【技術實現步驟摘要】
本專利技術屬于半導體芯片封裝，具體涉及一種陶瓷封裝基板、半導體芯片及陶瓷封裝基板的制作方法。
技術介紹
1、封裝基板是芯片的載體，同時也是芯片與pcb線路板之間連接的橋梁，它的重要程度也很顯著。目前，業界的封裝基板都是通過abf疊層基板為主流，abf疊層基板具有優異的抗腐蝕性、耐高溫、良好的散熱性和電熱性能等優點，但是在實際加工過程中，由于abf疊層基板的各種材料間熱膨脹系數不同，造成加工后abf疊層的翹曲幅度較大的缺點。
2、為此，有必要設計一種抗翹曲的陶瓷封裝基板及其制作方法，同時也設計了應用該陶瓷封裝基板進行封裝的半導體芯片結構。
技術實現思路
1、為了解決現有技術存在的上述問題，本方案提供了一種陶瓷封裝基板、半導體芯片及陶瓷封裝基板的制作方法。
2、本專利技術所采用的技術方案為：
3、一種陶瓷封裝基板，包括陶瓷芯板和abf/bt復合層；
4、所述陶瓷芯板包括陶瓷基板和電鍍銅覆膜層；所述陶瓷基板上設置有若干互聯孔，互聯孔貫穿陶瓷基板的上下表面；陶瓷基板的上表面和下表面以及互聯孔的孔壁上均設置所述電鍍銅覆膜層；所述互聯孔內還填充有油墨；
5、陶瓷芯板的上方和下方均設置有abf/bt復合層，所述abf/bt復合層包括若干層疊布置的abf/bt層，每個abf/bt層的外側均設置有覆銅板層；覆銅板層上加工形成有若干聯通焊盤；在所述覆銅板層上設置有若干凹槽，在各凹槽處的abf/bt層上設置有盲孔；所述盲孔內設置有銅柱；
...【技術保護點】
1.一種陶瓷封裝基板，其特征在于：包括陶瓷芯板（100）和ABF/BT復合層（300）；
2.根據權利要求1所述的陶瓷封裝基板，其特征在于：所述陶瓷基板（101）為92瓷、95瓷、或99瓷，并由氧化鋁、氮化鋁或氮化硅材料制成。
3.根據權利要求1所述的陶瓷封裝基板，其特征在于：所述互聯孔（310）由激光打孔而成。
4.根據權利要求1所述的陶瓷封裝基板，其特征在于：所述凹槽（240）為機械打孔形成的槽結構，盲孔（230）為機械打孔形成的孔結構。
5.一種半導體芯片，其特征在于：包括倒裝芯片（510）、散熱蓋（700）和權利要求1-4之一所述的陶瓷封裝基板（001）；所述倒裝芯片（510）的下表面設置有用于對外接電的種子層（260），種子層（260）通過若干凸點（602）與陶瓷封裝基板（001）上表面的聯通焊盤電連接；散熱蓋（700）覆蓋在倒裝芯片（510）的上方，散熱蓋（700）的內頂部通過散熱膠（420）與倒裝芯片（510）接觸。
6.根據權利要求5所述的半導體芯片，其特征在于：所述散熱蓋（700）下方的倒裝芯片（510
7.根據權利要求5所述的半導體芯片，其特征在于：所述散熱蓋（700）的邊沿通過上蓋膠（430）與陶瓷封裝基板（001）的上表面粘連。
8.根據權利要求5所述的半導體芯片，其特征在于：所述散熱蓋（700）下方的陶瓷封裝基板（001）上還設置有電子元器件（511），倒裝芯片（510）與陶瓷封裝基板（001）之間設置有底填膠（410）；在陶瓷封裝基板（001）下表面的焊盤上設置有錫球（604）。
9.一種陶瓷封裝基板的制作方法，用于制作權利要求1-4之一的所述陶瓷封裝基板，其特征在于：包括以下步驟：
...【技術特征摘要】
1.一種陶瓷封裝基板，其特征在于：包括陶瓷芯板（100）和abf/bt復合層（300）；
2.根據權利要求1所述的陶瓷封裝基板，其特征在于：所述陶瓷基板（101）為92瓷、95瓷、或99瓷，并由氧化鋁、氮化鋁或氮化硅材料制成。
3.根據權利要求1所述的陶瓷封裝基板，其特征在于：所述互聯孔（310）由激光打孔而成。
4.根據權利要求1所述的陶瓷封裝基板，其特征在于：所述凹槽（240）為機械打孔形成的槽結構，盲孔（230）為機械打孔形成的孔結構。
5.一種半導體芯片，其特征在于：包括倒裝芯片（510）、散熱蓋（700）和權利要求1-4之一所述的陶瓷封裝基板（001）；所述倒裝芯片（510）的下表面設置有用于對外接電的種子層（260），種子層（260）通過若干凸點（602）與陶瓷封裝基板（001）上表面的聯通焊盤電連接；散...
【專利技術屬性】
技術研發人員：張龍，方家恩，韓占友，王麗瑩，祁紅強，蒙炳開，
申請(專利權)人：蘇州銳杰微科技集團有限公司，
類型：發明
國別省市：
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