負(fù)型光刻膠組合物及使用其制造陣列基板的方法技術(shù)

本發(fā)明專利技術(shù)提供負(fù)型光刻膠組合物及使用其制造陣列基板的方法。負(fù)型光刻膠組合物包括：包含含有乙烯不飽和鍵的乙烯不飽和化合物和光聚合引發(fā)劑的能光固化組合物；包含通過熱交聯(lián)的堿溶性樹脂的熱固性組合物；和有機(jī)溶劑。該負(fù)型光刻膠組合物改善穩(wěn)定性、感光度、在進(jìn)行顯影操作后的可分離性，并減少殘留物以改善有機(jī)絕緣層的可靠性。此外，負(fù)型光刻膠組合物改善有機(jī)絕緣層的透射率并減小色坐標(biāo)的變化以改善顯示裝置的顯示質(zhì)量。

【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】

板的方法。更具體而言，本專利技術(shù)涉及可用于液晶顯示(LCD)裝置的有機(jī)絕 緣層的負(fù)型光刻膠組合物和使用該負(fù)型光刻膠組合物制造陣列基板的方法。
技術(shù)介紹
常規(guī)的LCD裝置包括具有薄膜晶體管(TFT)的陣列基板，其為操作 LCD裝置顯示面板的像素的開關(guān)元件。TFT通過鈍化層保護(hù)。有機(jī)絕緣層形 成于鈍化層上以使基板平坦化，由此改善電阻-電容(RC)延遲和開口率。用于有機(jī)絕緣層的組合物包括正型光刻膠組合物和負(fù)型光刻膠組合物。 正型光刻膠組合物包含作為光敏劑的1，2-醌重氮(l,2-quinone diazide)化合 物。然而，在形成有機(jī)絕緣層時，1,2-醌重氮化合物被加熱，使得1,2-醌重 氮化合物為紅色。因而，像素對于可見光的透光率減小。負(fù)型光刻膠組合物不像正型光刻膠組合物那樣變色，并且與正型光刻膠 組合物相比，其具有高的感光度。然而，在進(jìn)行了曝光操作后，在顯影操作 中，顯影溶液容易導(dǎo)致負(fù)型光刻膠組合物中的溶脹。因而，分辨率以及有機(jī) 絕緣層與基板之間的粘附力降低。為了解決負(fù)型光刻膠組合物的問題，對于 顯影溶液的有機(jī)絕緣層的溶解性和親和力已被減小。然而，減小對于顯影溶液的有機(jī)絕緣層的溶解性和親和力可導(dǎo)致問題， 例如，可分離性可降低，并且可形成殘留物。因而，可降低LCD裝置的顯 示質(zhì)量。具體實(shí)施例方式本專利技術(shù)已努力解決上述問題，并且本專利技術(shù)的各方面提供能夠改善感光度在示例性實(shí)施方式中，本專利技術(shù)提供負(fù)型光刻膠組合物，其包括包含含 有乙烯不飽和鍵的乙烯不飽和化合物和光聚合引發(fā)劑的能光固化組合物、包5含通過熱交聯(lián)的堿溶性樹脂的熱固性組合物、和有機(jī)溶劑。根據(jù)示例性實(shí)施方式，該熱固性組合物進(jìn)一步包含熱交聯(lián)劑。根據(jù)示例性實(shí)施方式，該光聚合引發(fā)劑響應(yīng)具有約300nm~約450nm的 波長的光產(chǎn)生自由基(radical)。在另一示例性實(shí)施方式中，本專利技術(shù)提供制造陣列基板的方法，該方法包 括在基礎(chǔ)基板上形成包括柵極線和柵電極的柵極圖案；在具有該柵極圖案 的該基礎(chǔ)基板上形成源極圖案，該源極圖案包括數(shù)據(jù)線、源電極、和與該源 電極間隔開的漏電極；通過涂覆負(fù)型光刻膠組合物在具有該源極圖案的該基 礎(chǔ)基板上形成有機(jī)絕緣層，該負(fù)型光刻膠組合物包括包含含有乙烯不飽和 鍵的乙烯不飽和化合物和光聚合引發(fā)劑的能光固化組合物、包含通過熱交聯(lián) 的堿溶性樹脂的熱固性組合物、和有機(jī)溶劑；和在該有機(jī)絕緣層上形成像素 電極，該像素電極電連接到該漏電極。根據(jù)示例性實(shí)施方式，形成該有機(jī)絕緣層包括將涂覆在該基礎(chǔ)基板上的 該負(fù)型光刻膠組合物曝光，并將該負(fù)型光刻膠組合物顯影。根據(jù)示例性實(shí)施方式，該光包括約300nm ~約450nm的波長。根據(jù)示例性實(shí)施方式，形成該有機(jī)絕緣層進(jìn)一步包括在將該負(fù)型光刻膠 組合物顯影后加熱該負(fù)型光刻膠組合物。根據(jù)示例性實(shí)施方式，加熱該負(fù)型光刻膠組合物在約200。C 約300。C 的溫度下進(jìn)行。根據(jù)示例性實(shí)施方式，該有機(jī)絕緣層包含對應(yīng)于該漏電極末端的開口 。根據(jù)示例性實(shí)施方式，該方法進(jìn)一步包括在該源極圖案與該有機(jī)絕緣層 之間形成鈍化層；和通過使用該具有開口的有機(jī)絕緣層作為蝕刻掩模去除該鈍化層的一部 分以使該源電極暴露。根據(jù)上述示例性實(shí)施方式，根據(jù)本專利技術(shù)示例性實(shí)施方式的負(fù)型光刻膠組 合物改善穩(wěn)定性、感光度、分辨率、圖案粘附力和可分離性，并且能夠形成 具有所需形狀的圖案。此外，該負(fù)型光刻膠組合物減少殘留物以改善有機(jī)絕緣層的可靠性。此外，該負(fù)型光刻膠組合物的改善的感光度減少曝光過程所需的時間以 改善制造效率。此外，該負(fù)型光刻膠組合物改善有機(jī)絕緣層的透射率并減小色坐標(biāo)的變化以改善顯示裝置的顯示質(zhì)量。 附圖說明當(dāng)結(jié)合附圖考慮時，從以下詳細(xì)描述，本專利技術(shù)的上述和/或其它方面、特征和優(yōu)點(diǎn)將變得更加明晰，在附圖中圖1是說明根據(jù)本專利技術(shù)制造陣列基板的方法的形成柵極圖案的操作的示 例性實(shí)施方式的橫截面圖。圖2是說明根據(jù)本專利技術(shù)制造陣列基板的方法的形成柵極絕緣層和溝道圖 案的操作的示例性實(shí)施方式的橫截面圖。圖3是說明根據(jù)本專利技術(shù)制造陣列基板的方法的形成源極圖案的操作的示 例性實(shí)施方式的橫截面圖。示例性實(shí)施方式的橫截面圖。的橫截面圖。圖6是說明根據(jù)本專利技術(shù)制造陣列基板的方法的形成像素電極的操作的示 例性實(shí)施方式的橫截面圖。具體實(shí)施例方式在下文中參照其中示出了本專利技術(shù)的示例性實(shí)施方式的附圖更全面地描 述本專利技術(shù)。然而，本專利技術(shù)可以許多不同的形式體現(xiàn)，并且不應(yīng)解釋為限于本 文中所闡述的實(shí)施方式。相反，提供這些實(shí)施方式，使得該公開內(nèi)容徹底且 完整，并將本專利技術(shù)的范圍全面地傳達(dá)給本領(lǐng)域技術(shù)人員。在附圖中，為了清 楚起見，可能放大了層及區(qū)域的尺寸和相對尺寸。應(yīng)理解，當(dāng)一元件或?qū)颖环Q為在另一元件或?qū)由稀⑴c另一元件 或?qū)舆B接或結(jié)合時，該元件或?qū)涌芍苯釉谒隽硪辉驅(qū)由稀⑴c所 述另一元件或?qū)舆B接或結(jié)合，或者可存在中間元件或?qū)印Ｏ喾矗?dāng)一元件被 稱為直接在另一元件或?qū)由稀⑴c另一元件或?qū)又苯舆B接或直 接結(jié)合時，則不存在中間元件或?qū)印Ｏ嗤臉?biāo)記始終是指相同的元件。本 文中所使用的術(shù)語和/或包括相關(guān)列舉項(xiàng)目的一個或多個的任何和全部組 合。應(yīng)理解，盡管術(shù)語第一、第二、第三等可用在本文中描述不同的元件、 組分、區(qū)域、層和/或部分，但這些元件、組分、區(qū)域、層和/或部分不應(yīng)被 這些術(shù)語所限制。這些術(shù)語僅用來使一個元件、組分、區(qū)域、層或部分區(qū)別 于另一區(qū)域、層或部分。因此，以下討論的第一元件、組分、區(qū)域、層或部 分可稱為第二元件、組分、區(qū)域、層或部分，而不背離本專利技術(shù)的教導(dǎo)。為了便于說明，在本文中可使用空間相對術(shù)語如在......之下、在......下面、下部、在......之上、上部等來說明如圖所示的一個元件或特征與另外的元件或特征的關(guān)系。應(yīng)理解，除圖中所示的方位以外，空間相對 術(shù)語還意圖包括在使用中或工作中的設(shè)備的不同方位。例如，如果翻轉(zhuǎn)圖中 的設(shè)備，則被描述為在其它元件或特征下面或之下的元件將被 定向在其它元件或特征的上方。因此，示例性術(shù)語在......下面可包括在......之上和在......下面兩種方位。設(shè)備可以其它方式定向(旋轉(zhuǎn)90度或在其它取向上)，并且相應(yīng)地解釋本文中所使用的空間相對描述詞。本文中所用的術(shù)語僅出于描述具體實(shí)施方式的目的，而非意圖限制本發(fā) 明。除非上下文清楚地另作說明，本文中所使用的單數(shù)形式的一個(種) 和所述也意圖包括復(fù)數(shù)形式。還應(yīng)理解，當(dāng)用在本說明書中時，術(shù)語包含和/或包括規(guī)定存在所述特征、整體(integer)、步驟、操作、元件和/ 或組分，但不排除存在或添加一種或多種其它的特征、整體、步驟、操作、 元件、組分和/或它們的組。在此參考橫截面圖描述本專利技術(shù)的實(shí)施方式，所述橫截面圖為本專利技術(shù)的理 想化的實(shí)施方式(以及中間結(jié)構(gòu))的示意圖。如此，預(yù)期由于例如制造技術(shù)和/ 或公差而引起與這些圖的形狀的偏離。因而，本專利技術(shù)的實(shí)施方式不應(yīng)解釋為 限于在此所圖示的區(qū)域的具體形狀，而是包括由例如制造所造成的形狀上的 偏差。例如，圖示為矩形的植入(implanted)區(qū)域通常具有圓形或曲線特征和/ 或具有在其邊緣處的植入濃度梯度而不是從植入?yún)^(qū)域到非植入?yún)^(qū)域的二元 變化。同樣，由植入形成的掩埋區(qū)可導(dǎo)致在介于掩埋區(qū)和穿過其發(fā)生植入的 表面之間的區(qū)域中的一些植入。因而，圖中所示的區(qū)域在本質(zhì)上是示意性的， 本文檔來自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
負(fù)型光刻膠組合物，包括：　包含具有乙烯不飽和鍵的乙烯不飽和化合物和光聚合引發(fā)劑的能光固化組合物；　包含通過熱交聯(lián)的堿溶性樹脂的熱固性組合物；和　有機(jī)溶劑。

【技術(shù)特征摘要】
KR 2008-1-4 1246/081. 負(fù)型光刻膠組合物，包括包含具有乙烯不飽和鍵的乙烯不飽和化合物和光聚合引發(fā)劑的能光固化組合物；包含通過熱交聯(lián)的堿溶性樹脂的熱固性組合物；和有機(jī)溶劑。2. 權(quán)利要求1的負(fù)型光刻膠組合物，其中所述乙烯不飽和化合物包含至 少兩個(曱基)丙烯酸酯基團(tuán)。3. 權(quán)利要求1的負(fù)型光刻膠組合物，其中所述堿溶性樹脂包括由選自 包括(曱基)丙烯酸、對羥基苯乙烯、間羥基苯乙烯、鄰羥基苯乙烯和(曱基) 丙烯酸2-羥乙酯的組的至少一種和選自包括苯乙烯、含有烷基的烷基(曱基) 丙烯酸酯、含有羥基的烷基(曱基)丙烯酸酯、含有環(huán)氧基團(tuán)的烷基(曱基)丙 烯酸酯、含有芳基的烷基(曱基)丙烯酸酯、含有氨基的烷基(曱基)丙烯酸酯 的組的至少一種聚合的共聚物。4. 權(quán)利要求1的負(fù)型光刻膠組合物，其中所述堿溶性樹脂包括由下式表 示的化合物，其中R16、 Rn和R,8獨(dú)立地表示氫原子或具有1 4個碳原子的 烷基(其中a、 b和c獨(dú)立地表示1 ~ 99,并且a、 b和c的總和為100)，<formula>formula see original document page 2</formula>5.權(quán)利要求1的負(fù)型光刻膠組合物，其中所述堿溶性樹脂包括由下式表 示的化合物，其中R19、 R加、R21、 1122和1123獨(dú)立地表示氬原子或具有1 ~4 個碳原子的烷基(其中p、 q、 r、 s和t獨(dú)立地表示1 ~99，并且p、 q、 r、 s和t的總和為100)，,CH、 CH2 C^H^ C4H9 I OH 。6. 權(quán)利要求1的負(fù)型光刻膠組合物，其中所述堿溶性樹脂具有約5,000 ~ 約50,000的重均分子量。7. 權(quán)利要求1的負(fù)型光刻膠組合物，其中基于所述負(fù)型光刻膠組合物， 所述...

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：崔世振，龜山泰弘，姜勛，金載星，金宗鐵，李羲國，瑞穗右二，鄭壤鎬，
申請(專利權(quán))人：高科技實(shí)美化學(xué)株式公社，三星電子株式會社，
類型：發(fā)明
國別省市：KR[韓國]