【技術實現步驟摘要】
本專利技術屬于半導體器件，具體涉及一種具有n型低阻歐姆接觸結構的深紫外led芯片。
技術介紹
1、深紫外光在殺菌消毒、醫療健康、生化檢測、固化加工、工業除污等眾多領域有著巨大的應用價值。近幾年，隨著新型冠狀病毒(covid-19)的爆發，可直接用于殺菌消毒的深紫外光源變得越發重要。algan基深紫外發光二極管(led)有著綠色環保、波長易調、響應速度快、易于集成、壽命長等眾多優點，具有重要應用價值以及良好的經濟和社會效益，吸引了國內外眾多研究機構和產業界的高度重視。
2、目前，深紫外led的外延結構主要由高al組分的algan材料組成，對于高al組分的n型algan材料，雖然其載流子濃度比高al組分的p型algan材料高一個數量級，但與gan相比，仍然存在摻雜困難的問題。由于algan材料禁帶寬度大，晶體質量較差，要使n型歐姆接觸電極具有低阻特性更加困難，從而容易形成“電流擁堵”。并且n型歐姆接觸電極的制備對工藝要求也較高。因此實現在高al含量algan材料下制備低阻n型歐姆接觸電極，使得深紫外led芯片工作電壓降低，是提高紫外外延芯片光電轉換效率的關鍵步驟之一。
3、公開于該
技術介紹
部分的信息僅僅旨在增加對本專利技術的總體背景的理解，而不應當被視為承認或以任何形式暗示該信息構成已為本領域一般技術人員所公知的現有技術。
技術實現思路
1、本專利技術的目的在于提供一種具有n型低阻歐姆接觸結構的深紫外led芯片，其能夠降低n型歐姆接觸的金半接觸電阻，從而降低深紫
2、為了實現上述目的，本專利技術一具體實施例提供了一種具有n型低阻歐姆接觸結構的深紫外led芯片，包括：
3、外延結構，所述外延結構至少包括第一導電半導體層、有源層、第二導電半導體層，所述第一導電半導體層、有源層、第二導電半導體層屬于algan基半導體層，所述第一導電半導體層是n型摻雜層；
4、第一電極層，所述第一電極層包括algan納米層和金屬電極；
5、所述algan納米層設置于所述第一導電半導體層上，所述algan納米層的al組分高于所述第一導電半導體層中的al組分；
6、所述金屬電極設置于所述algan納米層上，所述algan納米層內形成有納米孔洞結構，所述金屬電極包括設置在所述納米孔洞結構內的第一金屬納米量子點結構。
7、在本專利技術的一個或多個實施例中，所述algan納米層中的al組分在遠離所述第一導電半導體層的方向上增加，所述algan納米層中的al組分范圍為0.5～0.8。
8、在本專利技術的一個或多個實施例中，所述algan納米層的厚度為1nm～20nm。
9、在本專利技術的一個或多個實施例中，所述第一金屬納米量子點結構的橫向尺寸為1nm～30nm，縱向尺寸為1nm～20nm。
10、在本專利技術的一個或多個實施例中，所述金屬電極還包括設置在所述algan納米層和第一金屬納米量子點結構上的多個金屬層，所述多個金屬層中的至少一個金屬層設置成金屬納米量子點結構。
11、在本專利技術的一個或多個實施例中，所述多個金屬層至少包括一個金屬反射層，所述金屬反射層被設置為平面層。
12、在本專利技術的一個或多個實施例中，所述金屬反射層設置在所述algan納米層與第一金屬納米量子點結構上，所述多個金屬層還包括第二金屬層和第三金屬層，所述第二金屬層和第三金屬層設置在所述金屬反射層上，所述第二金屬層或第三金屬層至少一個為金屬納米量子點結構。
13、在本專利技術的一個或多個實施例中，所述第二金屬層為金屬納米量子點結構，所述第三金屬層覆蓋在所述第二金屬層上，且高度與所述第二金屬層齊平或高于所述第二金屬層。
14、在本專利技術的一個或多個實施例中，所述金屬納米量子點結構的橫向尺寸為1nm～30nm，縱向尺寸為1nm～20nm。
15、在本專利技術的一個或多個實施例中，所述第一金屬納米量子點結構的材料為ti，所述金屬反射層的材料為al或ag，所述第二金屬層的材料為ni或au中的其一，所述第三金屬層的材料為ni或au中的其一。
16、與現有技術相比，本專利技術的n型低阻歐姆接觸結構的深紫外led芯片，通過制備金屬納米量子點結構，減小了金屬電極功函數；再通過在第一導電半導體層上設置al組分增加的algan納米層，增加半導體功函數，使金屬納米量子點結構與algan納米層之間形成低接觸電阻，從而降低深紫外led芯片的工作電壓。
17、本專利技術的n型低阻歐姆接觸結構的深紫外led芯片，通過設置al組分遞增的algan納米層，產生極化感應效應，增加界面載流子，增加電流橫向擴展，進一步降低接觸電阻，從而降低工作電壓。
本文檔來自技高網...【技術保護點】
1.一種具有n型低阻歐姆接觸結構的深紫外LED芯片，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的具有n型低阻歐姆接觸結構的深紫外LED芯片，其特征在于，所述AlGaN納米層中的Al組分在遠離所述第一導電半導體層的方向上增加，所述AlGaN納米層中的Al組分范圍為0.5～0.8。
3.根據權利要求1所述的具有n型低阻歐姆接觸結構的深紫外LED芯片，其特征在于，所述AlGaN納米層的厚度為1nm～20nm。
4.根據權利要求1所述的具有n型低阻歐姆接觸結構的深紫外LED芯片，其特征在于，所述第一金屬納米量子點結構的橫向尺寸為1nm～30nm，縱向尺寸為1nm～20nm。
5.根據權利要求1所述的具有n型低阻歐姆接觸結構的深紫外LED芯片，其特征在于，所述金屬電極還包括設置在所述AlGaN納米層和第一金屬納米量子點結構上的多個金屬層，所述多個金屬層中的至少一個金屬層設置成金屬納米量子點結構。
6.根據權利要求5所述的具有n型低阻歐姆接觸結構的深紫外LED芯片，其特征在于，所述多個金屬層至少包括一個金屬反射層，所述金屬反射層被設
7.根據權利要求6所述的具有n型低阻歐姆接觸結構的深紫外LED芯片，其特征在于，所述金屬反射層設置在所述AlGaN納米層與第一金屬納米量子點結構上，所述多個金屬層還包括第二金屬層和第三金屬層，所述第二金屬層和第三金屬層設置在所述金屬反射層上，所述第二金屬層或第三金屬層至少一個為金屬納米量子點結構。
8.根據權利要求7所述的具有n型低阻歐姆接觸結構的深紫外LED芯片，其特征在于，所述第二金屬層為金屬納米量子點結構，所述第三金屬層覆蓋在所述第二金屬層上，且高度與所述第二金屬層齊平或高于所述第二金屬層。
9.根據權利要求5所述的具有n型低阻歐姆接觸結構的深紫外LED芯片，其特征在于，所述金屬納米量子點結構的橫向尺寸為1nm～30nm，縱向尺寸為1nm～20nm。
10.根據權利要求6-8任一項所述的具有n型低阻歐姆接觸結構的深紫外LED芯片，其特征在于，所述第一金屬納米量子點結構的材料為Ti，所述金屬反射層的材料為Al或Ag，所述第二金屬層的材料為Ni或Au中的其一，所述第三金屬層的材料為Ni或Au中的其一。
...【技術特征摘要】
1.一種具有n型低阻歐姆接觸結構的深紫外led芯片，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的具有n型低阻歐姆接觸結構的深紫外led芯片，其特征在于，所述algan納米層中的al組分在遠離所述第一導電半導體層的方向上增加，所述algan納米層中的al組分范圍為0.5～0.8。
3.根據權利要求1所述的具有n型低阻歐姆接觸結構的深紫外led芯片，其特征在于，所述algan納米層的厚度為1nm～20nm。
4.根據權利要求1所述的具有n型低阻歐姆接觸結構的深紫外led芯片，其特征在于，所述第一金屬納米量子點結構的橫向尺寸為1nm～30nm，縱向尺寸為1nm～20nm。
5.根據權利要求1所述的具有n型低阻歐姆接觸結構的深紫外led芯片，其特征在于，所述金屬電極還包括設置在所述algan納米層和第一金屬納米量子點結構上的多個金屬層，所述多個金屬層中的至少一個金屬層設置成金屬納米量子點結構。
6.根據權利要求5所述的具有n型低阻歐姆接觸結構的深紫外led芯片，其特征在于，所述多個金屬層至少包括一個金屬反射層，所述金屬反...
【專利技術屬性】
技術研發人員：唐唯卿，魏永強，許奇明，沈雁偉，
申請(專利權)人：蘇州立琻半導體有限公司，
類型：發明
國別省市：
還沒有人留言評論。發表了對其他瀏覽者有用的留言會獲得科技券。