【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及一種光伏封裝材料用高折射率抗pid的eva膠膜。本專利技術屬于光伏材料領域。
技術介紹
1、光伏組件是太陽能光伏發電系統的核心部件之一，由預先排列好的晶體硅電池被層壓在超薄、透明、高強度玻璃和密封底層之間而構成。eva(乙烯-醋酸乙烯酯共聚物)由于在密封性以及粘著力、耐久性、光學特性等方面具有顯著的優越性而成為光伏組件普遍采用的封裝材料。
2、現有太陽能電池組件中，由于太陽能電池片與封裝材料的折射率差較大，在兩者界面處存在較高的反射而無法高效率地利用入射光，因此組件對太陽光利用率低、功率輸出較低。而目前對太陽能電池組件光學性能的優化主要集中在太陽能電池片上或外層的玻璃前板上，如使用表面織構化的電池片，并鍍有減反射膜以減少太陽光的反射；再如組件的最上層使用鍍有減反膜的玻璃前板，但最外層的減反射層需要額外的封裝材料保護，這將增加組件的制造成本，而且這種太陽能電池組件的結構過于復雜。
3、此外，eva長期處于戶外使用，且遇到極端天氣，熱光氧老化一直伴隨eva膠膜的始終；eva膠膜的老化始于其分子鏈的分解，釋放小分子的乙酸，游離乙酸的存在會形成一個弱酸性的環境，進而催化進一步地分解，整個過程呈“自動加速”現象。
4、由于eva膠膜老化釋放小分子乙酸，進一步導致材料劣化，從而衍生出另一個問題：光伏組件電勢誘導衰減效應(pid)，pid效應會導致災難性故障。原因主要之一為光伏組件包含玻璃、封裝膠膜、電池片和背板等，組件材料在實際應用中不同程度引發na+遷移，進而引發pid效應。關鍵在于游離乙
5、因此，如何從封裝材料著手提高其折射率以及eva膠膜產生pid效應，制備得到一種具有高折射率和高抗pid的封裝膠膜，從而提高光伏組件的發電效率，已成為目前亟待解決的技術問題。
技術實現思路
1、本專利技術的目的是針對現有技術中光伏封裝eva膠膜的低折射率，與玻璃形成的折射率差導致光能損耗影響光電轉化效果；以及在室外環境中長時間使用，老化產生游離乙酸以及導致pid的問題，提供了一種光伏封裝材料用高折射率抗pid的eva膠膜及其制備方法。本專利技術通過有機-無機雜化材料，高效地結合了高折射率、高抗pid結構，具有廣闊的應用潛力。本專利技術解決其技術問題所采用的技術方案是：
2、一種高折射率抗pid助劑的制備方法，包括以下步驟：
3、s11，將納米金屬氧化物與硅烷偶聯劑置于醇溶劑中進行偶聯反應，得到中間產物i；
4、s12，將二硫醇與二氯二苯砜進行縮合反應，得到中間產物ii；
5、s13，將中間產物i與中間產物ii進行偶聯反應，得到中間產物iii；
6、s14，將烯類單體在引發劑的作用下進行聚合反應，得到中間產物iv；
7、s15，將中間產物iii與中間產物iv進行偶聯反應，得到中間產物v；以及
8、s16，將中間產物v與磷酸鋯進行配位反應，得到目標產物，即高折射率抗pid助劑。
9、進一步地，所述納米金屬氧化物為折射率＞2.0；以及
10、所述硅烷偶聯劑為氨基硅烷偶聯劑或巰基硅烷偶聯劑。
11、進一步地，所述金屬氧化物、硅烷偶聯劑、醇溶劑的用量為1g：3.3-5.5g：80ml。
12、進一步地，所述二硫醇與二氯二苯砜的摩爾比為1:2。
13、進一步地，所述中間產物i與中間產物ii的用量按硅烷偶聯劑與中間產物ii的摩爾比1:1添加。
14、進一步地，
15、所述烯類單體為氨基烯類、羥基烯類、丙烯酰氧基-2-羥基二苯甲酮類的混合物。
16、進一步地，所述氨基烯類為烯基胺與烯基酰胺按摩爾比2.0-3.0:1混合；
17、所述羥基烯類為烯醇或/和羥基丙烯酸酯；以及
18、所述氨基烯類、羥基烯類、丙烯酰氧基-2-羥基二苯甲酮類的用量比為4.0-5.0mol：
19、3.0-4.0mol：1.0-3.0mol。
20、進一步地，所述中間產物iii與中間產物iv的用量按氯原子與氨基的摩爾比0.3-0.6：1添加，并且所述氨基不包含酰胺基。
21、進一步地，所述中間產物v與磷酸鋯的用量比為10g：2.0-3.5g。
22、本專利技術的另一目的在于提供一種制備方法所制備的高折射率抗pid助劑。
23、本專利技術的又一目的在于提供一種光伏封裝材料用高折射率抗pid的eva膠膜，包括以下重量份數的原料：
24、eva樹脂100份；
25、交聯劑0.8-1.2份；
26、助交聯劑1.0-1.5份；
27、高折射率抗pid助劑2.0-5.0份；
28、抗氧劑0.1-0.2份；
29、光穩定劑0.05-0.1份；
30、偶聯劑0.3-0.5份。
31、本專利技術的再一目的在于提供一種光伏封裝材料用高折射率抗pid的eva膠膜的制備方法，包括如下步驟：
32、s21，混料，即
33、向混料機中按配方比例加入原料，混合攪拌，獲得混合原料；
34、s22，擠出，即
35、將s21中的混合原料置于擠出機中，熔融共混、擠出、流延、冷卻；以及
36、s23，成膜，即
37、經測厚、壓邊、定型，再經切邊，收卷，即得所述光伏封裝材料用高折射率抗pid的eva膠膜。
38、本專利技術的有益效果：
39、(1)本專利技術提供了一種光伏封裝材料用高折射率抗pid的eva膠膜，配方體系中含有自制的高折射率抗pid助劑，為有機-無機雜化核殼結構；核層為高折射率金屬氧化物、殼層含有硅烷、多硫結構、多苯環結構。其高折射率體現在：首先、高折射率納米金屬氧化物，其納米級粒徑可降低界面處的光散射；第二、較大的極化率和較小的分子體積有助于提高折射率，大量苯環和硫元素的結構可有效提升折射率；第三、使用高折射率有機結構對高折射率無機納米金屬氧化物進行表面改性，避免因納米結構大的比表面積問題而團聚，提升分散性；同時協同提高折射率。
40、(2)本專利技術提供了一種光伏封裝材料用高折射率抗pid的eva膠膜，配方體系中含有自制的高折射率抗pid助劑，為有機-無機雜化核殼結構；殼層與殼層之間由磷酸鋯與酯基、酰胺基配位，其作為“橋梁”串聯形成；殼層含有羥基、氨基等結構。其抗pid性體現在：首先、磷酸鹽結構可對鈉離子進行有效捕捉，具有優異的抗pid性能；第二、側鏈多羥基結構同樣具有優良的鈉離子捕捉功能，進一步提高抗pid性；第三、側鏈多羥基結構同時可抑制eva的水解，從根源上抑制游離乙酸的產生；第四、鋯鹽中的鋯可與羧基進行本文檔來自技高網...
【技術保護點】
1.一種高折射率抗PID助劑的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
2.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，
3.根據權利要求1或2所述的制備方法，其特征在于，
4.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，
5.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，
6.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，
7.根據權利要求6所述的制備方法，其特征在于，
8.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，
9.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，
10.一種如權利要求1-9任一所述的制備方法所制備的高折射率抗PID助劑。
11.一種光伏封裝材料用高折射率抗PID的EVA膠膜，其特征在于，包括以下重量份數的原料：
12.一種光伏封裝材料用高折射率抗PID的EVA膠膜的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：
【技術特征摘要】
1.一種高折射率抗pid助劑的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
2.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，
3.根據權利要求1或2所述的制備方法，其特征在于，
4.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，
5.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，
6.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，
7.根據權利要求6所述的制備方法，其特征...
【專利技術屬性】
技術研發人員：潘俊，居俊杰，孟雪，
申請(專利權)人：蘇州易昇光學材料股份有限公司，
類型：發明
國別省市：
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