【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及lvds接收電路，特別是涉及一種防過沖的lvds接收電路。
技術介紹
1、低電壓差分信號傳輸(lvds：low-voltagedifferentialsignaling)它采用極低的電壓擺幅高速差動傳輸數據，可以實現點對點或一點對多點的連接，具有低功耗、低誤碼率、低串擾和低輻射等優點，已經被廣泛應用于串行高速數據通信場景，例如高速背板、電纜和電路板間數據傳輸與時鐘分配，以及單個電路板內的通信鏈路。現有的傳統lvds接收電路存在毛刺的問題。因此，設計一種防過沖的lvds接收電路是十分有必要的。
技術實現思路
1、本專利技術的目的是提供一種防過沖的lvds接收電路，能夠實現lvds接收電路優化，便于使用。
2、為實現上述目的，本專利技術提供了如下方案：
3、一種防過沖的lvds接收電路，包括：電源vsubp、電源vsubn、新型p輸入放大管、新型n輸入放大管，所述電源vsubp分別連接兩個新型p輸入放大管的subp端，所述電源vsubn分別連接兩個新型n輸入放大管的subn端，且所述新型p輸入放大管的outn端與同側對應的新型n輸入放大管outp端相連接；
4、所述新型n輸入放大管包括第一n型mos管、第一柵極驅動模塊、第一襯底驅動模塊及第一電荷平衡模塊，所述第一n型mos管的源極為subn端，漏極為outn端，所述第一n型mos管的柵極連接所述第一柵極驅動模塊，所述第一n型mos管的襯底連接第一襯底驅動模塊，所述第一n型mos管的柵極
5、所述新型p輸入放大管包括第一p型mos管、第二柵極驅動模塊、第二襯底驅動模塊及第二電荷平衡模塊，所述第一p型mos管的源極為subp端，漏極為outp端，所述第一p型mos管的柵極連接所述第二柵極驅動模塊，所述第一p型mos管的襯底連接第二襯底驅動模塊，所述第一p型mos管的柵極及襯底之間連接所述第二電荷平衡模塊。
6、優選地，所述第一柵極驅動模塊包括反相器inv0及第二n型mos管，所述反相器inv0的輸入端為inn端，所述反相器inv0的輸出端連接所述第二n型mos管的源極，所述第二n型mos管的襯底接地，柵極為va端，漏極連接所述第一n型mos管的柵極。
7、優選地，所述的防過沖的lvds接收電路，所述第一柵極驅動模塊包括反相器inv0、第二n型mos管及第二p型mos管，所述反相器inv0的輸入端為inn端，所述反相器inv0的輸出端連接所述第二n型mos管的源極及第二p型mos管的源極，所述第二n型mos管及第二p型mos管的襯底接地，所述第二n型mos管的柵極為va端，所述第二p型mos管的柵極為vb端，所述第二n型mos管及第二p型mos管的漏極連接所述第一n型mos管的柵極。
8、優選地，所述第二柵極驅動模塊包括反相器inv0及第三p型mos管，所述反相器inv0的輸入端為inn端，所述反相器inv0的輸出端連接所述第三p型mos管的漏極，所述第三p型mos管的襯底接地，柵極為va2端，源極連接所述第一p型mos管的柵極。
9、優選地，所述第二柵極驅動模塊包括反相器inv0、第三n型mos管及第三p型mos管，所述反相器inv0的輸入端為inn端，所述反相器inv0的輸出端連接所述第三n型mos管的源極及第三p型mos管的源極，所述第三n型mos管及第三p型mos管的襯底接地，所述第三n型mos管的柵極為va2端，所述第三p型mos管的柵極為vb2端，所述第三n型mos管及第三p型mos管的漏極連接所述第一p型mos管的柵極。
10、優選地，所述第一電荷平衡模塊包括第四n型mos管，所述第四n型mos管的源極連接所述第一n型mos管的柵極，所述第四n型mos管的柵極為vb端，所述第四n型mos管的襯底接地，所述第四n型mos管的漏極連接所述第一n型mos管的襯底；
11、第二電荷平衡模塊包括第五p型mos管，所述第五p型mos管的漏極連接所述第一p型mos管的柵極，所述第五p型mos管的襯底接地，所述第五p型mos管的柵極為vb2端，所述第五p型mos管的源極連接所述第一p型mos管的襯底。
12、優選地，所述第一電荷平衡模塊包括第四n型mos管及第四p型mos管，所述第四n型mos管的源極及第四p型mos管的源極連接所述第一n型mos管的柵極，所述第四n型mos管的柵極為vb端，所述第四p型mos管的柵極為va端，所述第四n型mos管及第四p型mos管的襯底接地，所述第四n型mos管及第四p型mos管的漏極連接所述第一n型mos管的襯底；
13、所述第二電荷平衡模塊包括第五p型mos管及第五n型mos管，所述第五p型mos管及第五n型mos管的源極連接所述第一p型mos管的柵極，所述第五n型mos管及第五p型mos管的漏極連接所述第一p型mos管的襯底，所述第五n型mos管的柵極為vb2端，所述第五p型mos管的柵極為va2端，所述第五n型mos管及第五p型mos管的襯底均接地。
14、優選地，所述第一襯底驅動模塊包括反相器inv1、反相器inv2及第六n型mos管，所述反相器inv1的輸入端為inn端，所述反相器inv1的輸出端連接所述反相器inv2的輸入端，所述反相器inv2的輸出端連接所述第六n型mos管的漏極，所述第六n型mos管的源極連接所述第一n型mos管的襯底，所述第六n型mos管的柵極為vc端，所述第六n型mos管的襯底接地；
15、所述第二襯底驅動模塊包括反相器inv1、反相器inv2及第七p型mos管，所述反相器inv1的輸入端為inn端，所述反相器inv1的輸出端連接所述反相器inv2的輸入端，所述反相器inv2的輸出端連接所述第七p型mos管的源極，所述第七p型mos管的漏極連接所述第一p型mos管的襯底，所述第七p型mos管的柵極為vc2端，所述第七p型mos管的襯底接地。
16、優選地，所述第一襯底驅動模塊包括反相器inv1、反相器inv2、第六n型mos管及第六p型mos管，所述反相器inv1的輸入端為inn端，所述反相器inv1的輸出端連接所述反相器inv2的輸入端，所述反相器inv2的輸出端連接所述第六n型mos管及第六p型mos管的漏極，所述第六n型mos管及第六p型mos管的源極連接所述第一n型mos管的襯底，所述第六n型mos管的柵極為vc端，所述第六n型mos管的襯底接地，所述第六p型mos管的柵極為vb端，所述第六p型mos管的襯底接地。
17、優選地，所述第二襯底驅動模塊包括反相器inv1、反相器inv2、第七n型mos管及第七p型mos管，所述反相器inv1的輸入端為inn端，所述反相器inv1的輸出端連接所述反相器inv2的輸入端，所述反相器inv2的輸出端連接所述第七n型mos管及第七p型mos管的漏極，所述第七n型mos管及第七p型mos管的源極連接所述第一p型mos管的襯底，所本文檔來自技高網...
【技術保護點】
1.一種防過沖的LVDS接收電路，其特征在于，包括：電源Vsubp、電源Vsubn、新型P輸入放大管、新型N輸入放大管，所述電源Vsubp分別連接兩個新型P輸入放大管的Subp端，所述電源Vsubn分別連接兩個新型N輸入放大管的Subn端，且所述新型P輸入放大管的Outn端與同側對應的新型N輸入放大管Outp端相連接；
2.根據權利要求1所述的防過沖的LVDS接收電路，其特征在于，所述第一柵極驅動模塊包括反相器INV0及第二N型mos管，所述反相器INV0的輸入端為INN端，所述反相器INV0的輸出端連接所述第二N型mos管的源極，所述第二N型mos管的襯底接地，柵極為VA端，漏極連接所述第一N型mos管的柵極。
3.根據權利要求1所述的防過沖的LVDS接收電路，其特征在于，所述第一柵極驅動模塊包括反相器INV0、第二N型mos管及第二P型mos管，所述反相器INV0的輸入端為INN端，所述反相器INV0的輸出端連接所述第二N型mos管的源極及第二P型mos管的源極，所述第二N型mos管及第二P型mos管的襯底接地，所述第二N型mos管的柵極為VA端，所述
4.根據權利要求3所述的防過沖的LVDS接收電路，其特征在于，所述第二柵極驅動模塊包括反相器INV0及第三P型mos管，所述反相器INV0的輸入端為INN端，所述反相器INV0的輸出端連接所述第三P型mos管的漏極，所述第三P型mos管的襯底接地，柵極為VA2端，源極連接所述第一P型mos管的柵極。
5.根據權利要求1所述的防過沖的LVDS接收電路，其特征在于，所述第二柵極驅動模塊包括反相器INV0、第三N型mos管及第三P型mos管，所述反相器INV0的輸入端為INN端，所述反相器INV0的輸出端連接所述第三N型mos管的源極及第三P型mos管的源極，所述第三N型mos管及第三P型mos管的襯底接地，所述第三N型mos管的柵極為VA2端，所述第三P型mos管的柵極為VB2端，所述第三N型mos管及第三P型mos管的漏極連接所述第一P型mos管的柵極。
6.根據權利要求1所述的防過沖的LVDS接收電路，其特征在于，所述第一電荷平衡模塊包括第四N型mos管，所述第四N型mos管的源極連接所述第一N型mos管的柵極，所述第四N型mos管的柵極為VB端，所述第四N型mos管的襯底接地，所述第四N型mos管的漏極連接所述第一N型mos管的襯底；
7.根據權利要求1所述的防過沖的LVDS接收電路，其特征在于，所述第一電荷平衡模塊包括第四N型mos管及第四P型mos管，所述第四N型mos管的源極及第四P型mos管的源極連接所述第一N型mos管的柵極，所述第四N型mos管的柵極為VB端，所述第四P型mos管的柵極為VA端，所述第四N型mos管及第四P型mos管的襯底接地，所述第四N型mos管及第四P型mos管的漏極連接所述第一N型mos管的襯底；
8.根據權利要求1所述的防過沖的LVDS接收電路，其特征在于，所述第一襯底驅動模塊包括反相器INV1、反相器INV2及第六N型mos管，所述反相器INV1的輸入端為INN端，所述反相器INV1的輸出端連接所述反相器INV2的輸入端，所述反相器INV2的輸出端連接所述第六N型mos管的漏極，所述第六N型mos管的源極連接所述第一N型mos管的襯底，所述第六N型mos管的柵極為VC端，所述第六N型mos管的襯底接地；
9.根據權利要求1所述的防過沖的LVDS接收電路，其特征在于，所述第一襯底驅動模塊包括反相器INV1、反相器INV2、第六N型mos管及第六P型mos管，所述反相器INV1的輸入端為INN端，所述反相器INV1的輸出端連接所述反相器INV2的輸入端，所述反相器INV2的輸出端連接所述第六N型mos管及第六P型mos管的漏極，所述第六N型mos管及第六P型mos管的源極連接所述第一N型mos管的襯底，所述第六N型mos管的柵極為VC端，所述第六N型mos管的襯底接地，所述第六P型mos管的柵極為VB端，所述第六P型mos管的襯底接地。
10.根據權利要求1所述的防過沖的LVDS接收電路，其特征在于，所述第二襯底驅動模塊包括反相器INV1、反相器INV2、第七N型mos管及第七P型mos管，所述反相器INV1的輸入端為INN端，所述反相器INV1的輸出端連接所述反相器INV2的輸入端，所述反相器INV2的輸出端連接所述第七N型mos管及第七P型mos管的漏極，所述第七N型mos管及第七P型mos管的源極連接所述第一P型m...
【技術特征摘要】
1.一種防過沖的lvds接收電路，其特征在于，包括：電源vsubp、電源vsubn、新型p輸入放大管、新型n輸入放大管，所述電源vsubp分別連接兩個新型p輸入放大管的subp端，所述電源vsubn分別連接兩個新型n輸入放大管的subn端，且所述新型p輸入放大管的outn端與同側對應的新型n輸入放大管outp端相連接；
2.根據權利要求1所述的防過沖的lvds接收電路，其特征在于，所述第一柵極驅動模塊包括反相器inv0及第二n型mos管，所述反相器inv0的輸入端為inn端，所述反相器inv0的輸出端連接所述第二n型mos管的源極，所述第二n型mos管的襯底接地，柵極為va端，漏極連接所述第一n型mos管的柵極。
3.根據權利要求1所述的防過沖的lvds接收電路，其特征在于，所述第一柵極驅動模塊包括反相器inv0、第二n型mos管及第二p型mos管，所述反相器inv0的輸入端為inn端，所述反相器inv0的輸出端連接所述第二n型mos管的源極及第二p型mos管的源極，所述第二n型mos管及第二p型mos管的襯底接地，所述第二n型mos管的柵極為va端，所述第二p型mos管的柵極為vb端，所述第二n型mos管及第二p型mos管的漏極連接所述第一n型mos管的柵極。
4.根據權利要求3所述的防過沖的lvds接收電路，其特征在于，所述第二柵極驅動模塊包括反相器inv0及第三p型mos管，所述反相器inv0的輸入端為inn端，所述反相器inv0的輸出端連接所述第三p型mos管的漏極，所述第三p型mos管的襯底接地，柵極為va2端，源極連接所述第一p型mos管的柵極。
5.根據權利要求1所述的防過沖的lvds接收電路，其特征在于，所述第二柵極驅動模塊包括反相器inv0、第三n型mos管及第三p型mos管，所述反相器inv0的輸入端為inn端，所述反相器inv0的輸出端連接所述第三n型mos管的源極及第三p型mos管的源極，所述第三n型mos管及第三p型mos管的襯底接地，所述第三n型mos管的柵極為va2端，所述第三p型mos管的柵極為vb2端，所述第三n型mos管及第三p型mos管的漏極連接所述第一p型mos管的柵極。
6.根據權利要求1所述的防過沖的lvds接收電路，其特征在于，所述第一電荷平衡模塊包括第四n型mos管，所述第四n型mos管的源極連接所述第一n型mos管的柵極，所述第四...
【專利技術屬性】
技術研發人員：請求不公布姓名，請求不公布姓名，
申請(專利權)人：瓴科微上海集成電路有限責任公司，
類型：發明
國別省市：
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