【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
本專利技術(shù)涉及半導(dǎo)體，具體涉及一種algan基深紫外led芯片及其制備方法。
技術(shù)介紹
1、algan基深紫外led芯片指的是采用algan材料作為發(fā)光層、能產(chǎn)生260nm-285nm紫外光波的led芯片，其具有無汞、節(jié)能、環(huán)保等優(yōu)點(diǎn)，在生物醫(yī)療、防偽鑒定、凈化(水、空氣等)等方面有重要的應(yīng)用市場。
2、但是，現(xiàn)有的algan基深紫外led芯片在使用過程中，其n型電極存在局部電流密度大、光損耗大等問題，嚴(yán)重影響了algan基深紫外led芯片的發(fā)光效率。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、本專利技術(shù)的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，本專利技術(shù)提供了一種algan基深紫外led芯片及其制備方法，通過在n型電極上設(shè)置疊層結(jié)構(gòu)，疊層結(jié)構(gòu)中陣列設(shè)置的ito半球，以及層疊設(shè)置al層和金屬層，能有效改善n型電極的電流分散性，以及減少n型電極對光的損耗，有利于提高algan基深紫外led芯片的發(fā)光效率。
2、本專利技術(shù)提供了一種algan基深紫外led芯片，包括外延片、以及設(shè)置在所述外延片上的p型電極和n型電極，所述n型電極上設(shè)置有疊層結(jié)構(gòu)，所述疊層結(jié)構(gòu)包括依次層疊設(shè)置在所述n型電極上的ito層、第一al層、第一金屬層、第二al層、第二金屬層和第三al層；其中，所述ito層由若干陣列設(shè)置的ito半球組成，所述第一al層填平所述若干陣列設(shè)置的ito半球之間的間隙。
3、具體的，所述ito半球的直徑范圍為20nm-100nm。
4、具體的，相鄰ito半球之間的間距范圍為10
5、具體的，所述第一al層的厚度范圍為60nm-80nm；所述第二al層的厚度范圍為60nm-80nm；所述第三al層的厚度范圍為80nm-100nm。
6、具體的，所述第一金屬層的厚度范圍為2nm-4nm。
7、具體的，所述第二金屬層的厚度范圍為2nm-4nm。
8、具體的，所述第一金屬層的材料為銦、鑭、銣、釕、鋅、銠中的一種。
9、具體的，所述第二金屬層的材料為銦、鑭、銣、釕、鋅、銠中的一種。
10、本專利技術(shù)還提供了一種所述的algan基深紫外led芯片的制備方法，包括以下步驟：
11、s1、制備帶p型電極和n型電極的外延片；
12、s2、在所述n型電極上沉積形成原始ito膜層；
13、s3、對所述原始ito膜層進(jìn)行圖案化處理，形成若干陣列設(shè)置的ito半球；
14、s4、在所述若干陣列設(shè)置的ito半球上沉積形成第一al層；
15、s5、在所述第一al層上沉積形成第一金屬層；
16、s6、在所述第一金屬層上沉積形成第二al層；
17、s7、在所述第二al層上沉積形成第二金屬層；
18、s8、在所述第二金屬層上沉積形成第三al層。
19、具體的，在步驟s8之后還包括：
20、在惰性氣氛下，對所述n型電極、所述若干陣列設(shè)置的ito半球、所述第一al層、所述第一金屬層、所述第二al層、所述第二金屬層和所述第三al層進(jìn)行退火處理；其中，所述退火處理的處理溫度范圍為300℃-600℃。
21、與現(xiàn)有技術(shù)相比，本專利技術(shù)的有益效果是：
22、在本專利技術(shù)的algan基深紫外led芯片中，n型電極上設(shè)置有疊層結(jié)構(gòu)，疊層結(jié)構(gòu)中的ito層與n型電極直接接觸，并且ito層由若干陣列設(shè)置的ito半球組成，第一al層填平若干陣列設(shè)置的ito半球之間的間隙；由于ito材料具有良好的透光率和導(dǎo)電性，因此陣列設(shè)置的ito半球能促使電流分散進(jìn)入n型電極，直接改善n型電極的電流分散性，并且對光的損耗小；而且，在ito半球的作用下，第一al層與ito層接觸的一面形成了凹凸不平的糙面，獲得了更大的反射面積，有利于將從n型電極射出的光反射回去；同時(shí)，微小的ito半球可以形成微腔增加出光效果，第一al層的al元素附著在微腔上可以形成微腔的金屬結(jié)構(gòu)，從而形成諧振腔，有利于提高algan基深紫外led芯片的發(fā)光效率；
23、疊層結(jié)構(gòu)中的第一al層、第一金屬層、第二al層、第二金屬層和第三al層互相配合，在減少光損耗的同時(shí)盡可能地將從n型電極射出的光反射回去，有利于提高algan基深紫外led芯片的發(fā)光效率；而且，疊層結(jié)構(gòu)可以提供良好的平整度，有利于保持良好的歐姆接觸，同時(shí)不損失金屬對光的反射率，對algan基深紫外led芯片的發(fā)光效率有積極作用。
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1.一種AlGaN基深紫外LED芯片，包括外延片、以及設(shè)置在所述外延片上的p型電極和n型電極，其特征在于，所述n型電極上設(shè)置有疊層結(jié)構(gòu)，所述疊層結(jié)構(gòu)包括依次層疊設(shè)置在所述n型電極上的ITO層、第一Al層、第一金屬層、第二Al層、第二金屬層和第三Al層；其中，所述ITO層由若干陣列設(shè)置的ITO半球組成，所述第一Al層填平所述若干陣列設(shè)置的ITO半球之間的間隙。
2.如權(quán)利要求1所述的AlGaN基深紫外LED芯片，其特征在于，所述ITO半球的直徑范圍為20nm-100nm。
3.如權(quán)利要求1所述的AlGaN基深紫外LED芯片，其特征在于，相鄰ITO半球之間的間距范圍為10nm-200nm。
4.如權(quán)利要求1所述的AlGaN基深紫外LED芯片，其特征在于，所述第一Al層的厚度范圍為60nm-80nm；所述第二Al層的厚度范圍為60nm-80nm；所述第三Al層的厚度范圍為80nm-100nm。
5.如權(quán)利要求1所述的AlGaN基深紫外LED芯片，其特征在于，所述第一金屬層的厚度范圍為2nm-4nm。
6.如權(quán)利要求1所述的Al
7.如權(quán)利要求1所述的AlGaN基深紫外LED芯片，其特征在于，所述第一金屬層的材料為銦、鑭、銣、釕、鋅、銠中的一種。
8.如權(quán)利要求1所述的AlGaN基深紫外LED芯片，其特征在于，所述第二金屬層的材料為銦、鑭、銣、釕、鋅、銠中的一種。
9.一種如權(quán)利要求1至8任一所述的AlGaN基深紫外LED芯片的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
10.如權(quán)利要求9所述的制備方法，其特征在于，在步驟S8之后還包括：
...【技術(shù)特征摘要】
1.一種algan基深紫外led芯片，包括外延片、以及設(shè)置在所述外延片上的p型電極和n型電極，其特征在于，所述n型電極上設(shè)置有疊層結(jié)構(gòu)，所述疊層結(jié)構(gòu)包括依次層疊設(shè)置在所述n型電極上的ito層、第一al層、第一金屬層、第二al層、第二金屬層和第三al層；其中，所述ito層由若干陣列設(shè)置的ito半球組成，所述第一al層填平所述若干陣列設(shè)置的ito半球之間的間隙。
2.如權(quán)利要求1所述的algan基深紫外led芯片，其特征在于，所述ito半球的直徑范圍為20nm-100nm。
3.如權(quán)利要求1所述的algan基深紫外led芯片，其特征在于，相鄰ito半球之間的間距范圍為10nm-200nm。
4.如權(quán)利要求1所述的algan基深紫外led芯片，其特征在于，所述第一al層的厚度范圍為60nm-80nm；所述第二al層的厚度范圍為6...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：陳凱，周鑫，徐亮，范凱平，鄭洪仿，鐘美云，
申請(專利權(quán))人：佛山市國星半導(dǎo)體技術(shù)有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：
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