【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及印制電路板領域，具體而言，涉及一種優化鎳鉻合金埋嵌電阻阻值均勻性的復合添加劑，用于ni-cr合金埋嵌電阻。
技術介紹
1、隨著電子技術的高速發展，多功能的電子設備要求逐步提高，在具備小型化、輕量化的同時保持高功率、高集成度的特點，用于安裝元器件的印制電路板也要求線路更精細、更密集，同時也要求能給芯片等元器件預留更多的貼裝空間，埋嵌電阻技術作為解決印制電路板面積在有限的情況下還需實現輕、薄、小、高集成的有效解決方案之一，通過將電阻從板面貼裝轉為嵌入基板內部，可以釋放出用于封裝元器件的表面積，進而提高了電子封裝密度。
2、電鍍鎳鉻合金具有較為長遠的研究歷史，主要由于其耐腐蝕，抗高溫氧化，電阻率高等等，能夠應用于苛刻的工作環境，被廣泛使用和研究。然而，目前制備ni-cr合金埋嵌電阻的方法主要集中在磁控濺射法，蒸鍍法等，該方法需要復雜的操作設備，工作環境要求高，難以大批量進行工業化生產，在利潤低薄的印制電路板制造行業顯然不具備競爭優勢。此外，濺射法制備的ni-cr合金埋電阻材料經過蝕刻工藝后，電阻誤差通常高于15％，無法生產高精度電阻。綜上，現有ni-cr合金埋嵌電阻存在制作方法成本高，設備復雜，制備的電阻材料，阻值均勻度低等問題。
技術實現思路
1、了解決現有技術的不足，本專利技術提供一種優化鎳鉻合金埋嵌電阻阻值均勻性的復合添加劑，主要包括整平劑、光亮劑、潤濕劑和穩定劑，旨在穩定鍍液成分、降低界面張力、調整鍍層應力、改善鍍層性能和提高ni-cr合金埋嵌電阻的阻值
2、為實現本專利技術的目的，在此所提供的在硫酸鹽-氯化物電鍍液體系下優化鎳鉻合金埋嵌電阻阻值均勻性的電鍍添加劑包括整平劑濃度為15～20mg/l，光亮劑濃度為100～300mg/l，潤濕劑濃度為200～400mg/l，穩定劑濃度為10～20g/l。
3、進一步的，所述整平劑由n,n-二乙基丙炔胺組成。
4、進一步的，所述光亮劑由硫代硫酸鈉或苯亞磺酸鈉中的至少一種組成。
5、進一步的，所述潤濕劑由聚乙二醇組成。
6、進一步的，所述穩定劑由溴化鈉或溴化鉀中的至少一種組成。
7、進一步的，所述電鍍ni-cr合金鍍液的成分包括：10～30g/l硫酸鎳，60～150g/l氯化鉻，75～125g/l檸檬酸鈉，40～60g/l甲酸鈉，40～60g/l尿素，0.2～0.4g/l十二烷基硫酸鈉，40～60g/l硼酸，通過ph調節劑調整鍍液ph為1～3。
8、進一步的，所述ph調節劑為質量分數為10％的氫氧化鈉和體積分數為20％的硫酸溶液。
9、進一步的，所述電鍍條件為：鍍液溫度20～40℃，鍍液ph為1～3，電流密度為6～12a/dm2。
10、根據本專利技術的技術方案，具有以下有益效果：通過往電鍍ni-cr合金鍍液中加入添加劑，利用整平劑，光亮劑，潤濕劑和穩定劑的協同作用，能夠達到降低鍍層內應力，提高鍍層耐腐蝕性和致密性，避免電鍍過程中六價鉻離子的生成，顯著改善降低ni-cr合金埋嵌電阻的阻值不均勻度。
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1.一種優化鎳鉻合金埋嵌電阻阻值均勻性的復合添加劑，該添加劑包括的物料及其組成為：
2.根據權利要求1所述的一種優化鎳鉻合金埋嵌電阻阻值均勻性的復合添加劑，其特征在于：所述整平劑為N,N-二乙基丙炔胺。
3.根據權利要求1所述的一種優化鎳鉻合金埋嵌電阻阻值均勻性的復合添加劑，其特征在于：所述光亮劑為硫代硫酸鈉或苯亞磺酸鈉中的至少一種。
4.根據權利要求1所述的一種優化鎳鉻合金埋嵌電阻阻值均勻性的復合添加劑，其特征在于：所述潤濕劑為聚乙二醇。
5.根據權利要求1所述的一種優化鎳鉻合金埋嵌電阻阻值均勻性的復合添加劑，其特征在于：穩定劑為溴化鈉或溴化鉀中的至少一種。
6.根據權利要求1所述的一種優化鎳鉻合金埋嵌電阻阻值均勻性的復合添加劑，其特征在于：所述Ni-Cr合金埋嵌電阻電鍍液的成分包括：10～30g/L硫酸鎳，60～150g/L氯化鉻，75～125g/L檸檬酸鈉，40～60g/L甲酸鈉，40～60g/L尿素，0.2～0.4g/L十二烷基硫酸鈉，40～60g/L硼酸。
7.根據權利要求1所述的一種優化鎳鉻合金埋
...【技術特征摘要】
1.一種優化鎳鉻合金埋嵌電阻阻值均勻性的復合添加劑，該添加劑包括的物料及其組成為：
2.根據權利要求1所述的一種優化鎳鉻合金埋嵌電阻阻值均勻性的復合添加劑，其特征在于：所述整平劑為n,n-二乙基丙炔胺。
3.根據權利要求1所述的一種優化鎳鉻合金埋嵌電阻阻值均勻性的復合添加劑，其特征在于：所述光亮劑為硫代硫酸鈉或苯亞磺酸鈉中的至少一種。
4.根據權利要求1所述的一種優化鎳鉻合金埋嵌電阻阻值均勻性的復合添加劑，其特征在于：所述潤濕劑為聚乙二醇。
5.根據權利要求1所述的一種優化鎳鉻合金埋嵌電阻阻值均勻性的復合添加...
【專利技術屬性】
技術研發人員：王妮，曹宗林，胡文成，孫良奎，
申請(專利權)人：電子科技大學，
類型：發明
國別省市：
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