【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及激光參數測量領域，尤其涉及一種vcsel芯片的激光參數測量方法及系統。
技術介紹
1、vcsel(vertical-cavity?surface-emitting?laser，垂直腔面發射激光器)。
2、vcsel芯片在出廠前需要對其激光參數進行測試，例如對vcsel芯片的光斑半徑、發散角、束散角進行測量。
3、激光參數的測量往往以1/e2或86%界定，故需要計算以光斑質心為圓心，圓內能量達到光斑總能量預設閾值（例如86%）時的最小半徑，現有技術往往從中心點開始向外作圓，依次計算各圓形區域所對應的能量值，即，從半徑為1起作圓，重復對各半徑所對應的圓內能量進行計算，直至圓內能量達到光斑總能量預設閾值，此方法計算時間長，測量效率低。
技術實現思路
1、本專利技術針對現有測量圓內能量達到光斑總能量預設閾值時所對應的最小半徑的方案，用時長，效率低的缺點，提供了一種vcsel芯片的激光參數測量方法及系統，通過趨勢變化函數計算預測半徑，對預測半徑進行糾偏以獲得目標半徑，能夠優化測量方案，有效提高計算效率。
2、一方面，本專利技術提供一種vcsel芯片的激光參數測量方法，用于測量能量達到光斑總能量預設閾值時的最小半徑，包括以下步驟：
3、獲取vcsel芯片所對應的第一圖像和第二圖像，所述第一圖像為所述vcsel芯片未點亮狀態下所對應的背景圖，所述第二圖像為所述vcsel芯片點亮狀態下所對應的光斑圖；
4、基于所述第一圖像和
5、獲取所述第三圖像所對應的灰度總值，獲得第一灰度值；
6、基于所述第三圖像確定光斑質心；
7、以所述光斑質心為圓心，于所述第三圖像上劃分一圓形區域，將所述圓形區域所對應的灰度總值記為第二灰度值；將所述第二灰度值和所述第一灰度值的比例作為能量比例，將所述能量比例滿足預設的完成條件時所對應的圓形區域的半徑作為目標半徑；
8、所述完成條件為能量比例達到預設的目標比例閾值時的最小比例；
9、確定目標半徑的具體步驟為：
10、構建趨勢變化函數，所述趨勢變化函數包括圓形區域的半徑與對應的能量比例的關系；
11、基于預設的目標比例閾值，使用所述趨勢變化函數進行半徑計算，獲得預測半徑；
12、獲取所述預測半徑所對應的能量比例；
13、當所述預測半徑所對應的能量比例不滿足預設的完成條件時，根據所述能量比例和所述目標比例閾值的偏差更新所述預測半徑，直至所得預測半徑所對應的能量比例滿足完成條件，將所述預測半徑作為目標半徑。
14、由于工業相機的分辨率一般較高（8m以上），從半徑為1開始計算各半徑所對應的圓內能量，以測量出圓內能量達到光斑總能量預設閾值時的最小半徑，往往需要經歷幾百次循環，耗時長，例如實際測量中一個vcsel芯片需要耗時十分鐘以上，不適用于出廠前大批量的測試；
15、本專利技術通過對趨勢變化函數的設計，基于計算所得的預測半徑確定對應圓形區域所對應的灰度總值，并計算該預測半徑所對應的能量比例；
16、當所構建的趨勢變化函數與實際趨勢相貼合，能量比例與目標比例閾值相等，可直接確定目標半徑；
17、當所構建的趨勢變化函數與實際趨勢存在偏差，通過能量比例與目標比例閾值的偏差進行糾偏，從而快速獲得目標半徑；
18、本專利技術能夠通過縮減半徑計算的循環次數減少計算量，從而有效縮減計算用時并提高測量效率，滿足vcsel芯片出廠測試的效率要求。
19、另一方面，本專利技術還提供一種vcsel芯片的激光參數測量方法，用于測量vcsel芯片的d86發散角，包括以下步驟：
20、配置目標比例；
21、基于上述激光參數測量方法，測量能量值占光斑總能量達到所述目標比例時所對應的最小半徑，獲得相應目標半徑；
22、基于所述目標半徑確定對應vcsel芯片的d86發散角。
23、vcsel芯片的發散角作為評判芯片的重要指標，其基于測量實驗參數和目標半徑通過三角函數求解獲得，本專利技術通過基于上述方法能夠快速獲得相對應的目標半徑，從而提高vcsel芯片的發散角的測量效率。
24、另一方面，本專利技術還提出一種vcsel芯片的激光參數測量系統，用于執行上述用于測量能量達到光斑總能量預設閾值時的最小半徑的激光參數測量方法和/或上述用于測量d86發散角的激光參數測量方法。
25、本專利技術由于采用了以上技術方案，具有顯著的技術效果：
26、本專利技術通過對趨勢變化函數的設計，基于目標比例閾值可計算獲得一預測半徑，基于所得預測半徑獲取能量比例后，基于能量比例與目標比例閾值的偏差調整預測半徑直至獲得相應的目標半徑，從而快速得到vcsel芯片所對應的目標半徑，有效減少計算用時，提高測量效率。
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1.一種VCSEL芯片的激光參數測量方法，其特征在于，包括以下步驟：
2.根據權利要求1所述的一種VCSEL芯片的激光參數測量方法，其特征在于，構建趨勢變化函數的具體步驟為：
3.根據權利要求2所述的一種VCSEL芯片的激光參數測量方法，其特征在于，于所述第三圖像上建立四條以所述光斑質心為起點，分別以四個正交方向向外放射的灰度變化線。
4.根據權利要求2所述的一種VCSEL芯片的激光參數測量方法，其特征在于：
5.根據權利要求1至4任一所述的一種VCSEL芯片的激光參數測量方法，其特征在于，根據能量比例與目標比例閾值的偏差更新預測半徑的具體步驟為：
6.根據權利要求5所述的一種VCSEL芯片的激光參數測量方法，其特征在于：
7.根據權利要求5所述的一種VCSEL芯片的激光參數測量方法，其特征在于，判定是否達到預設的完成條件的方法為：
8.一種VCSEL芯片的激光參數測量方法，用于測量VCSEL芯片的D86發散角，其特征在于，包括以下步驟：
9.根據權利要求8所述的一種VCSEL芯片的激
10.一種VCSEL芯片的激光參數測量系統，其特征在于，用于執行如權利要求1至9任意一項所述的激光參數測量方法。
...【技術特征摘要】
1.一種vcsel芯片的激光參數測量方法，其特征在于，包括以下步驟：
2.根據權利要求1所述的一種vcsel芯片的激光參數測量方法，其特征在于，構建趨勢變化函數的具體步驟為：
3.根據權利要求2所述的一種vcsel芯片的激光參數測量方法，其特征在于，于所述第三圖像上建立四條以所述光斑質心為起點，分別以四個正交方向向外放射的灰度變化線。
4.根據權利要求2所述的一種vcsel芯片的激光參數測量方法，其特征在于：
5.根據權利要求1至4任一所述的一種vcsel芯片的激光參數測量方法，其特征在于，根據能量比例與目標比例閾值的偏...
【專利技術屬性】
技術研發人員：盧夢哲，胡文俊，楊慧芳，劉星星，王偉，
申請(專利權)人：浙江睿熙科技有限公司，
類型：發明
國別省市：
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