結合物理氣相沉積及電著沉積的制作方法技術

本發明專利技術公開一種結合物理氣相沉積及電著沉積的制作方法，其步驟包括提供一被鍍物基材；在該被鍍物基材的一表面以一物理氣相沉積形成有一碳化層；在該碳化層表面再以另一物理氣相沉積形成有一導電層；在該導電層表面以一電著沉積形成有一外表層；為此，可在被鍍物基材上形成一復合式均勻鍍膜。

【技術實現步驟摘要】

本專利技術涉及一種鍍著制作方法，尤其涉及一種。
技術介紹
以往可供選用的電子產品的外觀，幾乎都大同小異或僅是單純幾何形狀的簡單變 化，并無法吸引消費者的購買欲望，但隨著繪圖軟件的不斷提升及模具的日益精進，在昔日 認為不能制出的曲面造型或復雜形狀，皆逐一的被克服且不斷的有新產品被推出市場，且 獲得消費者普遍性的青睞與好評；然而，此等電子產品的外觀形狀固然重要，但是若能加上 顏色的搭配，則其產品可說是立于不敗的地位；因此，如何對此等電子產品進行表面的鍍著 處理，則是本專利技術所要解決的課題。 現有用于電子產品的表面處理方式有噴漆、印刷、涂裝、鍍著、蒸著等相當繁多，其中在物理氣相沉積(PVD及電著沉積(ED Coating)亦經常被采用，此物理氣相沉積所形成的鍍膜雖然具有較佳的耐磨耗等特性，但對于非平面狀的板體、殼體、不規則曲面或復雜形狀時，其在側板及各板面的相接處所形成的鍍膜相當的稀疏，不僅造成抗磨耗效果不佳，更嚴重的影響到產品的美觀性，且以物理氣相沉積方式來進行鍍膜時，因受到環境溫度及涂料特性的限制，其對于顏色的變化較為鮮少，而不符合階段性的產品鍍膜需求。另，電著沉 積雖然具有較多的顏色變化等特性，但是其在耐磨耗等方面卻是不甚理想；著實有待加以改善。
技術實現思路
本專利技術的一目的，在于提供一種，其是 可在被鍍物基材上形成一復合式均勻鍍膜。 為了達到上述的目的，本專利技術提供一種，其步驟包括 a)提供一被鍍物基材； b)在該被鍍物基材的一表面以一物理氣相沉積形成有一碳化層； c)在該碳化層表面再以另一物理氣相沉積形成有一導電層；及 d)在該導電層表面以一電著沉積形成有一外表層。 為了達到上述的目的，本專利技術提供另一種，其步驟包括 a)提供一被鍍物基材； b)在該被鍍物基材的一表面以一物理氣相沉積形成有一導電層；及 c)在該導電層表面以一電著沉積形成有一外表層。 本專利技術對照現有技術具有以下功效，對于非平面狀被鍍物基材，由電著沉積方式 所形成的外表層，不僅可有效地改善物理氣相沉積所造成的鍍膜不均現象，進而提升產品遮瑕效果；更可利用此電著沉積在被鍍物基材外表面制作出各種不同顏色，而增加顏色的變化性及整體的美觀性；由于在電著沉積時各板面的接合處聚集有較多的電子，可在前述的接合處的位置形成有較厚的鍍膜，以有效解決物理氣相沉積所存在鍍膜稀疏問題。以下結合附圖和具體實施例對本專利技術進行詳細描述，但不作為對本專利技術的限定。附圖說明 圖1為本專利技術的方法的制作流程圖； 圖2為本專利技術應用于手機前蓋的立體外觀圖； 圖3為圖2的剖視放大圖； 圖4為本專利技術的另一實施方法制作流程圖； 圖5為本專利技術的另一實施方法應用于手機前蓋的剖視放大圖, 其中，附圖標記 被鍍物基材10 外表面11 內表面12 碳化層20 導電層30 外表層40具體實施例方式有關本專利技術的詳細說明及
技術實現思路
，配合圖式說明如下，然而所附圖式僅提供參考與說明用，并非用來對本專利技術加以限制。 請參閱圖1、圖2及圖3所示，分別為本專利技術的制作流程圖、應用于手機前蓋的立體外觀圖及圖2的剖視放大圖，本專利技術提供一種，其步驟包括 a)提供一被鍍物基材IO(如圖2所示)；在此步驟中，被鍍物基材10可為導電體或非導電體的材料所制成，本實施例的被鍍物基材10為一手機前蓋，其具有一外表面11及一內表面12。 b)在該被鍍物基材10的 一 表面11以 一 物理氣相沉積(PhysicalV即orD印osition， PVD)形成有一碳化層20(如圖3所示)；在此步驟中，將被鍍物基材10置入一物理氣相蒸鍍機中(圖未示)，其靶材可為鈦靶、鉻靶及鋯靶的任一種，其工藝參數如下此蒸鍍機內部設定參數為工作真空度0. 1 0. 2Pa，轉架速度為10 20Hz，內部轟擊清洗氣體為氬(Ar)，轟擊清洗氣體流量為400 500SCCM，轟擊清洗時間5 15分鐘(min)，轟擊清洗偏壓為-500 -700V,中頻電流30 40A，中頻電壓500 700V，鍍膜偏壓-50 _20(^，鍍膜溫度150 30(TC，鍍膜氣體為氬(Ar)及乙炔(C2H2)混合氣體，其中氬(Ar)鍍膜氣體流量為60 70SCCM，而乙炔(C2H2)鍍膜氣體流量為450 650SCCM，鍍膜時間為40 45分鐘(min)。如此，即可在被鍍物基材10的外表面11形成有一碳化層20。 c)在該碳化層20表面再以另一物理氣相沉積(Physical V即or D印osition，PVD)形成有一導電層30(如圖3所示)；在此步驟中，相關參數及氬(Ar)鍍膜氣體流量維持不變，而改變鍍膜氣體中的乙炔(C2H2)流量為250 350SCCM，且鍍膜時間為1 2分鐘(min)。如此，即可在被鍍物基材10的外表面11形成有一導電層30。 d)在該導電層30表面以一電著沉積(Electrod印osition Coating，ED Coating)形成有一外表層40 (如圖3所示)，在此步驟中，將披覆有導電層30的半成品置入一電著涂裝機中(圖未示)，而對此半成品施以電著沉積，此電著沉積所使用涂料必須是選自一陽離子型電著涂料或一陰離子型電著涂料；以在此手機前蓋的側壁、側壁及面板的接合處形成有一復合式均勻鍍膜。 請參閱圖4及圖5所示，分別為本專利技術另一實施例制作流程圖及應用于手機前蓋的剖視放大圖，其步驟包括 a)提供一被鍍物基材10(如第五圖所示)；在此步驟中，被鍍物基材10可為導電體或非導電體的材料所制成，本實施例的被鍍物基材10為一手機前蓋。 b)在該被鍍物基材10的一表面以一物理氣相沉積形成有一導電層30 ;在此步驟中，將被鍍物基材10置入一物理氣相蒸鍍機中(圖未示)，其靶材可為鈦靶、鉻靶及鋯靶的任一種，其工藝參數如下此蒸鍍機內部設定參數為工作真空度0. 1 0. 2Pa，轉架速度為10 20Hz，內部轟擊清洗氣體為氬(Ar)，轟擊清洗氣體流量為400 500SCCM，轟擊清洗時間5 15分鐘(min)，轟擊清洗偏壓為-500 -700V,中頻電流30 40A，中頻電壓500 700V，鍍膜偏壓-50 _20(^，鍍膜溫度150 300。C，鍍膜氣體為氬(Ar)及乙炔(C2H2)混合氣體，其中氬(Ar)鍍膜氣體流量為60 70SCCM，而乙炔(C2H2)鍍膜氣體流量為300 500SCCM，鍍膜時間為30 35分鐘(min);如此，即可在被鍍物基材10的表面形成有一導電層30。 c)在該導電層30表面以一 電著沉積形成有一外表層40 (如圖5所示)，在此步驟中，在此步驟中，將披覆有導電層30的半成品置入一電著涂裝機中(圖未示)，而對此半成品施以電著沉積，此電著沉積所使用涂料必須是選自一陽離子型電著涂料或一陰離子型電著涂料。以在此手機前蓋的側壁、側壁及面板的接合處形成有一復合式均勻鍍膜。 當然，本專利技術還可有其它多種實施例，在不背離本專利技術精神及其實質的情況下，熟悉本領域的技術人員當可根據本專利技術作出各種相應的改變和變形，但這些相應的改變和變形都應屬于本專利技術所附的權利要求的保護范圍。本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種結合物理氣相沉積及電著沉積的制作方法，其特征在于，步驟包括：　　ａ）提供一被鍍物基材；　　ｂ）在該被鍍物基材的一表面以一物理氣相沉積形成有一碳化層；　　ｃ）在該碳化層表面再以另一物理氣相沉積形成有一導電層；及　　ｄ）在該導電層表面以一電著沉積形成有一外表層。

【技術特征摘要】
一種結合物理氣相沉積及電著沉積的制作方法，其特征在于，步驟包括a)提供一被鍍物基材；b)在該被鍍物基材的一表面以一物理氣相沉積形成有一碳化層；c)在該碳化層表面再以另一物理氣相沉積形成有一導電層；及d)在該導電層表面以一電著沉積形成有一外表層。2. 根據權利要求1所述的結合物理氣相沉積及電著沉積的制作方法，其特征在于，步 驟a)中的被鍍物基材為導電體。3. 根據權利要求1所述的結合物理氣相沉積及電著沉積的制作方法，其特征在于，步 驟a)中的被鍍物基材為非導電體。4. 根據權利要求1所述的結合物理氣相沉積及電著沉積的制作方法，其特征在于，步 驟b)中的耙材為鈦耙、鉻耙或鋯耙。5. 根據權利要求1所述的結合物理氣相沉積及電著沉積的制作方法，其特征在于，步 驟b)中的鍍膜氣體為氬及乙炔混合氣體。6. 根據權利要求5所述的結合物理氣相沉積及電著沉積的制作方法，其特征在于，步 驟b)中的鍍膜氣體氬的流量為60 70SCCM。7. 根據權利要求5所述的結合物理氣相沉積及電著沉積的制作方法，其特征在于，步 驟b)中的鍍膜氣體乙炔的流量為450 650SCCM。8. 根據權利要求5、6或7所述的結合物理氣相沉積及電著沉積的制作方法，其特征在 于，步驟b)中的鍍膜時間為40 45分鐘。9. 根據權利要求1所述的結合物理氣相沉積及電著沉積的制作方法，其特征在于，步 驟c)中鍍膜氣體為氬及乙炔混合氣體。10. 根據權利要求9所述的結合物理氣相沉積及電著沉積的制作方法，其特征在于，步 驟c)中鍍膜氣體乙炔的流量為250 350SCCM。11. 根據權利要求9或10所述的結合物理氣相沉積及電著沉積的制作方法，其特征在...

【專利技術屬性】
技術研發人員：莊欣穎，
申請(專利權)人：及成企業股份有限公司，
類型：發明
國別省市：71[中國|臺灣]