【技術實現步驟摘要】
本公開中呈現的實施例涉及半導體器件領域。更具體地，本文中公開的實施例涉及用于在半導體器件的制造期間進行旋涂的技術。
技術介紹
1、半導體器件在電功率的控制中得到廣泛應用，范圍從調光器電動馬達速度控制到高壓直流功率傳輸。例如，晶閘管用于交流(alternating?current，ac)功率控制應用。晶閘管可以作為電功率開關操作，因為晶閘管的特征在于能夠從非導電狀態快速切換到導電狀態。在操作中，晶閘管導通，從高阻抗狀態切換到低阻抗狀態。這通過在柵極和陰極之間施加電壓以及使電流從柵極行進到陰極來實現。
技術實現思路
1、本公開中呈現的一個實施例提供了一種用于旋涂的裝置。該裝置包括與內壁、分隔壁和外壁中的每一個耦合的基部。該裝置還包括內壁，其基本上圍繞著卡盤(chuck)的轉動軸線。該卡盤適于在涂覆操作期間保持晶片并使其轉動，其中涂覆材料被分配到晶片上。該裝置還包括分隔壁，其基本上圍繞著內壁。該分隔壁至少部分地將裝置的內部劃分成液體室和氣體室。該裝置還包括外壁，其基本上圍繞著分隔壁。
2、該裝置還包括與內壁但不與分隔壁耦合的分隔蓋。該分隔蓋基本上圍繞著卡盤的轉動軸線。該分隔蓋具有頂面和底面。頂面是至少部分凸起的，而底面是至少部分凹陷的。該分隔蓋適于使多余涂覆材料轉向以流過分隔壁并流入液體室中。分隔蓋和分隔壁適于在涂覆操作期間保持氣體室基本上沒有多余涂覆材料。
3、另一個實施例提供了一種旋涂器(spin?coater)。該旋涂器包括適于在涂覆操作期間保持并轉動晶片的
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1.一種旋涂器，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的旋涂器，其特征在于，所述分隔蓋包括第一分隔蓋，其中至少部分凹凸的所述第一分隔蓋是要至少相對于至少部分平凸的第二分隔蓋降低多余涂覆材料在所述集水池中的沉積速率，其中所述第二分隔蓋比所述第一分隔蓋是更小凹凸且更大平凸的。
3.根據權利要求2所述的旋涂器，其特征在于，所述集水池包括：
4.根據權利要求3所述的旋涂器，其特征在于，所述分隔蓋與所述內壁耦合但不與所述分隔壁耦合，所述分隔蓋實質上圍繞著所述卡盤的轉動軸線，所述分隔蓋具有頂面和底面，所述頂面是至少部分凸起的，所述底面是至少部分凹陷的。
5.根據權利要求4所述的旋涂器，其特征在于，所述分隔蓋適于使多余涂覆材料轉向以流過所述分隔壁并流入所述液體室中，并且其中所述分隔蓋和所述分隔壁適于在所述涂覆操作期間保持所述氣體室實質上沒有所述多余涂覆材料。
6.根據權利要求3所述的旋涂器，其特征在于，所述基部限定了用于所述液體室的液體出口，并且還限定了用于所述氣體室的氣體出口，其中所述外蓋限定了包括液體入口或氣體入口的入口；p>
7.根據權利要求6所述的旋涂器，其特征在于，所述多余涂覆材料和用于其的溶劑中的每個經由所述液體出口至少基本上從所述集水池排出，其中所述多余涂覆材料包括聚合物，所述聚合物包括未暴露的光致抗蝕劑，并且其中所述溶劑包括二甲苯。
8.根據權利要求3所述的旋涂器，其特征在于，所述分隔蓋具有厚度測度為：使得需要清洗或更換所述集水池的頻率小于在所述旋涂器中使用所述集水池每四千次涂覆操作一次。
9.根據權利要求1所述的旋涂器，其特征在于，所述涂覆操作是用以在所述晶片上形成多個半導體器件的工藝的一部分，所述多個半導體器件包括晶閘管或二極管。
...【技術特征摘要】
1.一種旋涂器，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的旋涂器，其特征在于，所述分隔蓋包括第一分隔蓋，其中至少部分凹凸的所述第一分隔蓋是要至少相對于至少部分平凸的第二分隔蓋降低多余涂覆材料在所述集水池中的沉積速率，其中所述第二分隔蓋比所述第一分隔蓋是更小凹凸且更大平凸的。
3.根據權利要求2所述的旋涂器，其特征在于，所述集水池包括：
4.根據權利要求3所述的旋涂器，其特征在于，所述分隔蓋與所述內壁耦合但不與所述分隔壁耦合，所述分隔蓋實質上圍繞著所述卡盤的轉動軸線，所述分隔蓋具有頂面和底面，所述頂面是至少部分凸起的，所述底面是至少部分凹陷的。
5.根據權利要求4所述的旋涂器，其特征在于，所述分隔蓋適于使多余涂覆材料轉向以流過所述分隔壁并流入所述液體室中，并且其中所述分隔蓋和所述分隔壁適于在所述涂覆操作期間保持所述氣體室...
【專利技術屬性】
技術研發人員：顧軍，劉勇，曹銘，
申請(專利權)人：力特半導體無錫有限公司，
類型：新型
國別省市：
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