二位置校正部設(shè)置在所述第一分切部和所述第二分切部之間，以檢測(cè)每個(gè)所述第一單元電極片的位置，從而校正每個(gè)所述第一單元電極片的位置。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的二次電池制造設(shè)備，其中，所述第二位置校正部設(shè)置成與由所
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的二次電池制造設(shè)備，其中，所述第二位置校正部包括：
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的二次電池制造設(shè)備，其中，所述第二位置檢測(cè)部包括線位置控制LPC傳感器。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的二次電池制造設(shè)備，其中，所述第二位置檢測(cè)部包括樞轉(zhuǎn)輥。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的二次電池制造設(shè)備，其中，所述框架部包括：
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的二次電池制造設(shè)備，其中，所述多個(gè)第一單元電極片從所述第一分切部分支朝向所述一對(duì)柱部移動(dòng)，并且
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的二次電池制造設(shè)備，其中，所述第一分切部和所述第二分切部固定地安裝在所述壁部上。
15.一種制造二次電池的方法，所述方法包括：
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，所述方法還包括第一位置校正過程，所述第一位置校正過程用于在所述退繞過程和所述第一分切過程之間檢測(cè)所述電極片的位置，以校正所述電極片的位置。
17.根據(jù)權(quán)利要求15或16所述的方法，所述方法還包括第二位置校正過程，所述第二位置校正過程用于在所述第一分切過程和所述第二分切過程之間檢測(cè)每個(gè)所述第一單元電極片的位置，以校正所述第一單元電極片的位置。
...【技術(shù)特征摘要】
【國外來華專利技術(shù)】
1.一種二次電池制造設(shè)備，所述二次電池制造設(shè)備包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的二次電池制造設(shè)備，所述二次電池制造設(shè)備還包括至少一個(gè)第一位置校正部，所述至少一個(gè)第一位置校正部設(shè)置在所述電極片的移動(dòng)路徑上，以檢測(cè)所述電極片的位置，從而校正所述電極片的位置。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的二次電池制造設(shè)備，其中，所述第一位置校正部裝設(shè)在所述框架部上。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的二次電池制造設(shè)備，其中，所述第一位置校正部包括：
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的二次電池制造設(shè)備，其中，所述第一位置檢測(cè)部包括線位置控制lpc傳感器。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的二次電池制造設(shè)備，其中，所述第一位置檢測(cè)部包括樞轉(zhuǎn)輥。
7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的二次電池制造設(shè)備，所述二次電池制造設(shè)備還包括至少一個(gè)第二位置校正部，所述至少一個(gè)第二位置校正部設(shè)置在所述第一分切部和所述第二分切部之間，以檢測(cè)每個(gè)所述第一單元電極片的位置，從而校正每個(gè)所述第一單元電極片的位置。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的二次電池制造設(shè)備，其中，所述第二位置校正部設(shè)置成與由所述第一分切部切割而形成的第一單元電極片的數(shù)量對(duì)應(yīng)。
9.根...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：金錫，許俊奎，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：株式會(huì)社LG新能源，
類型：發(fā)明
國別省市：
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