存儲器的操作方法技術

本發明專利技術公開了一種存儲器的操作方法。此存儲器包括多個存儲單 元所構成的存儲單元陣列、多條位線與多條字線。此操作方法是在進 行編程時，選定一存儲單元行，使得所選定的存儲單元行的那些存儲 單元的第一源極/漏極區所對應的位線與其相鄰的兩位線之間分別產生 壓差，并且在所選定的存儲單元行的那些存儲單元的各控制柵極所對 應的各字線分別施加偏壓，以使得所選定的存儲單元行的各存儲單元 的各數據位分別達到預定的編程狀態，并且同時使得與所選定的存儲 單元行的那些第一源極/漏極區共享同一位線的相鄰存儲單元行的各存 儲單元的各無用位達到無用狀態，此無用狀態與預定的編程狀態相 同。

【技術實現步驟摘要】

本專利技術是有關于一種可電擦除且可編程只讀，且特別是有關于一種虛擬接地(virtual-ground)的或非門(NOR)型 。
技術介紹
電可擦寫可編程只讀存儲器(EEPROM)是一種可進行多次數據 的存入、讀取或擦除等動作且存入的數據在斷電后也不會消失的非易 失性存儲器。電可擦寫可編程只讀存儲器中最典型的是閃存。而電荷 陷入層型存儲器則是一種以氮化硅取代典型的閃存的摻雜多晶硅浮置 柵極(floating gate)的電可擦寫可編程只讀存儲器。電荷陷入層型存 儲器的電荷陷入層的材質通常是氮化硅，且此種氮化硅電荷陷入層上 下通常各有一層氧化硅，控制柵極以及襯底的材質通常是多晶硅或 硅，因此，此種元件通稱為硅/氧化硅/氮化硅/氧化硅/硅(SONOS) 元件。由于氮化硅具有捕捉電子的特性，注入電荷陷入層之中的電子 會集中于電荷陷入層的局部區域上，通常，氮化硅層中接近漏極的區 域以及接近源極的區域可分別儲存一位(bit),因此，此種存儲單元 是一種每一存儲單元有二個位的存儲元件。典型的SONOS存儲器在操作時，是先選定單一個存儲單元，對 所選定的單一存儲單元的控制柵極所對應的字線施加偏壓并在其漏極 所對應的位線施加偏壓，而其它的字線則施以0伏特的電壓；其它的 位線則施以0伏特的電壓或浮置，以使得電子或空穴注入于氮化硅層 中接近漏極之處，改變其啟始電壓。然而，此種以逐單元寫入的方式 來進行編程方法相當耗時，而且啟始電壓的分布較廣，在讀取時容易 有誤判的情形。
技術實現思路
有鑒于此，本專利技術的主要目的在于在提供一種存儲器的操作方 法，其可以縮短編程的時間。本專利技術的主要目的還在于提供一種，可使各數 據狀態的啟始電壓的分布較窄。本專利技術提出一種，此存儲器包括多個存儲單元 所構成的存儲單元陣列，各存儲單元包括一第一位與一第二位。此操 作方法包括選擇一存儲單元行，并同時編程所選的存儲單元行所對應 的多個存儲單元，使存儲單元的第一位達到預定的編程狀態。依照本專利技術實施例所述，上述的中，在進行編 程存儲單元行所對應的存儲單元時，同時在所選的存儲單元行所對應 的存儲單元的多條字線施加多個預定偏壓。依照本專利技術實施例所述，上述的中，預定的編 程狀態是多個具有不同啟始電壓分布的編程狀態。依照本專利技術實施例所述，上述的中，在進行編 程所選的存儲單元行所對應的存儲單元時，與所選的存儲單元行的上 述存儲單元相鄰且共享相同位線的存儲單元的第二位同時達到多個無 用狀態，各上述無用狀態與相鄰的所選的存儲單元行的上述存儲單元 的第一位的預定的編程狀態相同。依照本專利技術實施例所述，上述的中，第一位為 有用位;第二位為無用位。依照本專利技術實施例所述，上述的進一步包括在 讀取時，僅讀取所選的上述存儲單元的第一位的編程狀態，不讀取所 選的上述存儲單元的無用位的無用狀態。依照本專利技術實施例所述，上述的中，在進行上 述編程時，是藉由誘發單側偏壓收斂效應，以使電荷注入于所選定的 上述存儲單元行的存儲單元中。依照本專利技術實施例所述，上述的進一步包括在 進行擦除時，藉由誘發雙側偏壓電荷注入效應或Fowler-Nordheim電 荷隧穿效應或價帶-導帶隧穿熱電荷注入效應，以使電荷注入于該存儲單元陣列的各該多個存儲單元中。依照本專利技術實施例所述，上述的中，在進行上 述編程時，是藉由誘發單側偏壓收斂效應，以使電子注入于所選定的 上述存儲單元行的存儲單元中。依照本專利技術實施例所述，上述的進一步包括在 進行擦除時，藉由誘發雙側偏壓空穴注入效應、價帶-導帶隧穿熱空穴 注入效應，以使電子注入于上述存儲單元陣列的各上述存儲單元中。依照本專利技術實施例所述，上述的中，上述存儲 單元為多階存儲單元。依照本專利技術實施例所述，上述的中，上述存儲單元陣列為一虛擬接地(virtual-ground)的或非門型存儲單元陣列。依照本專利技術實施例所述，上述的中，存儲單元 是以逐列方式進行編程。本專利技術又提出一種，此存儲器包括多個存儲單 元所構成的存儲單元陣列。此操作方法包括逐列編程存儲單元，其中 連接到相同位線的同列的存儲單元同時被編程。依照本專利技術實施例所述，上述的中，在進行各 個編程時，同時在所選的一存儲單元行的存儲單元所對應的多條字線 施加多個預定偏壓。依照本專利技術實施例所述，上述的中，上述存儲 單元陣列為一虛擬接地的或非門型存儲單元陣列。依照本專利技術實施例所述，上述的中，上述存儲 單元為多階存儲單元。依照本專利技術實施例所述，上述的中，在對一所 選的存儲單元行的存儲單元進行編程時，同時在所選的存儲單元行的 存儲單元所對應的多條字線施加多個預定偏壓。依照本專利技術實施例所述，上述的中，在對一所 選的存儲單元行的存儲單元進行編程時，是藉由誘發單側偏壓收斂效 應，以使電荷注入于所選定的上述存儲單元行的存儲單元中。依照本專利技術實施例所述，上述的中，在對一所6選的存儲單元行的存儲單元進行編程時，是藉由誘發單側偏壓收斂效 應，以使電子注入于所選定的上述存儲單元行的存儲單元中。本專利技術實施例的，其可以縮短編程的時間。 本專利技術實施例的，可使各數據狀態的啟始電壓 的分布較窄。為讓本專利技術的上述和其它目的、特征和優點能更明顯易懂，下文 特舉較佳實施例，并配合所附圖式，作詳細說明如下。附圖說明圖1繪示用于本專利技術實施例的操作方法的存儲器的電路示意圖。圖2繪示用于本專利技術實施例的操作方法的一種習知存儲單元的結 構剖面示意圖。圖3繪示用于本專利技術實施例的一種存儲單元其各種狀態與啟始電 壓的關系圖。圖4A為依據本專利技術實施例所繪示的一種存儲器藉由電子注入方 式進行擦除操作的電路示意圖。圖4B為依據本專利技術另一實施例所繪示的一種存儲器藉由電子注 入方式進行擦除操作的電路示意圖。圖5為依據本專利技術實施例所繪示的一種存儲器藉由空穴注入方式 進行編程操作的電路示意圖。圖6為依據本專利技術實施例所繪示的一種存儲器藉由空穴注入方式 進行編程操作的啟始電壓與時間的關系圖。圖7為依據本專利技術實施例所繪示的一種存儲器進行讀取操作的電 路示意圖。圖8A為依據本專利技術實施例所繪示的一種存儲器藉由空穴注入方 式進行擦除操作的電路示意圖。圖8B為依據本專利技術另一實施例所繪示的一種存儲器藉由空穴注 入方式進行擦除操作的電路示意圖。圖9為依據本專利技術實施例所繪示的一種存儲器藉由電子注入方式 進行編程操作的電路示意圖。圖10為依據本專利技術實施例所繪示的一種存儲器藉由電子注入方 式進行編程操作的啟始電壓與時間的關系圖。主要元件符號說明10:存儲單元12:控制柵極14:襯底15:介電層16:電荷儲存層18:隧穿介電層20、22:源極/漏極區24:溝道區30:數據位40:無用位具體實施例方式圖1繪示用于本專利技術的操作方法的存儲器的電路示意圖。圖2繪 示用于本專利技術的操作方法的一種習知存儲單元的結構剖面示意圖。請參照圖1與2，用于本專利技術的存儲器包括由多個存儲單元10所 組成的存儲單元陣列。此存儲單元陣列例如是由多個多階存儲單元 (MLC)所組成的虛擬接地的或非門型存儲單元陣列、多條位線BLn. 2、BLn.pBLn、BLn+1、BLn+2、…等以及多條字線WLn.,、 WLn+1、 WLn+2、… 等。各存儲單元10包括控制柵極12、電荷陷入層16、源極/漏極區20 與源極/漏極區22。在此所述的源極/漏極區，是指其可依據其本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種存儲器的操作方法，該存儲器包括多個存儲單元所構成的存儲單元陣列，各存儲單元包括一第一位與一第二位，其特征在于，該操作方法包括：　選擇一存儲單元行，并同時編程所選的該存儲單元行所對應的該多個存儲單元，使該多個存儲單元的該多個第一位達 到多個預定的編程狀態。

【技術特征摘要】
2008.2.14 US 12/031,1891、一種存儲器的操作方法，該存儲器包括多個存儲單元所構成的存儲單元陣列，各存儲單元包括一第一位與一第二位，其特征在于，該操作方法包括選擇一存儲單元行，并同時編程所選的該存儲單元行所對應的該多個存儲單元，使該多個存儲單元的該多個第一位達到多個預定的編程狀態。2、 根據權利要求1所述的存儲器的操作方法，其特征在于，在 進行編程該存儲單元行所對應的該多個存儲單元時，同時在所選的該 存儲單元行所對應的該多個存儲單元的多條字線施加多個預定偏壓。3、 根據權利要求1所述的存儲器的操作方法，其特征在于，該 多個預定的編程狀態是多個具有不同啟始電壓分布的編程狀態。4、 根據權利要求1所述的存儲器的操作方法，其特征在于，在 進行該編程時，是藉由誘發單側偏壓收斂效應，以使電荷注入于所選 定的該存儲單元行的該多個存儲單元中。5、 根據權利要求4所述的存儲器的操作方法，其特征在于，進 一步包括在進行擦除時，藉由...

【專利技術屬性】
技術研發人員：郭明昌，李明修，
申請(專利權)人：旺宏電子股份有限公司，
類型：發明
國別省市：71