【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及光伏，特別是涉及一種太陽能電池及其制備方法和光伏組件。
技術介紹
1、鈍化接觸太陽能電池的硅襯底上依次層疊有界面鈍化層和摻雜半導體層，該太陽能電池具有良好的鈍化接觸性能，因此其具有廣闊的應用場景。
2、目前的鈍化接觸太陽能電池中，載流子收集不均勻、金屬半導體接觸電阻高且表面鈍化性能較差。
技術實現思路
1、本專利技術提供一種太陽能電池及其制備方法和光伏組件，旨在兼顧產能的基礎上，解決現有鈍化接觸太陽能電池中，載流子收集不均勻、金屬半導體接觸電阻高且表面鈍化性能較差的問題。
2、本專利技術的第一方面，提供一種太陽能電池，包括：
3、硅襯底；
4、界面鈍化層，位于硅襯底上；
5、摻雜半導體層，位于界面鈍化層背離硅襯底的一側；其中，摻雜半導體層包括：沿遠離所述界面鈍化層的方向上依次層疊的第一子層和第二子層；第二子層的晶粒尺寸小于第一子層的晶粒尺寸，且第一子層的厚度大于第二子層的厚度。
6、本專利技術實施例中，摻雜半導體層包括：沿遠離界面鈍化層的方向上依次層疊的第一子層和第二子層，因此，該摻雜半導體層中，第二子層是最背離硅襯底的子層。第二子層的晶粒尺寸小于第一子層的晶粒尺寸，則該摻雜半導體層的第二子層的晶粒尺寸較小，就是說第二子層成核速度較慢，因此第二子層比第一子層更致密、更均勻，也就是該摻雜半導體層的一側表面更致密、更均勻，因此該摻雜半導體層的該表面懸掛鍵較少，復合較少且該表面鈍化性能較好，可以有效提高
7、可選的，第二子層的表面粗糙度小于第一子層的表面粗糙度。
8、可選的，第二子層的折射率大于第一子層的折射率。
9、可選的，
10、第一子層的厚度為200nm至320nm；和/或，
11、第二子層的厚度為40nm至70nm。
12、可選的，第一子層的晶粒尺寸為45nm至55nm；和/或，
13、第二子層的晶粒尺寸為30nm至40nm。
14、可選的，第一子層的平均表面粗糙度為4.2nm至4.5nm；和/或，
15、第二子層的平均表面粗糙度為3.7nm至3.9nm。
16、可選的，第一子層的折射率為2.95至3.05；和/或，
17、第二子層的折射率為3.15至3.25。
18、可選的，摻雜半導體層還包括：第三子層，位于第一子層遠離第二子層的一側；
19、第三子層的晶粒尺寸小于第一子層的晶粒尺寸，且第一子層的厚度大于第三子層的厚度。
20、可選的，第三子層的表面粗糙度小于第一子層的表面粗糙度；和/或，
21、第三子層的折射率大于第一子層的折射率。
22、可選的，第三子層的厚度為40nm至80nm；和/或，
23、第三子層的晶粒尺寸為30nm至40nm。
24、可選的，第三子層的平均表面粗糙度為3.4nm至3.6nm；和/或，
25、第三子層的折射率為3.2至3.3。
26、可選的，摻雜半導體層的厚度為250nm至400nm。
27、可選的，所述摻雜半導體層為n型摻雜半導體層，和/或，p型摻雜半導體層；
28、在所述n型摻雜半導體層和所述p型摻雜半導體層均包括：所述第一子層和所述第二子層的情況下，p型摻雜半導體層中最小晶粒尺寸，大于n型摻雜半導體層中最大晶粒的尺寸；和/或，
29、p型摻雜半導體層的厚度大于n型摻雜半導體層的厚度。
30、本專利技術的第二方面，提供一種光伏組件，包括：若干任一前述的太陽能電池。
31、本專利技術的第三方面，提供一種太陽能電池的制備方法，包括：
32、在硅襯底上制備界面鈍化層；
33、在界面鈍化層背離硅襯底的一側制備摻雜半導體層；摻雜半導體層包括：沿遠離所述界面鈍化層的方向上依次層疊的第一子層和第二子層；第二子層的晶粒尺寸小于第一子層的晶粒尺寸，且第一子層的厚度大于第二子層的厚度；第一子層和第二子層兩者的制備過程中，制備第一子層的工藝壓力和工藝時長均更大。
34、可選的，摻雜半導體層還包括：第三子層，位于第一子層遠離第二子層的一側；
35、第一子層和第三子層兩者的制備過程中，制備第一子層的工藝壓力和工藝時長均更大。
36、可選的，在界面鈍化層背離硅襯底的一側制備摻雜半導體層，包括：
37、在界面鈍化層背離硅襯底的一側制備本征非晶硅層；本征非晶硅層包括：沿遠離所述界面鈍化層的方向上依次層疊的第一本征非晶硅子層和第二本征非晶硅子層；第一本征非晶硅子層和第二本征非晶硅子層兩者的制備過程中，制備第一本征非晶硅子層的工藝壓力和工藝時長均更大；
38、對本征非晶硅層進行摻雜得到摻雜半導體層。
39、可選的，本征非晶硅層還包括：第三本征非晶硅子層，位于第一本征非晶硅子層遠離第二本征非晶硅子層的一側；
40、第一本征非晶硅子層和第三本征非晶硅子層兩者的制備過程中，制備第一本征非晶硅子層的工藝壓力和工藝時長均更大。
41、可選的，沉積第一本征非晶硅子層的工藝壓力為：180毫托至220毫托；
42、沉積第二本征非晶硅子層的工藝壓力為：100毫托至120毫托；和/或，
43、沉積第一本征非晶硅子層的工藝時長為：55分鐘至95分鐘；
44、沉積第二本征非晶硅子層的工藝時長為：20分鐘至37分鐘。
45、可選的，沉積第三本征非晶硅子層的工藝壓力為：100毫托至120毫托；和/或，
46、沉積第三本征非晶硅子層的工藝時長為：18分鐘至42分鐘。
47、上述太陽能電池的制備方法、太陽能電池、光伏組件三者具有相同或相似的有益效果，為了避免重復，此處不再贅述。
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1.一種太陽能電池，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的太陽能電池，其特征在于，第二子層的表面粗糙度小于第一子層的表面粗糙度。
3.根據權利要求1所述的太陽能電池，其特征在于，第二子層的折射率大于第一子層的折射率。
4.根據權利要求1至3中任一所述的太陽能電池，其特征在于，第一子層的厚度為200nm至320nm；和/或，
5.根據權利要求1至3中任一所述的太陽能電池，其特征在于，第一子層的晶粒尺寸為45nm至55nm；和/或，
6.根據權利要求1至3中任一所述的太陽能電池，其特征在于，第一子層的平均表面粗糙度為4.2nm至4.5nm；和/或，
7.根據權利要求1至3中任一所述的太陽能電池，其特征在于，第一子層的折射率為2.95至3.05；和/或，
8.根據權利要求1至3中任一所述的太陽能電池，其特征在于，摻雜半導體層還包括：第三子層，位于第一子層遠離第二子層的一側；
9.根據權利要求8所述的太陽能電池，其特征在于，第三子層的表面粗糙度小于第一子層的表面粗糙度；和/或，
<...【技術特征摘要】
1.一種太陽能電池，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的太陽能電池，其特征在于，第二子層的表面粗糙度小于第一子層的表面粗糙度。
3.根據權利要求1所述的太陽能電池，其特征在于，第二子層的折射率大于第一子層的折射率。
4.根據權利要求1至3中任一所述的太陽能電池，其特征在于，第一子層的厚度為200nm至320nm；和/或，
5.根據權利要求1至3中任一所述的太陽能電池，其特征在于，第一子層的晶粒尺寸為45nm至55nm；和/或，
6.根據權利要求1至3中任一所述的太陽能電池，其特征在于，第一子層的平均表面粗糙度為4.2nm至4.5nm；和/或，
7.根據權利要求1至3中任一所述的太陽能電池，其特征在于，第一子層的折射率為2.95至3.05；和/或，
8.根據權利要求1至3中任一所述的太陽能電池，其特征在于，摻雜半導體層還包括：第三子層，位于第一子層遠離第二子層的一側；
9.根據權利要求8所述的太陽能電池，其特征在于，第三子層的表面粗糙度小于第一子層的表面粗糙度；和/或，
10.根據權利要求8所述的太陽能電池，其特征在于，
11.根據權利要求9所述的太陽能電池，其特征在于，
12.根據權利要求1至3中任一所...
【專利技術屬性】
技術研發人員：楊孝明，顏翼飛，張歡，張澤林，劉仡錕，姚巍然，陳石，代囟，徐新星，童洪波，
申請(專利權)人：隆基綠能科技股份有限公司，
類型：發明
國別省市：
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