雙觸發型可控硅整流器制造技術

本發明專利技術提供一種雙觸發型可控硅整流器，其包括：半導體襯底、Ｎ井、Ｐ井、第一Ｎ＋擴散區域與第一Ｐ＋擴散區域、第二Ｎ＋擴散區域與第二Ｐ＋擴散區域；第三Ｐ＋擴散區域，設于雙觸發型可控硅整流器一側并橫跨Ｎ井與Ｐ井；第三Ｎ＋擴散區域，設于其另一側并橫跨Ｎ井與Ｐ井；第一柵極，設于第二Ｐ＋擴散區域與第三Ｐ＋擴散區域間的Ｎ井的表面上方，用于作為Ｐ型觸發點，以接收第一觸發電流或第一觸發電壓；以及第二柵極，設于第一Ｎ＋擴散區域與第三Ｎ＋擴散區域之間的Ｐ井的表面上方，用于作為Ｎ型觸發點，以接收第二觸發電流或第二觸發電壓。本發明專利技術的雙觸發型可控硅整流器可以承受高電壓準位，并且可以更快速地進行是否導通的切換操作。

【技術實現步驟摘要】

本專利技術涉及一種雙觸發型可控硅整流器(dual triggered silicon controlled rectifier, DTSCR)，尤其是一種可以應用在電氣》容絲調整 電^各(trim-fuse circuit)中的雙觸發型可控石圭整流器。
技術介紹
參照圖1，圖1所示的是傳統使用大尺寸金屬氧化物半導體 (MOS)晶體管作為開關元件的電氣熔絲調整電路100,如圖1所 示，電氣熔絲調整電3各100包括MOS晶體管開關元件110以及電 氣熔絲120,其中，MOS晶體管開關元件110是用于接收控制信號 Sc來控制是否讓調整電流通過MOS晶體管開關元件110。然而， 如果電氣熔絲調整電路100用在低電壓工藝中，則會遭遇到無法承 受高電壓準位的問題，這是因為電氣熔絲調整電路100通常需要高 電壓準位的電壓來^是供足夠大的調整電流，但是低電壓裝置元件又 無法承受高電壓準位的緣故。
技術實現思路
由此，本專利技術的目的之一在于^是供一種可以應用在電氣熔絲調 整電路中的雙觸發型可控硅整流器，以解決上述的問題。根據本專利技術的范圍，其披露了一種雙觸發型可控硅整流器，其 包括半導體襯底；井區，設置在該半導體襯底中；第一N +擴散區域以及第一 P +擴散區域，設置在該半導體沖于底內，用于作為該雙觸發型橫向可控硅整流器的第 一電極；第二 N +擴散區域以及第 二P +擴散區域，設置在該井區內，用于作為該雙觸發型4黃向可控 硅整流器的第二電極；第三P +擴散區域，設置在該雙觸發型橫向 可控石圭整流器的一 側并JU黃^爭在部分的該井區以及該半導體^底 之間；第三N +擴散區域，i殳置在該雙觸發型沖黃向可控石圭整流器的 另 一側并且橫J爭在部分的該井區以及該半導體4于底之間；第 一柵~ 極，設置在該第二 P +擴散區域與該第三P +擴散區域之間的該井 區的表面上方，用于作為該雙觸發型橫向可控石圭整流器的P型觸發 點(trigger node ),以-接收第一觸發電流或第一觸發電壓；以及第二 柵極，設置在該第一 N +擴散區域與該第三N +擴散區域之間的該 半導體襯底的表面上方，用于作為該雙觸發型4黃向可控石圭整流器的 N型觸發點，以4妾收第二觸發電流或第二觸發電壓。根據本專利技術的范圍，其又披露了 一種雙觸發型可控硅整流器， 其包括半導體襯底；井區，設置在該半導體村底中；第一N +擴 散區域以及第一P +擴散區域，設置在該半導體襯底內，用于作為 該雙觸發型橫向可控硅整流器的第一電極；第二N十擴散區域以及 第二p +擴散區域，設置在該井區內，用于作為該雙觸發型橫向可 控硅整流器的第二電極；第三P +擴散區域，設置在該雙觸發型橫 向可4空石圭整流器的 一側并JU黃3爭在部分的該井區以及該半導體沖于 底之間；第三N +擴散區域，設置在該雙觸發型橫向可控硅整流器 的另一側并且橫跨在部分的該井區以及該半導體襯底之間；第一沖冊 極，設置在該第一 P +擴散區域與該第三P +擴散區域之間的該半 導體襯底的表面上方，用于作為該雙觸發型橫向可控硅整流器的P 型觸發點(trigger node),以4妄收第一觸發電流或第一觸發電壓；以 及第二柵極，設置在該第二 N +擴散區域與該第三N +擴散區域之 間的該井區的表面上方，用于作為該雙觸發型一黃向可控石圭整流器的 N型觸發點，以4妄收第二觸發電流或第二觸發電壓。7根據本專利技術的范圍，其還披露了 一種雙觸發型可控硅整流器，其包括半導體村底；N井(N-wdl)，設置在該半導體坤十底中；P 井(P-well)， i殳置在該半導體襯底中并且相鄰于該N井；第一 N 十擴散區域以及第一P +擴散區域，設置在該P井內，用于作為該 雙觸發型橫向可控硅整流器的陰極；第二N +擴散區域以及第二 P 十擴散區i或，i殳置在該N井內，用于作為該雙觸發型一黃向可控石圭整 流器的陽極；第三P +擴散區域，設置在該雙觸發型橫向可控硅整 流器的一側并且橫跨在部分的該N井以及該P井之間；第三N +擴 散區域，設置在該雙觸發型橫向可控硅整流器的另 一側并且橫跨在 部分的該N井以及該P井之間；第一4冊極，設置在該第二P +擴散 區域與該第三P +擴散區域之間的該N井的表面上方，用于作為該 雙觸發型橫向可控硅整流器的P型觸發點，以接收第一觸發電流或 第一觸發電壓；以及第二柵極，設置在該第一N +擴散區域與該第 三N +擴散區域之間的該P井的表面上方，用于作為該雙觸發型才黃 向可控硅整流器的N型觸發點，以接收第二觸發電流或第二觸發電 壓。附圖說明圖1所示出的是傳統使用大尺寸金屬氧化物半導體(MOS )晶 體管作為開關元件的電氣熔絲調整電路。圖2所示出的是根據本專利技術的第 一實施例的雙觸發型可控石圭整 流器的三維立體示意圖。圖3所示出的是根據本專利技術的第二實施例的雙觸發型可控石圭整 流器的三維立體示意圖。圖4所示出的是根據本專利技術的第三實施例的雙觸發型可控石圭整 流器的三維立體示意圖。圖5所示出的是根據本專利技術的第四實施例的雙觸發型可控硅整 流器的三維立體示意圖。圖6所示出的是根據本專利技術的第五實施例的雙觸發型可控硅整 流器的三維立體示意圖。圖7所示出的是根據本專利技術的第六實施例的雙觸發型可控硅整 流器的三維立體示意圖。圖8所示出的是使用本專利技術所披露的雙觸發型可控石圭整流器作 為開關元件的電氣熔絲調整電-各。具體實施例方式在本說明書以及后續的權利要求范圍中4吏用了某些詞匯來指 稱特定的元件，而所屬^頁域普通^支術人員應該可以理解，硬件制造 商可能會用不同的名詞來稱呼同 一個元件，本說明書以及后續的斗又 利要求范圍并不以名稱的差異來作為區分元件的方式，而是以元4牛 在功能上的差異來作為區分的準則，在通篇說明書及后續的權利要 求項中所提及的包括，，是開放式的用語，所以應解釋成包括但 不限定于，此夕卜，耦接 一詞在此包括任何直接以及間接的電氣 連接手段，因此，如果文中描述第一裝置耦接于第二裝置，則代表 該第 一裝置可以直接電氣連接于該第二裝置，或通過其它裝置或連 接手段間接地電氣連4妻至該第二裝置。本專利技術涉及一種雙觸發型可控石圭整流器，并且本i兌明書將會舉 例說明關于應用本專利技術的雙觸發型可控硅整流器在電氣熔絲調整 電路中的實施例，但是相關
普通技術人員應該能了解到本 專利技術可以應用在其它各種類型的電^^結構中，而并不局限于以下的 i兌明中所l是供的特定實施例。參照圖2，圖2所示出的是4艮據本專利技術的第一實施例的雙觸發 型可控石圭整流器200的三維立體示意圖。如圖2所示，只又觸發型可 控硅整流器200包括P型半導體襯底202; N井(N-well) 204， 設置在P型半導體襯底202中；第一N +擴散區域206以及第一P +擴散區域208,設置在P型半導體襯底202內，用于作為雙觸發 型可控硅整流器200的陰極；第二N +擴散區域210以及第二P屮 擴散區域212,設置在N井204內，用于作為雙觸發型可控硅整流 器200的陽極；第三P +擴散區域214,設置在雙觸發型可控娃整 流器200的一側并且橫跨在部分的N井204以及P型半導體襯底 202之間；第三N +擴散區域216， i殳置在雙觸發型可控石圭整流器 200的另 一側并JU黃^爭在部分的N井204本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種雙觸發型可控硅整流器，包括：　半導體襯底；　井區，設置在所述半導體襯底中；　第一Ｎ＋擴散區域以及第一Ｐ＋擴散區域，設置在所述半導體襯底內，用于作為所述雙觸發型可控硅整流器的第一電極；　第二Ｎ＋擴散區域以及第二Ｐ＋擴散區域，設置在所述井區內，用于作為所述雙觸發型可控硅整流器的第二電極；　第三Ｐ＋擴散區域，設置在所述雙觸發型可控硅整流器的一側并且橫跨在部分的所述井區以及所述半導體襯底之間；　第三Ｎ＋擴散區域，設置在所述雙觸發型可控硅整流器的另一側并且橫跨在部分的所述井區以及所述半導體襯底之間；　第一柵極，設置在所述第二Ｐ＋擴散區域與所述第三Ｐ＋擴散區域之間的所述井區的表面上方，用于作為所述雙觸發型可控硅整流器的Ｐ型觸發點，以接收第一觸發電流或第一觸發電壓；以及　第二柵極，設置在所述第一Ｎ＋擴散區域與所述第三Ｎ＋擴散區域之間的所述半導體襯底的表面上方，用于作為所述雙觸發型可控硅整流器的Ｎ型觸發點，以接收第二觸發電流或第二觸發電壓。

【技術特征摘要】
1. 一種雙觸發型可控硅整流器，包括半導體襯底；井區，設置在所述半導體襯底中；第一N+擴散區域以及第一P+擴散區域，設置在所述半導體襯底內，用于作為所述雙觸發型可控硅整流器的第一電極；第二N+擴散區域以及第二P+擴散區域，設置在所述井區內，用于作為所述雙觸發型可控硅整流器的第二電極；第三P+擴散區域，設置在所述雙觸發型可控硅整流器的一側并且橫跨在部分的所述井區以及所述半導體襯底之間；第三N+擴散區域，設置在所述雙觸發型可控硅整流器的另一側并且橫跨在部分的所述井區以及所述半導體襯底之間；第一柵極，設置在所述第二P+擴散區域與所述第三P+擴散區域之間的所述井區的表面上方，用于作為所述雙觸發型可控硅整流器的P型觸發點，以接收第一觸發電流或第一觸發電壓；以及第二柵極，設置在所述第一N+擴散區域與所述第三N+擴散區域之間的所述半導體襯底的表面上方，用于作為所述雙觸發型可控硅整流器的N型觸發點，以接收第二觸發電流或第二觸發電壓。2. 根據權利要求1所述的雙觸發型可控硅整流器，其中，所述半 導體一于底是P型半導體4于底，以及所述井區是N井，并且所 述第一電才及是陰極，以及所述第二電極是陽極。3. 根據權利要求2所述的雙觸發型可控硅整流器，還包括第四N +擴散區域，設置在所述P型半導體襯底內，用 于作為所述雙觸發型可控硅整流器的所述陰極；以及第四P +擴散區域，設置在所述N井內，用于作為所述 雙觸發型可控;圭整流器的所述陽極。4. 才艮據4又利要求1所述的雙觸發型可控石圭整流器，其應用于電氣 ;溶絲調整電^各中。5. —種雙觸發型可控石圭整流器，包括半導體襯底；井區，設置在所述半導體襯底中；第一 N +擴散區域以及第一 P +擴散區域，設置在所述半 導體襯底內，用于作為所述雙觸發型可控硅整流器的第一電 極；第二N +擴散區域以及第二 P +擴散區域，設置在所迷井 區內，用于作為所述雙觸發型可控石圭整流器的第二電才及；第三P +擴散區域，設置在所述雙觸發型可控硅整流器的 一側并且橫跨在部分的所述井區以及所述半導體襯底之間；第三N +擴散區i或，設置在所述雙觸發型可控石圭整流器 的另 一側并且片黃^爭在部分的所述井區以及所述半導體邱于底之 間；第一柵極，設置在所述第一P +擴散區域與所述第三P十擴散區域之間的所述半導體襯底的表面上方，用于作為所述雙 觸發型可控硅整流器的P型觸發點，以接收第一觸發...

【專利技術屬性】
技術研發人員：洪根剛，
申請(專利權)人：瑞鼎科技股份有限公司，
類型：發明
國別省市：71[中國|臺灣]