【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
本專利技術(shù)涉及等離子體處理領(lǐng)域，特別是涉及一種基底及其等離子體處理方法、鍍膜方法。
技術(shù)介紹
1、基底例如玻璃、硅片等在進(jìn)行光學(xué)濺射鍍膜之前，通常需要經(jīng)過幾道表面清洗工藝，以去除基底表面的各種污染，從而增加所鍍薄膜與基底之間的結(jié)合力。清洗工藝一般包括化學(xué)清洗和等離子體濺射清洗，然而傳統(tǒng)的等離子體濺射清洗后進(jìn)行濺射鍍膜，會增加濺射鍍膜后的表面粗糙度。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、基于此，本專利技術(shù)一些實(shí)施例提供一種等離子體處理方法，能夠降低后續(xù)鍍膜后的表面粗糙度。
2、此外，本專利技術(shù)另外一些實(shí)施例還提供一種經(jīng)上述等離子體處理方法處理后的基底以及基底的鍍膜方法。
3、一種等離子體處理方法，包括如下步驟：
4、對基底表面進(jìn)行等離子體清洗，所述等離子體清洗的過程中，所用的工作氣體包括體積比為100:0~80:20的惰性氣體和氫氣；
5、對等離子體清洗后的基底施加第一偏壓，進(jìn)行等離子體鈍化，所述等離子體鈍化的過程中，所用的工作氣體包括體積比為95:5~20:80的惰性氣體和氫氣；
6、其中，所述等離子體鈍化的過程中，所通入的氫氣的流量大于所述等離子體清洗的過程中，所通入的氫氣的流量。
7、在其中一些實(shí)施例中，所述第一偏壓為50v~1800v；
8、可選地，所述第一偏壓為800v~1200v。
9、在其中一些實(shí)施例中，所述等離子體鈍化的時間為1min~60min；
10、可選地，所述等離子體鈍化
11、在其中一些實(shí)施例中，所述等離子體鈍化的過程中，惰性氣體的流量為100sccm~20000sccm，氫氣的流量為50sccm~120sccm。
12、在其中一些實(shí)施例中，所述等離子體清洗的過程中，惰性氣體的流量為100sccm~5000sccm，氫氣的流量為0~100sccm。
13、在其中一些實(shí)施例中，所述等離子體鈍化的過程中，工作氣體包括體積比為95:5~90:10的惰性氣體和氫氣。
14、在其中一些實(shí)施例中，所述等離子體鈍化的過程中，工藝參數(shù)滿足如下條件中的一個或幾個：
15、（1）等離子體鈍化的電源功率為1.5kw~20kw；
16、（2）所述等離子體鈍化的過程中，本底真空度小于或等于8×10-4pa；
17、（3）所述等離子體鈍化的過程中，工作氣壓為8×10-1pa~1×103pa。
18、在其中一些實(shí)施例中，所述等離子體清洗的過程中，還施加有第二偏壓，所述第二偏壓為50v~1800v；
19、可選地，所述第二偏壓為800v~1200v。
20、在其中一些實(shí)施例中，所述等離子體清洗的時間為1min~30min。
21、在其中一些實(shí)施例中，所述等離子體清洗的步驟中，工藝參數(shù)滿足如下條件中的一個或幾個：
22、（1）等離子體清洗的電源功率為1.5kw~20kw；
23、（2）所述等離子體清洗的過程中，本底真空度小于或等于8×10-4pa；
24、（3）所述等離子體清洗的過程中，工作氣壓為8×10-1pa~1×103pa。
25、一種基底，經(jīng)上述的等離子體處理方法處理后得到。
26、一種鍍膜方法，包括如下步驟：
27、采用上述的等離子體處理方法對基底表面進(jìn)行處理；
28、對處理后的基底表面進(jìn)行鍍膜。
29、專利技術(shù)人研究發(fā)現(xiàn)，傳統(tǒng)的等離子體濺射清洗可以活化基底表面，從而使后續(xù)濺射鍍膜過程中，從濺射靶表面濺射下來的原子，也即薄膜生長因子，在到達(dá)基底表面后，很快和基底表面的原子形成化學(xué)鍵，即形成化學(xué)吸附，難以或不能在基底表面形成物理吸附，從而導(dǎo)致薄膜生長因子不能或很少有表面擴(kuò)散的行為，即薄膜生長因子不能在能量最低點(diǎn)和基底表面原子鍵合，從而增加了表面粗糙度。
30、而本申請一些實(shí)施例提供的上述等離子體處理方法通過先在一定比例的氬氣和氫氣的工作氣體下進(jìn)行等離子體清洗，能夠活化基底表面，使基底表面的原子形成垂懸健，再在偏壓條件下，提高氫氣流量對基底進(jìn)行等離子體鈍化處理，使得經(jīng)過等離子體濺射清洗后形成的垂懸健與氫氣發(fā)生等離子體化學(xué)反應(yīng)，形成化學(xué)鍵例如si—h、o—h健等，降低基底表面的化學(xué)活性，從而增加后續(xù)鍍膜過程中到達(dá)基底表面的薄膜生長因子在基底表面的物理吸附，增強(qiáng)薄膜生長因子的表面擴(kuò)散，使得薄膜生長因子能夠擴(kuò)散至能量最低點(diǎn)鍵合，而薄膜生長因子的能量最低處，對應(yīng)著基底表面的能量最高處，即各種缺陷如點(diǎn)缺陷、線缺陷、面缺陷等，而正是這些缺陷增加了表面粗糙度，因此基底表面通過上述等離子體處理后，增加了后續(xù)鍍膜過程中薄膜生長因子在基底表面的擴(kuò)散，使得薄膜生長因子首先駐足在這些缺陷處，抹平了基底表面的缺陷，從而降低了粗糙度。
本文檔來自技高網(wǎng)...【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
1.一種等離子體處理方法，其特征在于，包括如下步驟：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體處理方法，其特征在于，所述第一偏壓為50V~1800V；
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的等離子體處理方法，其特征在于，所述等離子體鈍化的時間為1min~60min；
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體處理方法，其特征在于，所述等離子體鈍化的過程中，惰性氣體的流量為100sccm~20000sccm，氫氣的流量為50sccm~120sccm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或4所述的等離子體處理方法，其特征在于，所述等離子體清洗的過程中，惰性氣體的流量為100sccm~5000sccm，氫氣的流量為0~100sccm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或4所述的等離子體處理方法，其特征在于，所述等離子體鈍化的過程中，工作氣體包括體積比為95:5~90:10的惰性氣體和氫氣。
7.根據(jù)權(quán)利要求1、2或4所述的等離子體處理方法，其特征在于，所述等離子體鈍化的過程中，工藝參數(shù)滿足如下條件中的一個或幾個：
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體處理方法，其特
9.根據(jù)權(quán)利要求1或8所述的等離子體處理方法，其特征在于，所述等離子體清洗的時間為1min~30min。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體處理方法，其特征在于，所述等離子體清洗的步驟中，工藝參數(shù)滿足如下條件中的一個或幾個：
11.一種基底，其特征在于，經(jīng)權(quán)利要求1~10任一項(xiàng)所述的等離子體處理方法處理后得到。
12.一種鍍膜方法，其特征在于，包括如下步驟：
...【技術(shù)特征摘要】
1.一種等離子體處理方法，其特征在于，包括如下步驟：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體處理方法，其特征在于，所述第一偏壓為50v~1800v；
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的等離子體處理方法，其特征在于，所述等離子體鈍化的時間為1min~60min；
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體處理方法，其特征在于，所述等離子體鈍化的過程中，惰性氣體的流量為100sccm~20000sccm，氫氣的流量為50sccm~120sccm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或4所述的等離子體處理方法，其特征在于，所述等離子體清洗的過程中，惰性氣體的流量為100sccm~5000sccm，氫氣的流量為0~100sccm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或4所述的等離子體處理方法，其特征在于，所述等離子體鈍化的過程中，工作氣體...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：趙成偉，鄔文波，
申請(專利權(quán))人：格致成創(chuàng)新材料科技沈陽有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：
還沒有人留言評論。發(fā)表了對其他瀏覽者有用的留言會獲得科技券。