【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及半導體工藝，具體而言，涉及一種半導體工藝設備、防止聚焦環偏移的控制方法、控制裝置、可讀存儲介質和計算機程序產品。
技術介紹
1、在半導體設備中，聚焦環(focusring，以下簡稱fr)是一個非常重要的部件，位于半導體設備的反應腔內,用于延伸等離子區域，提高晶圓(wafer)邊緣的刻蝕速度，提高刻蝕均勻性。由于聚焦環與晶圓之間的間距極小(約0.1mm-0.3mm內)，當腔室內氣流發生變化時，例如，在開腔至合腔，腔室由大氣狀態到真空狀態的抽真空過程中，容易導致聚焦環發生徑向微小晃動，使得聚焦環與晶圓之間的間距發生微小偏移，如果使得聚焦環與晶圓接觸，則存在工藝過程中的打火(arcing)風險，為了防止由于腔室氣流變化而引起聚焦環發生微小偏移及與晶圓接觸造成工藝過程中打火，則可以在腔室大氣狀態到真空狀態過程中固定聚焦環位置不變，直至聚焦環由靜電吸附穩固。
技術實現思路
1、本專利技術的目的在于提供一種半導體工藝設備，以解決腔室從大氣狀態到真空狀態抽氣過程中聚焦環位置偏移技術問題。
2、本專利技術提供的半導體工藝設備，包括：
3、腔室；
4、承載盤，位于所述腔室內，所述承載盤具有第一承載部和環繞于所述第一承載部外周側的第二承載部，所述第一承載部用于承載晶圓，所述第二承載部承載有聚焦環；所述第二承載部設有第一氣道和電連接于吸附電源的的吸附電極，所述第一氣道連通于所述聚焦環的背面，所述吸附電極用于吸附所述聚焦環的背面；以及，
5、腔
6、本專利技術的半導體工藝設備帶來的有益效果是：
7、通過在承載聚焦環的第二承載部中設置第一氣道，可以利用第一氣道通過抽氣管道進一步與具有抽氣功能的裝置或部件相連，對聚焦環的背面進行抽氣，使得聚焦環背面的氣壓小于聚焦環正面氣壓，氣壓差作用于聚焦環以實現聚焦環的背面與第二承載部更加緊實地接觸，從而在吸附電源對聚焦環通過庫侖力進行吸附時，可以更穩定地吸附，防止腔室在從大氣狀態到真空狀態的抽氣過程中，聚焦環的位置發生偏移。
8、可選的技術方案中，半導體工藝設備還包括腔室抽氣通道，所述腔室抽氣通道通過抽氣管道與所述第一氣道相連。
9、可選的技術方案中，所述半導體工藝設備還包括供氣通道，所述供氣通道通過第一供氣閥與所述第一氣道相連。所述供氣通道配置為與冷卻氣氣源相連。
10、可選的技術方案中，所述半導體工藝設備還包括：
11、壓緊工裝，壓緊工裝用于將聚焦環壓緊于第二承載部，所述壓緊工裝包括工裝基座和固設于所述工裝基座下端部的工裝襯墊；所述工裝襯墊由彈性材質制作而成。
12、可選的技術方案中，吸附電源具有多個，每個吸附電源獨立地電連接至少一個吸附電極；各個吸附電極間隔設置于第二承載部。
13、本專利技術的第二個目的在于提供一種防止聚焦環偏移的控制方法，以解決腔室從大氣狀態到真空狀態抽氣過程中聚焦環位置偏移的技術問題。
14、本專利技術提供的防止聚焦環偏移的控制方法，應用于上述任一項的半導體工藝設備，所述控制方法包括：抽氣吸附步和庫侖力吸附步；
15、所述抽氣吸附步包括：
16、控制所述腔室抽氣通道關斷，并控制所述第一氣道和所述抽氣管道開通，以在大氣環境下對位于所述第二承載部在所述聚焦環的背面區域進行抽氣吸附；
17、若所述聚焦環抽氣吸附到位，執行庫侖力吸附步；
18、庫侖力吸附步包括：
19、控制所述第一氣道和所述抽氣管道關斷，控制所述腔室抽氣通道開通，以對所述反應腔抽氣；
20、獲得所述反應腔壓力值，若所述反應腔壓力值小于反應腔壓力閾值，開啟吸附電源；
21、獲得所述吸附電源的工作參數，所述工作參數包括電源極性和/或電壓值；若所述吸附電源的工作參數達到設定值，控制所述半導體工藝開始。
22、本專利技術的第三個目的在于提供一種防止聚焦環偏移的控制方法，以解決腔室從大氣狀態到真空狀態抽氣過程中聚焦環位置偏移的技術問題。
23、本專利技術提供的防止聚焦環偏移的控制方法，應用于上述任一項的半導體工藝設備，所述控制方法包括：抽氣吸附步和庫侖力吸附步；
24、所述抽氣吸附步包括：
25、控制所述腔室抽氣通道和所述供氣通道關斷，并控制所述第一氣道和所述抽氣管道開通，以在大氣環境下對位于所述第二承載部在所述聚焦環的背面區域進行抽氣吸附；
26、若所述聚焦環抽氣吸附到位，執行庫侖力吸附步；
27、庫侖力吸附步包括：
28、控制所述第一氣道和所述抽氣管道關斷，控制所述腔室抽氣通道開通，以對所述反應腔抽氣；
29、獲得所述反應腔壓力值，若所述反應腔壓力值小于反應腔壓力閾值，開啟吸附電源；
30、獲得所述吸附電源的工作參數，所述工作參數包括電源極性和/或電壓值；若所述吸附電源的工作參數達到設定值，控制所述供氣通道開通，以對所述聚焦環的背面區域供氣。
31、上述專利技術提供的控制方法帶來的有益效果是：
32、通過將第一氣道和所述抽氣管道開通，并使得腔室抽氣通道斷開，可以實現對第二承載部在聚焦環的背面區域抽氣，以利于聚焦環背面的這部分區域氣壓降低，減少乃至于消除聚焦環在從大氣狀態到真空開關狀態中移動的可能性。
33、通過開啟吸附電源，并且在吸附電源的工作參數到達設定值之后，控制空氣通道開通，可以利用庫侖力吸附聚焦環，足以保證聚焦環可以受到足夠大的作用力，以與第二承載部之間產生較大壓力，保證聚焦環的位置穩定。
34、可選的技術方案中，所述庫侖力吸附步還包括：
35、獲得所述供氣通道的冷卻氣漏率值，若所述冷卻氣漏率值小于冷卻氣漏率閾值，控制所述供氣通道關斷，并確定所述聚焦環滿足工藝條件，若所述冷卻氣漏率值大于等于所述冷卻氣漏率閾值，重新執行所述抽氣吸附步和庫侖力吸附步。
36、可選的技術方案中，所述吸附抽氣壓力閾值范圍為：0.1torr～0.3torr；
37、所述反應腔壓力閾值小于大氣壓值；
38、所述冷卻氣漏率閾值范圍為：1sccm-4sccm。
39、可選的技術方案中，所述抽氣吸附步還包括：若所述腔室處于開腔狀態，則提示放置壓緊工裝，以將所述壓緊工裝置于所述聚焦環的上端面；
40、若所述聚焦環抽氣吸附到位，則提示移除壓緊工裝，以將所述壓緊工裝移出腔室，并關閉所述腔室，執行庫侖力吸附步。
41、可選的技術方案中，所述聚焦環抽氣吸附到位之前，所述抽氣吸附步中，還包括：
42、獲取抽氣管道壓力值；
43、判斷所述抽氣管道是否小于吸附抽氣壓力閾值；
44、若是，確定所述聚焦環抽氣吸附到位。
45、可選的技術方案中，所述庫侖力吸附步中，若所述吸附電源的工作參數達到設定值，控制所述供氣通道開通，包括：<本文檔來自技高網...
【技術保護點】
1.一種半導體工藝設備，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的半導體工藝設備，其特征在于，所述腔室抽氣通道(41)通過所述抽氣管道(29)與所述第一氣道(23)相連。
3.根據權利要求1所述的半導體工藝設備，其特征在于，所述半導體工藝設備還包括供氣通道(51)，所述供氣通道(51)與所述第一氣道(23)相連，所述供氣通道(51)配置為與冷卻氣氣源(54)相連。
4.根據權利要求1-3中任一項所述的半導體工藝設備，其特征在于，所述半導體工藝設備還包括：
5.根據權利要求1-3中任一項所述的半導體工藝設備，其特征在于，吸附電源具有多個，每個吸附電源獨立地電連接至少一個吸附電極；連接不同的吸附電源的吸附電極與承載盤的中心具有不同的距離。
6.一種防止聚焦環偏移的控制方法，其特征在于，應用于權利要求1-5任一項的半導體工藝設備，所述控制方法包括：抽氣吸附步和庫侖力吸附步；
7.一種防止聚焦環偏移的控制方法，其特征在于，應用于權利要求3的半導體工藝設備，所述控制方法包括：抽氣吸附步和庫侖力吸附步；
8
9.根據權利要求8所述的控制方法，其特征在于，所述吸附抽氣壓力閾值范圍為：0.1Torr～0.3Torr；
10.根據權利要求6或7所述的控制方法，其特征在于，所述抽氣吸附步還包括：若所述腔室(31)處于開腔狀態，則提示放置壓緊工裝(60)，以將所述壓緊工裝(60)置于所述聚焦環(14)的上端面；
11.根據權利要求6-9任一項所述的控制方法，其特征在于，所述聚焦環(14)抽氣吸附到位之前，所述抽氣吸附步中，還包括：
12.根據權利要求7-9任一項所述的控制方法，其特征在于，所述庫侖力吸附步中，若所述吸附電源的工作參數達到設定值，控制所述供氣通道(51)開通，包括：
13.根據權利要求12所述的控制方法，其特征在于，所述第一時長范圍為：1s～10s；
14.根據權利要求7-9和13中任一項所述的控制方法，其特征在于，所述庫侖力吸附步中，所述控制所述供氣通道(51)開通之后，還包括：
15.根據權利要求7-9和13中任一項所述的控制方法，其特征在于，所述半導體工藝設備中，所述吸附電源具有多個，每個吸附電源獨立地電連接至少一個所述吸附電極；各個所述吸附電極間隔設置于所述第二承載部(22)；所述控制方法還包括庫侖力吸附調整步；
16.根據權利要求13所述的控制方法，其特征在于，所述更改所述吸附電源的工作參數，包括：
17.根據權利要求16的控制方法，其特征在于，更改吸附電源的工作參數還包括控制各所述吸附電源的極性非同步地更改。
18.一種控制裝置，包括存儲器、處理器及存儲在存儲器上的計算機程序，其特征在于，所述處理器執行所述計算機程序以實現權利要求6-17中任一項所述控制方法的步驟。
19.一種可讀存儲介質，其上存儲有計算機程序，其特征在于，該計算機程序/指令被處理器執行時實現權利要求6-17中任一項所述控制方法的步驟。
20.一種計算機程序產品，包括計算機程序，其特征在于，該計算機程序被處理器執行時實現權利要求6-17中任一項所述控制方法的步驟。
...【技術特征摘要】
1.一種半導體工藝設備，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的半導體工藝設備，其特征在于，所述腔室抽氣通道(41)通過所述抽氣管道(29)與所述第一氣道(23)相連。
3.根據權利要求1所述的半導體工藝設備，其特征在于，所述半導體工藝設備還包括供氣通道(51)，所述供氣通道(51)與所述第一氣道(23)相連，所述供氣通道(51)配置為與冷卻氣氣源(54)相連。
4.根據權利要求1-3中任一項所述的半導體工藝設備，其特征在于，所述半導體工藝設備還包括：
5.根據權利要求1-3中任一項所述的半導體工藝設備，其特征在于，吸附電源具有多個，每個吸附電源獨立地電連接至少一個吸附電極；連接不同的吸附電源的吸附電極與承載盤的中心具有不同的距離。
6.一種防止聚焦環偏移的控制方法，其特征在于，應用于權利要求1-5任一項的半導體工藝設備，所述控制方法包括：抽氣吸附步和庫侖力吸附步；
7.一種防止聚焦環偏移的控制方法，其特征在于，應用于權利要求3的半導體工藝設備，所述控制方法包括：抽氣吸附步和庫侖力吸附步；
8.根據權利要求7所述的控制方法，其特征在于，所述庫侖力吸附步還包括：
9.根據權利要求8所述的控制方法，其特征在于，所述吸附抽氣壓力閾值范圍為：0.1torr～0.3torr；
10.根據權利要求6或7所述的控制方法，其特征在于，所述抽氣吸附步還包括：若所述腔室(31)處于開腔狀態，則提示放置壓緊工裝(60)，以將所述壓緊工裝(60)置于所述聚焦環(14)的上端面；
11.根據權利要求6-9任一項所述的控制...
【專利技術屬性】
技術研發人員：王月姣，張子鵬，
申請(專利權)人：北京北方華創微電子裝備有限公司，
類型：發明
國別省市：
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