【技術實現步驟摘要】
本技術涉及半導體封裝，具體而言，涉及一種基于碲鋅鎘晶體的芯片封裝結構。
技術介紹
1、隨著公眾對核輻射危害的了解加深，核輻射檢測技術日益重要，日常生活中的核輻射檢測需求逐步提升，尤其是在個人穿戴設備的應用場景下，能夠實時監測環境中的輻射水平對于保障用戶健康安全具有重大意義。碲鋅鎘（cdznte）晶體作為一種高性能的輻射探測材料，因其卓越的輻射吸收能力和良好的能量分辨率，被應用于輻射探測場景中。
2、然而，傳統的輻射探測器一般為閃爍體，這種輻射探測器的探測效率低，且為保證探測效果所需要的探測器的尺寸較大，從而導致整體電路規模及面積較大，無法適用于當前市場上體積較小的可穿戴應用場景。
技術實現思路
1、本技術的目的在于克服上述相關技術的至少一種不足，提供一種基于碲鋅鎘晶體的芯片封裝結構。
2、本技術的額外方面和優點將部分地在下面的描述中闡述，并且部分地將從描述中變得顯然，或者可以通過本技術的實踐而習得。
3、根據本技術的一個方面，提供一種基于碲鋅鎘晶體的芯片封裝結構，包括：
4、基體，所述基體包括第一表面和第二表面，所述第一表面和所述第二表面位于所述基體的同側；
5、多個芯片，連接于所述基體的所述第一表面上；
6、碲鋅鎘晶體，連接于所述基體的所述第二表面上；
7、屏蔽體，至少包括外屏蔽墻和金屬蓋板，所述屏蔽體與所述基體共同將所述多個芯片和所述碲鋅鎘晶體封閉；
8、其中，所述第一表面高于所述第
9、在本技術的一種示例性實施方式中，所述基體上開設有安裝槽，所述安裝槽的槽底與所述第二表面齊平，所述碲鋅鎘晶體設于所述安裝槽內。
10、在本技術的一種示例性實施方式中，所述屏蔽體還包括：
11、內屏蔽墻，所述內屏蔽墻固定于所述基體上，且與所述金屬蓋板、所述外屏蔽墻均抵接，所述內屏蔽墻將所述多個芯片所在的空間和所述碲鋅鎘晶體所在的空間分隔開。
12、在本技術的一種示例性實施方式中，所述多個芯片包括：
13、計數芯片，用于接收所述碲鋅鎘晶體的信號，并對接收到的不同能量的信號進行計數；
14、信號處理芯片，能夠接收所述計數芯片的計數結果，并進行算法處理；
15、其中，所述計數芯片和所述信號處理芯片電連接，且處于同一個封裝空間內。
16、在本技術的一種示例性實施方式中，所述碲鋅鎘晶體選用電子遷移率壽命積大于或者等于電子遷移率壽命積閾值的晶體；其中，所述電子遷移率壽命積閾值為2×10-3cm2/v。
17、在本技術的一種示例性實施方式中，所述碲鋅鎘晶體的陰極采用金屬鎳作為接觸電極，且所述碲鋅鎘晶體的陽極采用金屬銦作為接觸電極。
18、在本技術的一種示例性實施方式中，所述碲鋅鎘晶體所處位置的下方的所述基體上開設有多個地孔。
19、在本技術的一種示例性實施方式中，所述基于碲鋅鎘晶體的芯片封裝結構還包括：
20、陶瓷封裝層，所述多個芯片、所述碲鋅鎘晶體與所述基體的連接處均設有所述陶瓷封裝層。
21、在本技術的一種示例性實施方式中，所述基于碲鋅鎘晶體的芯片封裝結構還包括：
22、導電泡棉，設于所述碲鋅鎘晶體與所述金屬蓋板之間。
23、在本技術的一種示例性實施方式中，所述屏蔽體與所述基體形成的空間采用氣密封裝。
24、在本技術的一種基于碲鋅鎘晶體的芯片封裝結構示例性實施方式中，
25、本技術的基于碲鋅鎘晶體的芯片封裝結構中，碲鋅鎘晶體和多個芯片均連接于基體的一側，但是碲鋅鎘晶體的安裝平面低于多個芯片的安裝平面，即，在基體上設置凹陷區域用于安置碲鋅鎘晶體。通過這種芯片封裝結構，一方面優化了空間的利用率，能夠在減小芯片整體體積的情況下，確保了碲鋅鎘晶體能保持高靈敏度和精確的輻射檢測能力，保證了輻射探測芯片應用于穿戴產品的可靠性；另一方面，屏蔽體可使碲鋅鎘晶體和多個芯片形成一個封閉的電磁屏蔽環境，有效阻擋外部電磁干擾，降低了噪聲影響，增強了芯片在復雜電磁環境下的穩定性和檢測數據的一致性。
26、應當理解的是，以上的一般描述和后文的細節描述僅是示例性和解釋性的，并不能限制本技術。
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1.一種基于碲鋅鎘晶體的芯片封裝結構，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的基于碲鋅鎘晶體的芯片封裝結構，其特征在于，所述基體上開設有安裝槽，所述安裝槽的槽底與所述第二表面齊平，所述碲鋅鎘晶體設于所述安裝槽內。
3.根據權利要求1所述的基于碲鋅鎘晶體的芯片封裝結構，其特征在于，所述屏蔽體還包括：
4.根據權利要求3所述的基于碲鋅鎘晶體的芯片封裝結構，其特征在于，所述多個芯片包括：
5.根據權利要求1至4任一項所述的基于碲鋅鎘晶體的芯片封裝結構，其特征在于，所述碲鋅鎘晶體選用電子遷移率壽命積大于或者等于電子遷移率壽命積閾值的晶體；其中，所述電子遷移率壽命積閾值為2×10-3cm2/V。
6.根據權利要求5所述的基于碲鋅鎘晶體的芯片封裝結構，其特征在于，所述碲鋅鎘晶體的陰極采用金屬鎳作為接觸電極，且所述碲鋅鎘晶體的陽極采用金屬銦作為接觸電極。
7.根據權利要求2所述的基于碲鋅鎘晶體的芯片封裝結構，其特征在于，所述碲鋅鎘晶體所處位置的下方的所述基體上開設有多個地孔。
8.根據權利要求1所述的基于碲
9.根據權利要求1所述的基于碲鋅鎘晶體的芯片封裝結構，其特征在于，所述基于碲鋅鎘晶體的芯片封裝結構還包括：
10.根據權利要求1所述的基于碲鋅鎘晶體的芯片封裝結構，其特征在于，所述屏蔽體與所述基體形成的空間采用氣密封裝。
...【技術特征摘要】
1.一種基于碲鋅鎘晶體的芯片封裝結構，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的基于碲鋅鎘晶體的芯片封裝結構，其特征在于，所述基體上開設有安裝槽，所述安裝槽的槽底與所述第二表面齊平，所述碲鋅鎘晶體設于所述安裝槽內。
3.根據權利要求1所述的基于碲鋅鎘晶體的芯片封裝結構，其特征在于，所述屏蔽體還包括：
4.根據權利要求3所述的基于碲鋅鎘晶體的芯片封裝結構，其特征在于，所述多個芯片包括：
5.根據權利要求1至4任一項所述的基于碲鋅鎘晶體的芯片封裝結構，其特征在于，所述碲鋅鎘晶體選用電子遷移率壽命積大于或者等于電子遷移率壽命積閾值的晶體；其中，所述電子遷移率壽命積閾值為2×10-3cm2/v。
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【專利技術屬性】
技術研發人員：辛元娟，王歡，程棟銳，段騰飛，郭平林，席守智，介萬奇，
申請(專利權)人：陜西迪泰克新材料有限公司，
類型：新型
國別省市：
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