【技術實現步驟摘要】
本申請涉及半導，尤其是涉及一種基于離子束刻蝕工藝的mems探針的制造方法。
技術介紹
1、探針卡是用于提供晶圓與測試儀器之間電學連接的核心部件，探針卡具有若干探針，通過這些探針與待測試晶圓之間接觸，實現參數檢測。
2、mems（微機電系統）技術在微電子的基礎上發展起來，mems技術以其微型化、易于集成、批量生產等特點而得到廣泛應用。采用mems技術制得的mems探針在晶圓測試方面得以廣泛應用，該工藝中的電鍍技術是一種金屬結構制備技術。mems工藝結合電鍍技術能制備微米級精細結構，能準確復制光刻圖形且尺寸精度高。
3、現有技術中，mems工藝均為基于liga工藝和電鍍工藝制造的探針，liga工藝是基于x射線光刻技術的mems加工技術，主要包括x光深度同步輻射光刻，電鑄制模和注模復制三個工藝。現有的制造工藝存在以下缺陷：受限于鍍液體系、腐蝕釋放工藝以及內應力等制約因素，很多金屬材料無法加工，加工得到的探針分辨率低。
技術實現思路
1、本申請的目的在于提出一種基于新工藝的mems探針制造方法，以克服傳統工藝帶來的限制和缺陷。
2、為達到上述目的，本申請采用如下技術方案，一種基于離子束刻蝕工藝的mems探針的制造方法，包括下述步驟：
3、選取襯底材料，對其表面拋光、整平；
4、在襯底材料表面涂敷光刻膠，經固化、光刻、顯影后形成探針掩模；
5、采用離子束刻蝕設備對襯底材料表面進行刻蝕，去除襯底材料上未被光刻膠覆蓋的材料；
6、對襯底材料清洗，去除掩模，得到刻蝕后的探針。
7、在本申請的一個實施例中，所述的襯底材料選自cu、ag、si、w、ni、pdco、pdni、rh、rhru、becu中的任意一種或兩種以上的合金材料。
8、在本申請的一個實施例中，所述的襯底材料為cu85-ag15合金材料。
9、在本申請的一個實施例中，所述的襯底材料的厚度為30-150μm。
10、在本申請的一個實施例中，所述的光刻膠材料的厚度為10-50μm。
11、在本申請的一個實施例中，所述的光刻膠材料選自su-8和az系列光刻膠中的一種。
12、在本申請的一個實施例中，在離子束刻蝕過程中，所述襯底材料具有第一刻蝕速率，所述光刻膠的具有第二刻蝕速率，且第一刻蝕速率大于第二刻蝕速率。
13、在本申請的一個實施例中，第一刻蝕速率為60-100nm/min，第二刻蝕速率20-40nm/min。
14、在本申請的一個實施例中，刻蝕過程中，采用的離子束能量為300-500ev，刻蝕時間為10-24h。
15、在本申請的一個實施例中，所述離子束刻蝕設備采用的離子束以入射角θ照射所述的襯底材料，0°≤θ≤30°。
16、本申請提供了一種離子束刻蝕制造mems探針的方案，利用具有一定能量的離子轟擊襯底材料表面，使襯底材料原子發生濺射，從而達到刻蝕目的。本專利技術具有：刻蝕方向性好、各向異性、無鉆蝕、陡直度高、分辨率高的優點。同時，本申請的制造方法不受刻蝕材料限制，應用范圍非常廣泛，可以適用于金屬或化合物，無機物或有機物等多種材料的加工。最后，本申請在刻蝕過程中還可改變離子束入射角θ，進而控制圖形輪廓，滿足mems探針形狀的多樣化加工。
本文檔來自技高網...【技術保護點】
1.一種基于離子束刻蝕工藝的MEMS探針的制造方法，其特征在于，包括下述步驟：
2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于：所述的襯底材料選自Cu、Ag、Si、W、Ni、PdCo、PdNi、Rh、RhRu、BeCu中的任意一種或兩種以上的合金材料。
3.根據權利要求2所述的方法，其特征在于：所述的襯底材料為Cu85-Ag15合金材料。
4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于：所述的襯底材料的厚度為30-150μm。
5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于：所述的光刻膠材料的厚度為10-50μm。
6.根據權利要求1所述的方法，其特征在于：所述的光刻膠材料選自Su-8和AZ系列光刻膠中的一種。
7.根據權利要求1所述的方法，其特征在于：在離子束刻蝕過程中，所述襯底材料具有第一刻蝕速率，所述光刻膠的具有第二刻蝕速率，且第一刻蝕速率大于第二刻蝕速率。
8.根據權利要求6所述的方法，其特征在于：第一刻蝕速率為60-100nm/min，第二刻蝕速率20-40nm/min。
9.根據權利要求1所
10.根據權利要求1所述的方法，其特征在于：所述離子束刻蝕設備采用的離子束以入射角θ照射所述的襯底材料，0°≤θ≤30°。
...【技術特征摘要】
1.一種基于離子束刻蝕工藝的mems探針的制造方法，其特征在于，包括下述步驟：
2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于：所述的襯底材料選自cu、ag、si、w、ni、pdco、pdni、rh、rhru、becu中的任意一種或兩種以上的合金材料。
3.根據權利要求2所述的方法，其特征在于：所述的襯底材料為cu85-ag15合金材料。
4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于：所述的襯底材料的厚度為30-150μm。
5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于：所述的光刻膠材料的厚度為10-50μm。
6.根據權利要求1所述的方法，其特征在于：所述的光...
【專利技術屬性】
技術研發人員：王興剛，于海超，
申請(專利權)人：強一半導體蘇州股份有限公司，
類型：發明
國別省市：
還沒有人留言評論。發表了對其他瀏覽者有用的留言會獲得科技券。