【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
本專利技術(shù)涉及光通信領(lǐng)域，特別是指一種onu光驅(qū)芯片突發(fā)響應(yīng)時(shí)間ate測(cè)試方法。
技術(shù)介紹
1、在現(xiàn)有的pon（passive?optical?network：無源光纖網(wǎng)絡(luò)）技術(shù)中，onu（opticalnetwork?unit：光網(wǎng)絡(luò)單元）的上行采用時(shí)分復(fù)用技術(shù)，且onu上行處于突發(fā)發(fā)光狀態(tài)。
2、onu光驅(qū)芯片是指驅(qū)動(dòng)光器件發(fā)光的電芯片；目前主流的onu光驅(qū)芯片已經(jīng)集成了ldd模塊（laser?driver：激光驅(qū)動(dòng)器）、la模塊（limiting?amplifier：限幅放大器）和ddm模塊（digital?diagnostic?monitoring：數(shù)字診斷監(jiān)控）；其中，la模塊用于對(duì)接收信號(hào)進(jìn)行限幅放大，ddm模塊用于上報(bào)onu狀態(tài)；而ldd模塊為了保證不同溫度下激光器的輸出光功率穩(wěn)定而具有apc（automatic?power?control：自動(dòng)功率控制）閉環(huán)電路（apc閉環(huán)電路能實(shí)現(xiàn)光功率自動(dòng)控制功能），ldd模塊的apc閉環(huán)電路通過控制ibias偏置電流的大小來實(shí)現(xiàn)；ldd模塊中的ben（burst?enable，突發(fā)使能)模塊是用于接收突發(fā)使能信號(hào)的突發(fā)使能模塊，ben模塊用于控制ldd模塊的輸出。
3、onu光驅(qū)芯片突發(fā)響應(yīng)時(shí)間是指onu光驅(qū)芯片接收到允許發(fā)光的使能信號(hào)后控制激光器發(fā)光且激光器的輸出光達(dá)到穩(wěn)定的過程時(shí)間，這個(gè)onu光驅(qū)芯片突發(fā)響應(yīng)時(shí)間要求極短，onu光驅(qū)芯片突發(fā)響應(yīng)時(shí)間是保證onu能夠正常工作的重要時(shí)序。目前對(duì)onu光驅(qū)芯片突發(fā)響應(yīng)時(shí)間在實(shí)驗(yàn)室的測(cè)試需要采用高采樣率的
4、有鑒于上述問題的存在，有必要研究一種onu光驅(qū)芯片突發(fā)響應(yīng)時(shí)間ate測(cè)試方法，其采用現(xiàn)有的ate測(cè)試機(jī)和相應(yīng)的外圍測(cè)試電路進(jìn)行測(cè)試，測(cè)試硬件要求低。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、本專利技術(shù)的目的在于提供一種onu光驅(qū)芯片突發(fā)響應(yīng)時(shí)間ate測(cè)試方法，其采用現(xiàn)有的ate測(cè)試機(jī)和相應(yīng)的外圍測(cè)試電路進(jìn)行測(cè)試，測(cè)試硬件要求低。
2、為了達(dá)成上述目的，本專利技術(shù)的解決方案是：
3、一種onu光驅(qū)芯片突發(fā)響應(yīng)時(shí)間ate測(cè)試方法，其包括如下依次進(jìn)行的步驟：
4、步驟一：將onu光驅(qū)芯片與ate測(cè)試機(jī)和外圍測(cè)試電路連接，外圍測(cè)試電路使得onu光驅(qū)芯片處于閉環(huán)工作狀態(tài)；
5、步驟二：?jiǎn)?dòng)onu光驅(qū)芯片，由ate測(cè)試機(jī)將onu光驅(qū)芯片配置為連續(xù)閉環(huán)工作模式，且onu光驅(qū)芯片的ben模塊的基準(zhǔn)電流值設(shè)定為額定基準(zhǔn)電流值；然后onu光驅(qū)芯片在工作預(yù)設(shè)合格連續(xù)響應(yīng)時(shí)間后，由ate測(cè)試機(jī)讀取此時(shí)onu光驅(qū)芯片的寄存器中的biasdac值并換算成相應(yīng)的偏置電流值ib1；
6、若是該ib1≥a，則判定onu光驅(qū)芯片異常，測(cè)試結(jié)束；若是該ib1<a，則判定onu光驅(qū)芯片正常并進(jìn)入步驟三；a為onu光驅(qū)芯片在連續(xù)閉環(huán)工作模式下正常工作時(shí)的最大偏置電流值；
7、步驟三：由ate測(cè)試機(jī)先將onu光驅(qū)芯片配置為突發(fā)閉環(huán)工作模式，且onu光驅(qū)芯片的ben模塊的基準(zhǔn)電流值設(shè)定為額定基準(zhǔn)電流值；然后，ate測(cè)試機(jī)在預(yù)設(shè)合格突發(fā)響應(yīng)時(shí)間內(nèi)給onu光驅(qū)芯片的ben引腳輸入周期性脈沖使能信號(hào)；接著，ate測(cè)試機(jī)控制onu光驅(qū)芯片的ben引腳電平維持高電平；再接著，ate測(cè)試機(jī)讀取此時(shí)onu光驅(qū)芯片的寄存器中的biasdac值并換算成相應(yīng)的偏置電流值ib2；
8、若是該ib2≥b，則判定onu光驅(qū)芯片異常，測(cè)試結(jié)束；若是該ib2<b，則判定onu光驅(qū)芯片的突發(fā)響應(yīng)時(shí)間初步合格；b為onu光驅(qū)芯片在突發(fā)閉環(huán)工作模式下正常工作時(shí)的最大偏置電流值。
9、所述的一種onu光驅(qū)芯片突發(fā)響應(yīng)時(shí)間ate測(cè)試方法還包括依次進(jìn)行的步驟四、步驟五和步驟六；
10、在步驟三中，若是ib2<b，則判定onu光驅(qū)芯片的突發(fā)響應(yīng)時(shí)間初步合格并進(jìn)入步驟四；
11、步驟四：由ate測(cè)試機(jī)將onu光驅(qū)芯片配置為連續(xù)閉環(huán)工作模式，同時(shí)將onu光驅(qū)芯片的ben模塊的基準(zhǔn)電流值設(shè)置為測(cè)試基準(zhǔn)電流值，測(cè)試基準(zhǔn)電流值為額定基準(zhǔn)電流值的80%~97%；然后在onu光驅(qū)芯片工作預(yù)設(shè)合格連續(xù)響應(yīng)時(shí)間后，ate測(cè)試機(jī)讀取此時(shí)onu光驅(qū)芯片的寄存器中的ibias值并換算成相應(yīng)的偏置電流值ib3；
12、步驟五：由ate測(cè)試機(jī)先將onu光驅(qū)芯片配置為突發(fā)閉環(huán)工作模式；然后，ate測(cè)試機(jī)在預(yù)設(shè)合格突發(fā)響應(yīng)時(shí)間內(nèi)給onu光驅(qū)芯片的ben引腳輸入周期性脈沖使能信號(hào)；接著，ate測(cè)試機(jī)控制onu光驅(qū)芯片的ben引腳電平為高電平；再接著，ate測(cè)試機(jī)讀取此時(shí)onu光驅(qū)芯片的寄存器中的ibias值并換算成相應(yīng)的偏置電流值ib4；
13、步驟六：計(jì)算ib4和ib3的差值的絕對(duì)值；若是|ib4-ib3|<c，則判定onu光驅(qū)芯片異常，并結(jié)束測(cè)試；若是|ib4-ib3|≥c，則判定onu光驅(qū)芯片的突發(fā)響應(yīng)時(shí)間最終合格，并結(jié)束測(cè)試；c為onu光驅(qū)芯片在ben模塊基準(zhǔn)電流值為測(cè)試基準(zhǔn)電流值且工作模式為連續(xù)閉環(huán)模式下正常工作時(shí)的偏置電流值與onu光驅(qū)芯片在ben模塊基準(zhǔn)電流值為測(cè)試基準(zhǔn)電流值且工作模式為突發(fā)閉環(huán)模式下正常工作時(shí)的偏置電流值的差值的絕對(duì)值。
14、所述測(cè)試基準(zhǔn)電流值為額定基準(zhǔn)電流值的90%。
15、所述外圍測(cè)試電路包括電流鏡電路和電源電路，電源電路的正負(fù)極與onu光驅(qū)芯片的vcc引腳和gnd引腳分別連接，電流鏡電路的被鏡像端連接onu光驅(qū)芯片的biasp引腳，電流鏡電路的鏡像端連接onu光驅(qū)芯片的md引腳。
16、所述電流鏡電路包括電阻r1、電阻r2、電阻r3、電阻r4、三極管q1和三極管q2，電阻r1的第一端和電阻r2的第一端連接電源vcct，電阻r1的第二端與三極管q1的發(fā)射極連接，電阻r2的第二端與三極管q2的發(fā)射極連接，三極管q1的基極和集電極以及三極管q2的基極連接電阻r3的第一端，電阻r3的第二端連接所述電流鏡電路的被鏡像端，三極管q2的集電極連接電阻r4的第一端，電阻r4的第二端連接所述電流鏡電路的鏡像端。
17、所述預(yù)設(shè)合格連續(xù)響應(yīng)時(shí)間為10ms。
18、所述預(yù)設(shè)合格突變響應(yīng)時(shí)間為500ms。
19、采用上述方案后，本專利技術(shù)具有以下特點(diǎn)：
20、1、本專利技術(shù)通過現(xiàn)有的ate測(cè)試機(jī)和相應(yīng)的外圍測(cè)試電路就能對(duì)onu光驅(qū)芯片突發(fā)響應(yīng)時(shí)間是否合格進(jìn)行測(cè)試，測(cè)試硬件要求低；
21、2、本專利技術(shù)通過步驟一能實(shí)現(xiàn)對(duì)onu光驅(qū)芯片在連續(xù)閉環(huán)工作模式下是否合格；
22、3、本專利技術(shù)通過步驟四至步驟六，能模擬onu光驅(qū)芯片的ben模塊的基準(zhǔn)電流受工作溫度變化而產(chǎn)生的變化，并在此本文檔來自技高網(wǎng)...
【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
1.一種ONU光驅(qū)芯片突發(fā)響應(yīng)時(shí)間ATE測(cè)試方法，其特征在于：包括如下依次進(jìn)行的步驟：
2.如權(quán)利要求1所述的一種ONU光驅(qū)芯片突發(fā)響應(yīng)時(shí)間ATE測(cè)試方法，其特征在于：還包括依次進(jìn)行的步驟四、步驟五和步驟六；
3.如權(quán)利要求2所述的一種ONU光驅(qū)芯片突發(fā)響應(yīng)時(shí)間ATE測(cè)試方法，其特征在于：所述測(cè)試基準(zhǔn)電流值為額定基準(zhǔn)電流值的90%。
4.如權(quán)利要求1所述的一種ONU光驅(qū)芯片突發(fā)響應(yīng)時(shí)間ATE測(cè)試方法，其特征在于：所述外圍測(cè)試電路包括電流鏡電路和電源電路，電源電路的正負(fù)極與ONU光驅(qū)芯片的VCC引腳和GND引腳分別連接，電流鏡電路的被鏡像端連接ONU光驅(qū)芯片的BIASP引腳，電流鏡電路的鏡像端連接ONU光驅(qū)芯片的MD引腳。
5.如權(quán)利要求4所述的一種ONU光驅(qū)芯片突發(fā)響應(yīng)時(shí)間ATE測(cè)試方法，其特征在于：所述電流鏡電路包括電阻R1、電阻R2、電阻R3、電阻R4、三極管Q1和三極管Q2，電阻R1的第一端和電阻R2的第一端連接電源VCCT，電阻R1的第二端與三極管Q1的發(fā)射極連接，電阻R2的第二端與三極管Q2的發(fā)射極連接，三極管Q1的基極和
6.如權(quán)利要求1所述的一種ONU光驅(qū)芯片突發(fā)響應(yīng)時(shí)間ATE測(cè)試方法，其特征在于：所述預(yù)設(shè)合格連續(xù)響應(yīng)時(shí)間為10ms。
7.如權(quán)利要求1或6所述的一種ONU光驅(qū)芯片突發(fā)響應(yīng)時(shí)間ATE測(cè)試方法，其特征在于：所述預(yù)設(shè)合格突變響應(yīng)時(shí)間為500ms。
...【技術(shù)特征摘要】
1.一種onu光驅(qū)芯片突發(fā)響應(yīng)時(shí)間ate測(cè)試方法，其特征在于：包括如下依次進(jìn)行的步驟：
2.如權(quán)利要求1所述的一種onu光驅(qū)芯片突發(fā)響應(yīng)時(shí)間ate測(cè)試方法，其特征在于：還包括依次進(jìn)行的步驟四、步驟五和步驟六；
3.如權(quán)利要求2所述的一種onu光驅(qū)芯片突發(fā)響應(yīng)時(shí)間ate測(cè)試方法，其特征在于：所述測(cè)試基準(zhǔn)電流值為額定基準(zhǔn)電流值的90%。
4.如權(quán)利要求1所述的一種onu光驅(qū)芯片突發(fā)響應(yīng)時(shí)間ate測(cè)試方法，其特征在于：所述外圍測(cè)試電路包括電流鏡電路和電源電路，電源電路的正負(fù)極與onu光驅(qū)芯片的vcc引腳和gnd引腳分別連接，電流鏡電路的被鏡像端連接onu光驅(qū)芯片的biasp引腳，電流鏡電路的鏡像端連接onu光驅(qū)芯片的md引腳。
5.如權(quán)利要求4所述的一種onu光驅(qū)芯片突...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：鄭海江，高泉川，周良偉，方武強(qiáng)，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：廈門優(yōu)迅芯片股份有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：
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