【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及半導體制造，尤其涉及一種版圖及其布局布線方法、半導體結構的形成方法。
技術介紹
1、隨著工藝節點的不斷縮小，標準單元變得更小，單元數量急劇增加，芯片設計中的引腳數量變得十分龐大，但布線軌道卻變得非常有限，因此，布線過程需要滿足的設計規則(例如金屬和通孔之間的相對距離)變得越來越復雜，使得引腳可達性(pinaccessibility)成為后端物理設計中最具挑戰性的難題之一。
2、在數字集成電路設計流程進行到后期時，綜合網表及布局布線(pr)網表均已生成，這時芯片局部區域的功能或者時序無法滿足設計需求，如若對網表進行重新綜合或者布局布線，既費時又費力，因此可以通過工程變更命令(eco)對綜合網表和pr網表按需進行小范圍的修改，利用備用單元在不重新布局布線的情況下手工刪減或添加連線來更新版圖。
3、使用電子設計自動化(electronic?design?automation，eda)工具設計實現系統對模塊或芯片進行自動布局布線后，會產生相當數量的設計規則檢查(design?rulecheck，drc)違規，尤其是在先進技術節點下，相應的設計規則變得愈加復雜，布局和布線的限制條件也隨之增多，在流片(tape?out)前清除全部drc違規是數字芯片設計中不可或缺的必要環節。
4、然而，現有修正版圖中drc違規的方法仍存在諸多問題。
技術實現思路
1、本專利技術解決的技術問題是提供一種版圖及其布局布線方法、半導體結構的形成方法，在修正版圖中dr
2、為解決上述問題，本專利技術的技術方案提供一種版圖的布局布線方法，包括：提供初始版圖，所述初始版圖包括沿第一方向排布且連接的第一標準單元和第二標準單元，所述第一標準單元包括沿所述第一方向排布且相鄰的第一金屬線和第二金屬線，所述第一金屬線的長度尺寸和所述第二金屬線的長度尺寸大于最小長度尺寸，所述第一金屬線和所述第二金屬線沿所述第一方向的間距尺寸小于設計規則尺寸，所述第二金屬線靠近所述第二標準單元；在所述第一標準單元和所述第二標準單元之間沿所述第一方向上形成修正間距；在所述修正間距內插入備用標準單元，所述備用標準單元分別與所述第一標準單元和所述第二標準單元連接；移動所述第二金屬線，直至所述第一金屬線和所述第二金屬線沿所述第一方向的間距尺寸大于設計規則尺寸為止，以使所述初始版圖形成所述版圖。
3、可選的，所述備用標準單元包括：eco標準單元。
4、可選的，在所述初始版圖中，所述第二標準單元包括，第三金屬線，所述第三金屬線與所述第二金屬線沿所述第一方向排布且相鄰，所述第二金屬線和所述第三金屬線沿所述第一方向的間距尺寸大于設計規則尺寸。
5、可選的，在所述版圖中，所述第二金屬線和所述第三金屬線沿所述第一方向的間距尺寸大于設計規則尺寸。
6、可選的，所述修正間距的形成方法包括：平移所述第一標準單元和所述第二標準單元，以使所述第一標準單元和所述第二標準單元之間沿所述第一方向上形成所述修正間距。
7、可選的，移動所述第二金屬線的方法包括：沿所述第一方向平移所述第二金屬線，直至所述第一金屬線和所述第二金屬線沿所述第一方向的間距尺寸大于設計規則尺寸為止。
8、相應的，本專利技術技術方案中還提供一種版圖，包括：第一標準單元，所述第一標準單元包括沿第一方向排布且相鄰的第一金屬線和第二金屬線，所述第一金屬線的長度尺寸和所述第二金屬線的長度尺寸大于最小長度尺寸，所述第一金屬線和所述第二金屬線沿所述第一方向的間距尺寸大于設計規則尺寸；第二標準單元，所述第二標準單元與所述第一標準單元沿所述第一方向排布，所述第二金屬線靠近所述第二標準單元，所述第一標準單元和所述第二標準單元之間沿所述第一方向上具有修正間距；位于所述修正間距內的備用標準單元，所述備用標準單元分別與所述第一標準單元和所述第二標準單元連接。
9、可選的，所述備用標準單元包括：eco標準單元。
10、可選的，所述第二標準單元包括：第三金屬線，所述第三金屬線與所述第二金屬線沿所述第一方向排布且相鄰，所述第二金屬線和所述第三金屬線沿所述第一方向的間距尺寸大于設計規則尺寸。
11、相應的，本專利技術技術方案中還提供一種半導體結構的形成方法，包括：提供版圖，所述版圖包括：第一標準單元，所述第一標準單元包括沿第一方向排布且相鄰的第一金屬線和第二金屬線，所述第一金屬線的長度尺寸和所述第二金屬線的長度尺寸大于最小長度尺寸，所述第一金屬線和所述第二金屬線沿所述第一方向的間距尺寸大于設計規則尺寸；第二標準單元，所述第二標準單元與所述第一標準單元沿所述第一方向排布，所述第二金屬線靠近所述第二標準單元，所述第一標準單元和所述第二標準單元之間沿所述第一方向上具有修正間距；位于所述修正間距內的備用標準單元，所述備用標準單元分別與所述第一標準單元和所述第二標準單元連接；根據所述版圖形成所述半導體結構。
12、與現有技術相比，本專利技術的技術方案具有以下優點：
13、本專利技術技術方案的版圖的布局布線方法中，通過將備用標準單元插入所述第一標準單元和所述第二標準單元之間，為所述第二標準單元中所述第二金屬線的移動提供空間，進而能夠有效清除所述版圖中的drc違規。另外，由于所述備用標準單元是所述版圖布局中必不可少的部分，因此采用所述備用標準單元清除所述版圖中的drc違規，避免額外增加空白單元清除所述版圖中的drc違規，有效減少所述版圖的面積。
14、本專利技術技術方案的版圖中，通過位于所述第一標準單元和所述第二標準單元之間的所述備用標準單元，能夠有效清除所述版圖中的drc違規。另外，由于所述備用標準單元是所述版圖布局中必不可少的部分，因此采用所述備用標準單元清除所述版圖中的drc違規，避免額外增加空白單元清除所述版圖中的drc違規，有效減少所述版圖的面積。
15、本專利技術技術方案的半導體結構的形成方法中，通過將備用標準單元插入所述第一標準單元和所述第二標準單元之間，為所述第二標準單元中所述第二金屬線的移動提供空間，進而能夠有效清除所述版圖中的drc違規。另外，由于所述備用標準單元是所述版圖布局中必不可少的部分，因此采用所述備用標準單元清除所述版圖中的drc違規，避免額外增加空白單元清除所述版圖中的drc違規，有效減少所述版圖的面積。由所述版圖為基礎形成所述半導體結構，能夠有效減少芯片的面積。
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1.一種版圖的布局布線方法，其特征在于，包括：
2.如權利要求1所述的版圖的布局布線方法，其特征在于，所述備用標準單元包括：ECO標準單元。
3.如權利要求1所述的版圖的布局布線方法，其特征在于，在所述初始版圖中，所述第二標準單元包括，第三金屬線，所述第三金屬線與所述第二金屬線沿所述第一方向排布且相鄰，所述第二金屬線和所述第三金屬線沿所述第一方向的間距尺寸大于設計規則尺寸。
4.如權利要求3所述的版圖的布局布線方法，其特征在于，在所述版圖中，所述第二金屬線和所述第三金屬線沿所述第一方向的間距尺寸大于設計規則尺寸。
5.如權利要求1所述的版圖的布局布線方法，其特征在于，所述修正間距的形成方法包括：平移所述第一標準單元和所述第二標準單元，以使所述第一標準單元和所述第二標準單元之間沿所述第一方向上形成所述修正間距。
6.如權利要求1所述的版圖的布局布線方法，其特征在于，移動所述第二金屬線的方法包括：沿所述第一方向平移所述第二金屬線，直至所述第一金屬線和所述第二金屬線沿所述第一方向的間距尺寸大于設計規則尺寸為止。
7
8.如權利要求7所述的版圖，其特征在于，所述備用標準單元包括：ECO標準單元。
9.如權利要求7所述的版圖，其特征在于，所述第二標準單元包括：第三金屬線，所述第三金屬線與所述第二金屬線沿所述第一方向排布且相鄰，所述第二金屬線和所述第三金屬線沿所述第一方向的間距尺寸大于設計規則尺寸。
10.一種半導體結構的形成方法，其特征在于，包括：
...【技術特征摘要】
1.一種版圖的布局布線方法，其特征在于，包括：
2.如權利要求1所述的版圖的布局布線方法，其特征在于，所述備用標準單元包括：eco標準單元。
3.如權利要求1所述的版圖的布局布線方法，其特征在于，在所述初始版圖中，所述第二標準單元包括，第三金屬線，所述第三金屬線與所述第二金屬線沿所述第一方向排布且相鄰，所述第二金屬線和所述第三金屬線沿所述第一方向的間距尺寸大于設計規則尺寸。
4.如權利要求3所述的版圖的布局布線方法，其特征在于，在所述版圖中，所述第二金屬線和所述第三金屬線沿所述第一方向的間距尺寸大于設計規則尺寸。
5.如權利要求1所述的版圖的布局布線方法，其特征在于，所述修正間距的形成方法包括：平移所述第一標準單元和所述第二標準單元，以使所述...
【專利技術屬性】
技術研發人員：于海洋，蔡燕飛，郁揚，錢茂程，郭文杰，
申請(專利權)人：中芯國際集成電路制造上海有限公司，
類型：發明
國別省市：
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