【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及蝕刻液，具體公開了一種基于eds分析的蝕刻液調整方法。
技術介紹
1、現有技術中在銅金屬膜和透明導電膜疊層膜兼容蝕刻液開發時，很難根據銅金屬膜的蝕刻速率以及透明導電膜的蝕刻速率不同調整蝕刻液配方，這就導致蝕刻液的開發時間過長，開發成本巨大。
2、為了解決該本申請公開了一種基于eds分析的蝕刻液調整方法。
技術實現思路
1、為克服現有技術的不足，本專利技術公開了一種基于eds分析的蝕刻液調整方法
2、為實現上述目的，本專利技術通過以下技術方案實現：一種基于eds分析的蝕刻液調整方法，具體包括以下步驟，
3、第一步，選用蝕刻液，所述蝕刻液以重量百分比計包括：0.5-20wt％的三氯化鐵、1-40wt％的鹽酸及余量的水；
4、第二步，選用疊層膜，所述疊層膜從上至下依次包括有感光膠、金屬銅、透明導電膜及基板；
5、第三步，將第一步制作出的蝕刻液對第二步中的疊層膜進行蝕刻作業；
6、第四步，通過eds技術對無光刻膠掩膜處的特定元素及該特定元素含量進行分析，判斷出蝕刻程度及蝕刻速率進而對蝕刻液的各組分配比進行優化調整；
7、若要控制金屬銅的蝕刻速率，則通過降低或者提高三氯化鐵的含量；
8、若要控制透明導電膜的蝕刻速率，則通過降低或者提高鹽酸的含量。
9、進一步優選的是，所述蝕刻液中的三氯化鐵重量百分比為0.2-5wt％。
10、進一步優選的是，所述蝕刻液中的鹽酸
11、進一步優選的是，所述光刻膠為正膠或負膠中的一種。
12、進一步優選的是，所述金屬銅為10nm-300nm的pvd鍍膜的銅膜。
13、進一步優選的是，所述透明導電膜為ito、izo或者igzo中的一種氧化物透明導電膜。
14、進一步優選的是，所述透明導電膜的厚度為10nm-200nm。
15、進一步優選的是，所述基板為玻璃基板、硅基板或者碳化硅基板中的一種。
16、本專利技術實現以下有益效果：
17、通過eds技術對無光刻膠掩膜處的特定元素及該特定元素含量進行分析，判斷出蝕刻程度及蝕刻速率進而對蝕刻液的各組分配比進行優化調整；極大地縮短了蝕刻液的開發時間，并降低了開發成本，具有較高的經濟價值。
18、至于本專利技術的其它特征和優點將在隨后的說明書中闡述，并且部分地從說明書中變得顯而易見，或者通過實施本專利技術而了解。本專利技術的目的和其他優點可通過在說明書以及附圖中所指出的結構來實現和獲得。
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1.一種基于EDS分析的蝕刻液調整方法，其特征在于，具體包括以下步驟，
2.根據權利要求1所述的一種基于EDS分析的蝕刻液調整方法，其特征在于，所述蝕刻液中的三氯化鐵重量百分比為0.2-5wt％。
3.根據權利要求1所述的一種基于EDS分析的蝕刻液調整方法，其特征在于，所述蝕刻液中的鹽酸重量百分比為5-20wt％。
4.根據權利要求1所述的一種基于EDS分析的蝕刻液調整方法，其特征在于，所述光刻膠為正膠或負膠中的一種。
5.根據權利要求1所述的一種基于EDS分析的蝕刻液調整方法，其特征在于，所述金屬銅為10nm-300nm的PVD鍍膜的銅膜。
6.根據權利要求1所述的一種基于EDS分析的蝕刻液調整方法，其特征在于，所述透明導電膜為ITO、IZO或者IGZO中的一種氧化物透明導電膜。
7.根據權利要求6所述的一種基于EDS分析的蝕刻液調整方法，其特征在于，所述透明導電膜的厚度為10nm-200nm。
8.根據權利要求1所述的一種基于EDS分析的蝕刻液調整方法，特征在于，所述基板為玻璃基板、硅基板或者
...【技術特征摘要】
1.一種基于eds分析的蝕刻液調整方法，其特征在于，具體包括以下步驟，
2.根據權利要求1所述的一種基于eds分析的蝕刻液調整方法，其特征在于，所述蝕刻液中的三氯化鐵重量百分比為0.2-5wt％。
3.根據權利要求1所述的一種基于eds分析的蝕刻液調整方法，其特征在于，所述蝕刻液中的鹽酸重量百分比為5-20wt％。
4.根據權利要求1所述的一種基于eds分析的蝕刻液調整方法，其特征在于，所述光刻膠為正膠或負膠中的一種。
5.根據權利要求1所述的一種基于ed...
【專利技術屬性】
技術研發人員：皇甫俊，徐姍，劉永強，夏玉婷，馬敏峰，
申請(專利權)人：昆山晶科微電子材料有限公司，
類型：發明
國別省市：
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