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    發光器件封裝和光源設備制造技術

    技術編號:42636684 閱讀:18 留言:0更新日期:2024-09-06 01:35
    本發明專利技術的實施例公開了一種發光器件封裝,其包括:第一至第三框架,第一至第三框架中的每一個具有至少一個通孔;本體,該本體用于支撐第一至第三框架;第一發光器件,該第一發光器件布置在第一框架和第二框架上;以及第二發光器件,該第二發光器件布置在第二框架和第三框架上,其中,本體可以包括:第一凹部,該第一凹部布置在第一框架和第二框架之間并且與第一發光器件豎直地重疊;和第二凹部,該第二凹部布置在第二框架和第三框架之間并且與第二發光器件豎直地重疊,第一發光器件可以包括:第一結合部,該第一結合部布置在第一框架的通孔上;和第二結合部,該第二結合部布置在第二框架的通孔上,并且第二發光器件可以包括:第三結合部,該第三結合部布置在第二框架的通孔上;和第四結合部,該第四結合部布置在第三框架的通孔上。

    【技術實現步驟摘要】

    實施例涉及發光器件封裝、制造該發光器件封裝的方法以及包括該發光器件封裝的光源設備。實施例涉及半導體器件封裝、制造該半導體器件封裝的方法以及包括該半導體器件封裝的光源設備。


    技術介紹

    1、包括諸如gan、algan等的化合物的半導體器件可以具有許多優點(例如,寬的且易于調節的帶隙能量),使得半導體器件可以不同地用作發光器件、光接收器件、各種二極管等。

    2、特別地,隨著薄膜生長技術和器件材料的發展,使用iii-v族或ii-vi族化合物半導體材料的發光器件(例如發光二極管或激光二極管),具有能夠實現各種波長帶的光(例如紅光、綠光、藍光和紫外光等)的優點。此外,使用iii-v族或ii-vi族化合物半導體材料的發光器件(例如發光二極管或激光二極管),可以通過使用熒光材料或通過組合顏色來實現高效率的白光源。與諸如熒光燈、白熾燈等的傳統光源相比,這種發光器件具有低功耗、半永久壽命、快響應速度、安全性和環保性的優點。

    3、此外,當通過使用iii-v族或vi-vi族化合物半導體材料制造光接收器件(例如光電探測器或太陽能電池)時,因為器件材料的材料已經發展,處于各種波長范圍內的光被吸收以產生光學電流,使得可以使用從伽馬射線到無線電波長區域的各種波長范圍的光。此外,這種光接收器件可以具有響應速度快、安全、環保且易于控制器件材料的優點,使得光接收器件可以容易地用于功率控制、微波電路或通信模塊。

    4、因此,半導體器件的應用擴展到光通信發送模塊的發送模塊、用作構成液晶顯示器(lcd)的背光的冷陰極熒光燈(ccfl)的替代物的發光二極管背光、用作熒光燈或白熾燈的替代物的白色發光二極管照明裝置、車輛前燈、用于檢測氣體或火災的信號燈和傳感器。另外,半導體器件的應用可以擴展到高頻應用電路、其它功率控制裝置和通信模塊。

    5、發光器件可以用作pn結二極管,該pn結二極管具有通過使用周期表中的iii-v族或ii-vi族元素將電能轉換成光能的特性,并且可以通過控制化合物半導體的組成比來提供各種波長。

    6、例如,氮化物半導體表現出優異的熱穩定性和寬帶隙能,使得氮化物半導體在光學器件和高功率電子器件領域中受到關注。特別地,采用氮化物半導體的藍色發光器件、綠色發光器件和uv發光器件已經商業化并被廣泛使用。

    7、例如,紫外發光器件可以用作發射分布在200nm至400nm的波長范圍內的光的發光二極管,在波長帶中具有短波長的情況下用于消毒和凈化,并且在長波長的情況下用于曝光機、固化機等。

    8、uv-a(315nm~400nm)已經應用于各種領域,例如用于工業用途的uv固化、印制油墨固化、曝光機、偽造品的鑒別、光催化消毒、特殊照明(水族箱/農業等),uv-b(280nm至315nm)已經用于醫療用途,而uv-c(200nm~280nm)已經應用于空氣凈化、水凈化、滅菌產品等。

    9、同時,因為已經要求能夠提供高輸出的半導體器件,所以已經研究了能夠通過應用高功率源來增加輸出的半導體器件。

    10、此外,已經研究用于提高半導體器件的光提取效率和增強半導體器件封裝中的封裝級中的發光強度的方法。此外,在半導體器件封裝中,已經對增強封裝電極和半導體器件之間的結合強度的方法進行了研究。

    11、此外,在半導體器件封裝中,已經對通過提高工藝效率和改變結構來降低制造成本和提高制造產量的方法進行研究。


    技術實現思路

    1、技術問題

    2、實施例可以提供具有多個半導體器件或多個發光器件的半導體器件封裝或發光器件封裝。

    3、實施例可以提供半導體器件封裝或發光器件封裝,其中,多個半導體器件或多個發光器件布置在彼此間隔開的至少三個框架上。

    4、實施例可以提供半導體器件封裝或發光器件封裝,其中,在彼此間隔開的至少三個框架上彼此間隔開的多個半導體器件或多個發光器件連接到導電層。

    5、實施例可以提供半導體器件封裝或發光器件封裝,其中,彼此間隔開的至少三個框架中的每一個具有至少一個通孔并且與半導體器件或發光器件重疊。

    6、實施例可以提供半導體器件封裝或發光器件封裝,其中,彼此間隔開的至少三個框架中的每一個包括至少一個通孔和布置在該通孔中的導電層,以提高每個器件的結合部的粘合強度以及導電層與框架之間的粘合強度。

    7、實施例可以提供半導體器件封裝或發光器件封裝,其中,發光器件或半導體器件的與框架的通孔面向的結合部被電連接到導電層。

    8、實施例可以提供半導體器件封裝或發光器件封裝,其中,一個或多個凹部形成在彼此間隔開的至少三個框架之間的本體中并且與半導體器件或發光器件重疊。

    9、實施例可以通過在彼此間隔開的至少三個框架之間的本體中形成一個或多個凹部并且在該凹部中布置第一樹脂來提供粘附到半導體器件或發光器件的半導體器件封裝或發光器件封裝。

    10、實施例可以提供半導體器件封裝或發光器件封裝,其中,第一樹脂布置在彼此間隔開的至少三個框架內的本體與半導體器件或發光器件之間,以將半導體器件或發光器件結合到本體。

    11、實施例可以提供半導體器件封裝或發光器件封裝,其中,多個發光器件彼此串聯或并聯連接。

    12、實施例可以提供能夠改善光提取效率和電特性的半導體器件封裝或發光器件封裝。

    13、實施例可以提供一種半導體器件封裝或發光器件封裝,該半導體器件封裝或發光器件封裝能夠通過提高工藝效率和引入新的封裝結構來降低制造成本并提高制造產量。

    14、實施例可以提供能夠防止在將半導體器件封裝重新結合到基板等的過程中、在半導體器件封裝的結合區域中發生重熔現象(re-melting?phenomenon)的半導體器件封裝或發光器件封裝。

    15、技術方案

    16、根據實施例,該發光器件封裝可以包括:第一框架、第二框架和第三框架,該第一框架、第二框架和第三框架中的每一個具有至少一個通孔;本體,該本體用于支撐第一框架、第二框架和第三框架;第一發光器件,該第一發光器件布置在第一框架和第二框架上;以及第二發光器件,該第二發光器件布置在第二框架和第三框架上,其中,所述本體可以包括第一凹部,該第一凹部布置在第一框架和第二框架之間并且與第一發光器件豎直地重疊;和第二凹部,該第二凹部布置在第二框架和第三框架之間并且與第二發光器件豎直地重疊,第一發光器件可以包括第一結合部,該第一結合部布置在第一框架的通孔上;和第二結合部,該第二結合部布置在第二框架的通孔上,并且第二發光器件可以包括第三結合部,該第三結合部布置在第二框架的通孔上;和第四結合部,該第四結合部布置在第三框架的通孔上。

    17、根據實施例,該發光器件封裝可以包括第一樹脂,該第一樹脂布置在本體和第一發光器件之間以及在本體和第二發光器件之間。

    18、根據實施例,該第一樹脂可以布置在第一凹部和第二凹部中。

    19、根據實施例,第一凹部和第二凹部可以具有在第一方向上的長度,并且第一凹部和第本文檔來自技高網...

    【技術保護點】

    1.一種發光器件封裝,包括:

    2.根據權利要求1所述的發光器件封裝,其特征在于,

    3.根據權利要求2所述的發光器件封裝,其特征在于,

    4.根據權利要求2所述的發光器件封裝,進一步包括第一凹部和第二凹部,

    5.根據權利要求4所述的發光器件封裝,其特征在于,

    6.根據權利要求4所述的發光器件封裝,其特征在于,

    7.根據權利要求2所述的發光器件封裝,其特征在于,

    8.根據權利要求7所述的發光器件封裝,其特征在于,

    9.根據權利要求2所述的發光器件封裝,其特征在于,

    10.根據權利要求1所述的發光器件封裝,其特征在于,

    【技術特征摘要】

    1.一種發光器件封裝,包括:

    2.根據權利要求1所述的發光器件封裝,其特征在于,

    3.根據權利要求2所述的發光器件封裝,其特征在于,

    4.根據權利要求2所述的發光器件封裝,進一步包括第一凹部和第二凹部,

    5.根據權利要求4所述的發光器件封裝,其特征在于,

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    【專利技術屬性】
    技術研發人員:宋俊午,金基石任倉滿,
    申請(專利權)人:蘇州立琻半導體有限公司
    類型:發明
    國別省市:

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