【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
本專利技術(shù)涉及過壓保護(hù)領(lǐng)域，具體涉及一種基于可控硅輸入的過壓保護(hù)裝置。
技術(shù)介紹
1、現(xiàn)有過壓保護(hù)器如cn109672141a公開的一種高速安全的交流過壓保護(hù)器，由整流橋、運(yùn)算放大器、運(yùn)算放大器第一檢測(cè)電阻、運(yùn)算放大器第二檢測(cè)電阻、運(yùn)放電源第一分壓電阻、運(yùn)放電源第二分壓電阻、濾波電容、穩(wěn)壓管、基準(zhǔn)第一電阻、基準(zhǔn)第二電阻、開關(guān)管、電路板組成，采用了雙整流橋結(jié)構(gòu)與開關(guān)管實(shí)現(xiàn)過壓高速關(guān)斷負(fù)載供電，高壓過后瞬間恢復(fù)供電。該方案能極快地切斷電路中出現(xiàn)的瞬間高壓，當(dāng)高壓過后，瞬間自動(dòng)恢復(fù)供電。但其可靠性差，效率低，壽命短。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、本專利技術(shù)的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)的缺點(diǎn)，提供一種基于可控硅輸入的過壓保護(hù)裝置，極大地提高了過壓保護(hù)裝置的可靠性，提高了效率，降低了能源消耗，同時(shí)增加了使用壽命。
2、本專利技術(shù)采取如下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)上述目的，本專利技術(shù)提供一種基于可控硅輸入的過壓保護(hù)裝置，包括可控硅全橋模塊、放電模塊、耐受電壓模塊、分壓模塊以及觸發(fā)模塊，所述放電模塊連接在輸入電源的火線端l與零線端n之間，所述可控硅全橋模塊包括第一單向可控硅q2、第二單向可控硅q3、第三單向可控硅q5以及第四單向可控硅q6，第二單向可控硅q3的陰極與第一單向可控硅q2的陽極連接，第一單向可控硅q2的陰極與第四單向可控硅q6的陰極連接，第四單向可控硅q6的陽極與第三單向可控硅q5陰極連接，第三單向可控硅q5陰極與第二單向可控硅q3的陽極連接，第一單向可控硅q2、第二單向可控硅q3、第三單向可控硅q5
3、所述觸發(fā)模塊包括穩(wěn)壓二極管zd1、第一電阻r1、第三電阻r3、第八電阻r8、第十一電阻r11、第十六電阻r16、mos管q1以及三極管q4，mos管q1的柵極通過第一電阻r1與穩(wěn)壓二極管zd1的陽極連接，穩(wěn)壓二極管zd1的陰極與分壓模塊連接，mos管q1的柵極還通過第三電阻r3接地，mos管q1的源級(jí)接地，mos管q1的漏極通過第八電阻r8與分壓模塊連接，mos管q1的漏極還與三極管q4的基極連接，三極管q4的集電極通過第十一電阻r11接地，三極管q4的發(fā)射極通過第十六電阻r16與分壓模塊連接；
4、當(dāng)輸入電壓達(dá)到設(shè)定值時(shí)，分壓模塊分壓的電壓達(dá)到穩(wěn)壓二極管zd1的導(dǎo)通值，此時(shí)穩(wěn)壓二極管zd1導(dǎo)通，導(dǎo)通后經(jīng)過第一電阻r1、第三電阻r3分壓，mos管q1導(dǎo)通，mos管q1導(dǎo)通后漏極與源級(jí)對(duì)地，三極管q4導(dǎo)通，通過fb上下偏電阻分壓觸發(fā)第一單向可控硅q2、第二單向可控硅q3、第三單向可控硅q5以及第四單向可控硅q6關(guān)斷a點(diǎn)到b點(diǎn)的輸出，實(shí)現(xiàn)過壓保護(hù)。
5、進(jìn)一步的是，為了過濾高頻干擾信號(hào)，所述觸發(fā)模塊還包括第二電容c2，分壓模塊還通過第二電容c2接地。
6、進(jìn)一步的是，為了過濾低頻信號(hào)，所述觸發(fā)模塊還包括第一有極電容ec1，分壓模塊還通過第一有極電容ec1接地。
7、進(jìn)一步的是，為了對(duì)輸入電源進(jìn)行分壓，所述分壓模塊包括第二電阻r2、第六電阻r6、第十電阻r10、以及第一二極管d1，第一二極管d1的陽極與火線端l連接，第一二極管d1的陰極通過第二電阻r2、第六電阻r6以及第十電阻r10與觸發(fā)模塊連接。
8、進(jìn)一步的是，為了實(shí)現(xiàn)充電器拔掉之后的快速放電，所述放電模塊包括第四電阻r4、第五電阻r5、第七電阻r7以及第九電阻r9，火線端l通過第四電阻r4以及第五電阻r5與零線端n連接，火線端l還通過第七電阻r7以及第九電阻r9與零線端n連接。
9、進(jìn)一步的是，為了提高充電器的耐受電壓，所述耐受電壓模塊包括第二有極電容ec2與第三有極電容ec3，第二有極電容ec2與第三有極電容ec3分別連接在第三單向可控硅q5的陽極與第四單向可控硅q6的陰極之間。
10、進(jìn)一步的是，為了對(duì)輸入電壓進(jìn)行濾波，該裝置還包括第一電容c1，第一電容c1連接在火線端l與零線端n之間。
11、進(jìn)一步的是，為了提高裝置的保護(hù)能力，火線端l通過熔斷器f1連接在第四單向可控硅q6的陽極與第三單向可控硅q5的陰極之間，零線端n通過熱敏電阻ntc1連接在第一單向可控硅q2的陽極與第二單向可控硅q3的陰極之間。
12、進(jìn)一步的是，該裝置還包括第十二電阻r12、第十三電阻r13以及第十四電阻r14，第四單向可控硅q6的陰極通過第十二電阻r12、第十三電阻r13以及第十四電阻r14與pwm端或ic端或ovp端連接。
13、本專利技術(shù)的有益效果：
14、本專利技術(shù)通過多個(gè)單向可控硅構(gòu)成全橋電路，通過可控硅全橋電路關(guān)斷交流電壓的輸出，當(dāng)輸入達(dá)到一定的電壓后，觸發(fā)模塊觸發(fā)可控硅及時(shí)關(guān)斷，通過可控硅的控制極大地提高了過壓保護(hù)裝置的可靠性，提高了效率，降低了能源消耗，同時(shí)增加了使用壽命。
本文檔來自技高網(wǎng)...【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
1.基于可控硅輸入的過壓保護(hù)裝置，其特征在于，包括可控硅全橋模塊、放電模塊、耐受電壓模塊、分壓模塊以及觸發(fā)模塊，所述放電模塊連接在輸入電源的火線端(L)與零線端(N)之間，所述可控硅全橋模塊包括第一單向可控硅(Q2)、第二單向可控硅(Q3)、第三單向可控硅(Q5)以及第四單向可控硅(Q6)，第二單向可控硅(Q3)的陰極與第一單向可控硅(Q2)的陽極連接，第一單向可控硅(Q2)的陰極與第四單向可控硅(Q6)的陰極連接，第四單向可控硅(Q6)的陽極與第三單向可控硅(Q5)陰極連接，第三單向可控硅(Q5)陰極與第二單向可控硅(Q3)的陽極連接，第一單向可控硅(Q2)、第二單向可控硅(Q3)、第三單向可控硅(Q5)以及第四單向可控硅(Q6)的控制極相互連接，所述火線端(L)連接在第四單向可控硅(Q6)的陽極與第三單向可控硅(Q5)的陰極之間，所述零線端(N)連接在第一單向可控硅(Q2)的陽極與第二單向可控硅(Q3)的陰極之間，耐受電壓模塊連接在第三單向可控硅(Q5)的陽極與第四單向可控硅(Q6)的陰極之間，第四單向可控硅(Q6)的陰極為電壓輸出端，分壓模塊分別與火線端(L)以及觸發(fā)模塊連
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于可控硅輸入的過壓保護(hù)裝置，其特征在于，所述觸發(fā)模塊還包括第二電容(C2)，分壓模塊還通過第二電容(C2)接地。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于可控硅輸入的過壓保護(hù)裝置，其特征在于，所述觸發(fā)模塊還包括第一有極電容(EC1)，分壓模塊還通過第一有極電容(EC1)接地。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于可控硅輸入的過壓保護(hù)裝置，其特征在于，所述分壓模塊包括第二電阻(R2)、第六電阻(R6)、第十電阻(R10)、以及第一二極管(D1)，第一二極管(D1)的陽極與火線端(L)連接，第一二極管(D1)的陰極通過第二電阻(R2)、第六電阻(R6)以及第十電阻(R10)與觸發(fā)模塊連接。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于可控硅輸入的過壓保護(hù)裝置，其特征在于，所述放電模塊包括第四電阻(R4)、第五電阻(R5)、第七電阻(R7)以及第九電阻(R9)，火線端(L)通過第四電阻(R4)以及第五電阻(R5)與零線端(N)連接，火線端(L)還通過第七電阻(R7)以及第九電阻(R9)與零線端(N)連接。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于可控硅輸入的過壓保護(hù)裝置，其特征在于，所述耐受電壓模塊包括第二有極電容(EC2)與第三有極電容(EC3)，第二有極電容(EC2)與第三有極電容(EC3)分別連接在第三單向可控硅(Q5)的陽極與第四單向可控硅(Q6)的陰極之間。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于可控硅輸入的過壓保護(hù)裝置，其特征在于，該裝置還包括第一電容(C1)，第一電容(C1)連接在火線端(L)與零線端(N)之間。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于可控硅輸入的過壓保護(hù)裝置，其特征在于，火線端(L)通過熔斷器(F1)連接在第四單向可控硅(Q6)的陽極與第三單向可控硅(Q5)的陰極之間，零線端(N)通過熱敏電阻(NTC1)連接在第一單向可控硅(Q2)的陽極與第二單向可控硅(Q3)的陰極之間。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于可控硅輸入的過壓保護(hù)裝置，其特征在于，該裝置還包括第十二電阻(R12)、第十三電阻(R13)以及第十四電阻(R14)，第四單向可控硅(Q6)的陰極通過第十二電阻(R4)、第十三電阻(R4)以及第十四電阻(R4)與PWM端或IC端或OVP端連接。
...【技術(shù)特征摘要】
1.基于可控硅輸入的過壓保護(hù)裝置，其特征在于，包括可控硅全橋模塊、放電模塊、耐受電壓模塊、分壓模塊以及觸發(fā)模塊，所述放電模塊連接在輸入電源的火線端(l)與零線端(n)之間，所述可控硅全橋模塊包括第一單向可控硅(q2)、第二單向可控硅(q3)、第三單向可控硅(q5)以及第四單向可控硅(q6)，第二單向可控硅(q3)的陰極與第一單向可控硅(q2)的陽極連接，第一單向可控硅(q2)的陰極與第四單向可控硅(q6)的陰極連接，第四單向可控硅(q6)的陽極與第三單向可控硅(q5)陰極連接，第三單向可控硅(q5)陰極與第二單向可控硅(q3)的陽極連接，第一單向可控硅(q2)、第二單向可控硅(q3)、第三單向可控硅(q5)以及第四單向可控硅(q6)的控制極相互連接，所述火線端(l)連接在第四單向可控硅(q6)的陽極與第三單向可控硅(q5)的陰極之間，所述零線端(n)連接在第一單向可控硅(q2)的陽極與第二單向可控硅(q3)的陰極之間，耐受電壓模塊連接在第三單向可控硅(q5)的陽極與第四單向可控硅(q6)的陰極之間，第四單向可控硅(q6)的陰極為電壓輸出端，分壓模塊分別與火線端(l)以及觸發(fā)模塊連接；
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于可控硅輸入的過壓保護(hù)裝置，其特征在于，所述觸發(fā)模塊還包括第二電容(c2)，分壓模塊還通過第二電容(c2)接地。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于可控硅輸入的過壓保護(hù)裝置，其特征在于，所述觸發(fā)模塊還包括第一有極電容(ec1)，分壓模塊還通過第一有極電容(ec1)接地。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于可控硅輸入的過壓保護(hù)裝置，其特征在于，所述分壓模塊包括第二電阻(r2)、第六電阻(r6)、第十電阻(r10)、以及第一二極...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：劉海兵，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：深圳市威斯普科技有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：
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