【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
本專利技術(shù)涉及半導(dǎo)體器件，具體涉及一種單元像素及顯示裝置。
技術(shù)介紹
1、led芯片由于可靠性高、壽命長、功耗低的特點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于顯示裝置、車輛用燈具、普通照明燈等多個(gè)領(lǐng)域，例如，led?rgb芯片可作為各種顯示裝置的單元像素。目前，微小芯片（micro-led芯片，一般小于100nm）的尺寸太小，抓取芯片固定在顯示面板上工藝較為困難。因此，采取將rgb三顆芯片形成為一個(gè)單元像素封裝體，這樣抓取單元像素進(jìn)行貼片固定至顯示面板上時(shí)，工藝較為簡單。
2、然而，現(xiàn)有單元像素封裝體的可靠性比較差，如何得到一種可靠性高的單元像素仍然是一個(gè)難題。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、鑒于以上所述現(xiàn)有技術(shù)的缺點(diǎn)，本專利技術(shù)的目的在于提供一種單元像素及顯示裝置，以提高發(fā)光效果以及可靠性。
2、為了實(shí)現(xiàn)上述目的及其他相關(guān)目的，本專利技術(shù)提供一種單元像素，包括：透明層；多個(gè)間隔設(shè)置的發(fā)光元件，其中至少一個(gè)所述發(fā)光元件包括：半導(dǎo)體疊層，包括依次層疊的第一半導(dǎo)體層、有源層以及第二半導(dǎo)體層，所述半導(dǎo)體疊層具有第一臺(tái)面和第二臺(tái)面，所述第一臺(tái)面為所述第二半導(dǎo)體層表面，所述第二臺(tái)面為所述第一半導(dǎo)體層表面；電極墊，形成于所述第二臺(tái)面上，所述電極墊包括第一電極墊以及第二電極墊，所述第一電極墊與所述第一半導(dǎo)體層電連接，所述第二電極墊與所述第二半導(dǎo)體層電連接，所述電極墊包括遠(yuǎn)離所述半導(dǎo)體疊層的上表面和靠近所述半導(dǎo)體疊層的下表面；填充層，填充于相鄰所述發(fā)光元件之間，所述填充層包括遠(yuǎn)離所述透明層的第一表面和靠近所述透明
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1.一種單元像素，包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單元像素，其特征在于，所述填充層第一部分的厚度小于等于10μm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單元像素，其特征在于，所述填充層還包括第二部分，第二部分形成于透明層上并填充于相鄰發(fā)光元件之間，所述第二部分的厚度大于所述所述第一部分的厚度。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單元像素，其特征在于，所述填充層還包括第三部分，第三部分形成于所述第一臺(tái)面上，以所述透明層為基準(zhǔn)，所述第三部分的第一表面低于所述電極墊的最高上表面。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的單元像素，其特征在于，所述第三部分的厚度小于等于3μm，所述第三部分的厚度小于所述電極墊的厚度。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的單元像素，其特征在于，所述布線層包括部分形成于第三部分上，并包覆所述電極墊的側(cè)面。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單元像素，其特征在于，所述電極墊包括第一區(qū)域和第二區(qū)域，所述第一區(qū)域的上表面低于所述第二區(qū)域的上表面，所述第二電極墊形成于所述第一臺(tái)面上，所述第一電極墊第二區(qū)域形成于所述第一臺(tái)面上，所述第一電極墊第一區(qū)域形成于
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的單元像素，其特征在于，所述填充層包括第四部分，所述第四部分形成于所述第二電極墊第一區(qū)域上，所述第二區(qū)域被所述填充層暴露出表面，所述第一電極墊第一區(qū)域被所述填充層第一部分覆蓋。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的單元像素，其特征在于，以透明層為基準(zhǔn)，所述第四部分的第一表面低于所述電極墊的最高上表面。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單元像素，其特征在于，所述填充層的第一表面為連續(xù)或者不連續(xù)的凸起和凹部的結(jié)構(gòu)。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單元像素，其特征在于，所述第一部分的第一表面介于所述第一臺(tái)面和所述第二臺(tái)面之間。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的單元像素，其特征在于，所述填充層不包括形成于第一臺(tái)面上的第三部分。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單元像素，其特征在于，所述第一部分的第一表面介于所述第一臺(tái)面和所述電極墊最高上表面之間。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的單元像素，其特征在于，所述第二電極墊表面完全被填充層暴露出，所述第一電極墊第一區(qū)域被填充層第一部分覆蓋。
15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單元像素，其特征在于，以所述透明層為基準(zhǔn)，所述第一臺(tái)面高于所述第二臺(tái)面。
16.一種顯示裝置，其特征在于，包括面板基板，以及固定至所述面板基板的若干個(gè)像素模塊，所述像素模塊包括權(quán)利要求1~15中任一項(xiàng)所述的單元像素。
...【技術(shù)特征摘要】
1.一種單元像素，包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單元像素，其特征在于，所述填充層第一部分的厚度小于等于10μm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單元像素，其特征在于，所述填充層還包括第二部分，第二部分形成于透明層上并填充于相鄰發(fā)光元件之間，所述第二部分的厚度大于所述所述第一部分的厚度。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單元像素，其特征在于，所述填充層還包括第三部分，第三部分形成于所述第一臺(tái)面上，以所述透明層為基準(zhǔn)，所述第三部分的第一表面低于所述電極墊的最高上表面。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的單元像素，其特征在于，所述第三部分的厚度小于等于3μm，所述第三部分的厚度小于所述電極墊的厚度。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的單元像素，其特征在于，所述布線層包括部分形成于第三部分上，并包覆所述電極墊的側(cè)面。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單元像素，其特征在于，所述電極墊包括第一區(qū)域和第二區(qū)域，所述第一區(qū)域的上表面低于所述第二區(qū)域的上表面，所述第二電極墊形成于所述第一臺(tái)面上，所述第一電極墊第二區(qū)域形成于所述第一臺(tái)面上，所述第一電極墊第一區(qū)域形成于所述第二臺(tái)面上。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的單元像素，其特征在于，所述填充層包括第四部分，所述第四部分形成于所述第...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：曾志洋，時(shí)軍朋，林振端，
申請(專利權(quán))人：湖北三安光電有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：
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