【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
本專利技術(shù)涉及電容器制備，具體為一種耐高溫聚3，4-乙烯二氧噻吩片式疊層鋁電解電容器的制備方法。
技術(shù)介紹
1、聚3，4-乙烯二氧噻吩是一種常用的導(dǎo)電聚合物，具有許多優(yōu)點(diǎn)，包括高導(dǎo)電性、優(yōu)良的光學(xué)性能、高穩(wěn)定性、易加工性、環(huán)保性，并且可以廣泛應(yīng)用于制備柔性電子器件、有機(jī)光電器件、傳感器、儲能設(shè)備等各種領(lǐng)域的電子元件，在電子領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。
2、然而聚3，4-乙烯二氧噻吩分子鏈?zhǔn)蔷€型結(jié)構(gòu)，其在高溫環(huán)境下使用時會產(chǎn)生氧化，導(dǎo)致分子鏈斷裂和降解。在高溫環(huán)境中長期使用時，聚3，4-乙烯二氧噻吩片式疊層鋁電解電容器會受到影響，導(dǎo)致其性能變化，包括電導(dǎo)率下降、容量降低等，進(jìn)而會影響電容器的性能和穩(wěn)定性，縮短其使用壽命。因此，提高聚3，4-乙烯二氧噻吩片式疊層鋁電解電容器在高溫環(huán)境中使用的綜合性能才能滿足其在電子材料領(lǐng)域的應(yīng)用及發(fā)展趨勢。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、本專利技術(shù)的目的在于提供一種耐高溫聚3，4-乙烯二氧噻吩片式疊層鋁電解電容器的制備方法，使制得的鋁電解電容器在高溫環(huán)境中長期使用時具有漏電流低、等效串聯(lián)電阻小、電容量穩(wěn)定等優(yōu)勢，經(jīng)濟(jì)價值和社會效益顯著。
2、為實(shí)現(xiàn)上述目的，本專利技術(shù)提供如下技術(shù)方案：
3、一種耐高溫聚3，4-乙烯二氧噻吩片式疊層鋁電解電容器的制備方法，包括以下步驟：
4、s1、鋁箔處理：將鋁箔放置在烘箱中105℃下干燥20min；
5、s2、制作單體混合液：將乙醇和去離子水按一定比例混合，隨后加入一定質(zhì)量的
6、s3、制備氧化液：在去離子水中加入一定質(zhì)量分?jǐn)?shù)的氧化劑，在500rpm轉(zhuǎn)速下攪拌5min，得到氧化液；
7、s4、化學(xué)聚合：將鋁箔浸漬氧化液一定時間后立即浸入去離子水中，隨后立刻取出烘干3min，烘干結(jié)束后再取出鋁箔浸漬在單體混合液中一定時間，隨后烘干3min，循環(huán)3次上述步驟后再浸漬單體混合液后清洗并烘干，制得第一層聚3，4-乙烯二氧噻吩包覆電極片；
8、s5、電化學(xué)聚合：將s4中第一層聚3，4-乙烯二氧噻吩包覆鋁箔與外加電極相連接作為陽極，以2cm2碳導(dǎo)電電極為陰極，在10℃包含0.4mol/l的3，4-乙烯二氧噻吩單體和0.3mol/l的多磺酸水溶液中，進(jìn)行恒電流聚合24小時，然后清洗烘干，制得第二層聚3，4-乙烯二氧噻吩包覆電極片；
9、s6、在步驟s5中所制備的電極片的外表面涂敷含碳導(dǎo)電層和含銀導(dǎo)電層，制得單片電容器元件，將單片電容器元件經(jīng)過疊層粘接、環(huán)氧樹脂封裝和老煉，制得所述耐高溫聚3，4-乙烯二氧噻吩片式鋁電解電容器。
10、優(yōu)選的，所述步驟s2中去離子水和乙醇的體積比為2：8～8：2。
11、優(yōu)選的，所述步驟s2中的多磺酸為聚苯胺磺酸，二苯胺磺酸、四(4-磺酸鈉苯基)卟啉、酞菁鈷四磺酸、芘四磺酸、芘二磺酸、芘三磺酸中的一種或幾種；所述多磺酸的添加量為1～30％。
12、優(yōu)選的，所述步驟s3中的氧化劑為過硫酸銨、過硫酸鉀、過硫酸鈉、雙氧水或重鉻酸鉀中的一種或幾種；所述氧化劑的添加量為1～20％。
13、優(yōu)選的，所述步驟s4中鋁箔浸漬氧化液和單體混合液的時間均為1～100s。
14、與現(xiàn)有技術(shù)相比，本專利技術(shù)的有益效果為：
15、本專利技術(shù)在制備聚3，4-乙烯二氧噻吩片式鋁電解電容器的化學(xué)聚合和電化學(xué)聚合過程中引入大分子量、高熔點(diǎn)的多磺酸作為摻雜劑和交聯(lián)劑，通過磺酸根與帶有正電荷的聚3，4-乙烯二氧噻吩分子鏈間的相互作用，實(shí)現(xiàn)聚3，4-乙烯二氧噻吩分子鏈間的交聯(lián)，從而提高聚3，4-乙烯二氧噻吩分子鏈的熱穩(wěn)定性，進(jìn)而獲得結(jié)構(gòu)規(guī)整、耐高溫的聚3，4-乙烯二氧噻吩，使最后制得的鋁電解電容器在高溫環(huán)境中長期使用時具有漏電流低、等效串聯(lián)電阻小、電容量穩(wěn)定等優(yōu)勢，并且所制得的電極片表面規(guī)整度高、內(nèi)部結(jié)構(gòu)可調(diào)節(jié)，而且制備過程具有環(huán)保、易于工業(yè)化生產(chǎn)等優(yōu)點(diǎn)。
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1.一種耐高溫聚3，4-乙烯二氧噻吩片式疊層鋁電解電容器的制備方法，其特征在于：包括以下步驟：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種耐高溫聚3，4-乙烯二氧噻吩片式疊層鋁電解電容器的制備方法，其特征在于：所述步驟S2中去離子水和乙醇的體積比為2：8~8：2。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種耐高溫聚3，4-乙烯二氧噻吩片式疊層鋁電解電容器的制備方法，其特征在于：所述步驟S2中的多磺酸為聚苯胺磺酸，二苯胺磺酸、四（4-磺酸鈉苯基）卟啉、酞菁鈷四磺酸、芘四磺酸、芘二磺酸、芘三磺酸中的一種或幾種；所述多磺酸的添加量為1~30%。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種耐高溫聚3，4-乙烯二氧噻吩片式疊層鋁電解電容器的制備方法，其特征在于：所述步驟S3中的氧化劑為過硫酸銨、過硫酸鉀、過硫酸鈉、雙氧水或重鉻酸鉀中的一種或幾種；所述氧化劑的添加量為1~20%。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種耐高溫聚3，4-乙烯二氧噻吩片式疊層鋁電解電容器的制備方法，其特征在于：所述步驟S4中鋁箔浸漬氧化液和單體混合液的時間均為1~100s。
【技術(shù)特征摘要】
1.一種耐高溫聚3，4-乙烯二氧噻吩片式疊層鋁電解電容器的制備方法，其特征在于：包括以下步驟：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種耐高溫聚3，4-乙烯二氧噻吩片式疊層鋁電解電容器的制備方法，其特征在于：所述步驟s2中去離子水和乙醇的體積比為2：8~8：2。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種耐高溫聚3，4-乙烯二氧噻吩片式疊層鋁電解電容器的制備方法，其特征在于：所述步驟s2中的多磺酸為聚苯胺磺酸，二苯胺磺酸、四（4-磺酸鈉苯基）卟啉、酞菁鈷四磺酸、芘四磺酸、芘...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：徐加勝，吳鳳英，梁云輝，肖胤鑫，黃格欣，
申請(專利權(quán))人：福建國光新業(yè)科技股份有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：
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