【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及光掩膜基板，尤其涉及一種光掩膜基板回收利用的方法。
技術介紹
1、光掩膜基板，作為圖形轉換及光刻技術中的核心原材料，其制備過程要求嚴謹且精細。在制備過程中，首先需要在潔凈且平滑的玻璃基板上，通過精確的濺鍍技術，形成一層均勻的膜層。接著，在這層膜層之上，旋涂一層光刻膠，最終制得所需的光掩膜基板。隨后，經過曝光、顯影、蝕刻、去膠等一系列復雜的光刻方法后，獲得滿足使用要求的光掩膜版。
2、在光掩模基板的制備、掩膜版制版以及fab工廠使用過程中，因使用壽命耗盡、缺陷過多或線條異常等種種原因，部分產品不得不進行報廢處理。然而，值得注意的是，這些報廢產品中的絕大多數，其玻璃基底并未出現明顯異常或損傷，因此具備回收再利用的潛力。然而，考慮到低等級掩膜版通常采用的是成本相對較低的鈉鈣玻璃，其回收價值并不顯著，往往按照固廢處理方式進行處置。
3、隨著半導體制造方法對精密度要求的不斷提高，掩模基板制造所依賴的襯底基板材料也在經歷著顯著的技術革新。石英玻璃基板，以其出色的光學透過率和極低的熱膨脹性能，在光掩模基板襯底材料的選擇中脫穎而出。特別是在制造90-28nm方法節點的光掩模基板時，為確保基板的質量和性能穩定性，必須選用純度高達9n的合成石英作為襯底材料。然而，這種高純度合成石英的成本遠高于鈉鈣玻璃，給工業生產帶來了顯著的成本壓力。因此，為了提高資源利用效率并降低生產成本，對石英玻璃基板進行回收再利用顯得尤為重要。
4、在集成電路制造領域，隨著最小線寬逐漸縮小至130nm以下，傳統的二元掩模版因光
5、在去除這些膜層的過程中，目前采用的方法包括氫氟酸腐蝕、低壓噴砂、雙面研磨或雙面拋光等。然而，這些方法均存在一定的局限性。例如，氫氟酸腐蝕法雖然能有效去除膜層，但難以控制濃度及腐蝕速率，容易造成基底劃痕及凹坑；同時，氫氟酸的使用也對環境造成了較大的污染。低壓噴砂法則會導致基底表面受到損傷，表面粗糙度、凹坑等問題無法避免，甚至影響再次使用的次數及效率。雙面研磨或拋光法雖然可以去除膜層，但同樣存在雙面減薄、拋光時間長、良率低等問題。
6、綜上所述，傳統的去膜方法雖然在一定程度上可行，但都存在各自的局限性。因此，針對當前光掩膜基板回收及處理技術中存在的問題，有必要開展深入研究，探索更為高效、環保且對基底損傷較小的去膜方法。這將有助于提升資源利用效率、降低生產成本，并推動半導體制造行業的可持續發展。
技術實現思路
1、鑒于目前光掩膜基板的回收過程中存在的上述不足，本專利技術提供一種光掩膜基板回收利用方法，能有效的獲得可重復使用的石英基底或半成品，不僅避免了傳統方式拋磨時間長、良率低的問題，而且方法穩定可靠，操作簡單，極大地提升了工作效率，并顯著降低了生產成本。
2、為達到上述目的，本專利技術的實施例采用如下技術方案：
3、一種光掩膜回收利用方法，所述方法的步驟包括：
4、對光掩膜基板進行檢查，對通過檢查的光掩膜基板進行回收，所述檢查包括光阻層檢查、膜層檢查和基底檢查中任一或任幾種的結合；
5、對光阻層檢查未通過的光掩膜基板進行spm去光阻；
6、對膜層檢查未通過的光掩膜基板，進行激光去膜；
7、對基底檢查未通過的光掩膜基板，進行化學機械拋光。
8、依照本專利技術的一個方面，所述方法還包括對去光阻后的光掩膜基板進行檢查，對去光阻不達標的光掩膜基板再一次進行spm去光阻，直到符合標準。
9、依照本專利技術的一個方面，所述方法還包括對去光阻后的光掩膜基板進行沖淋、漂洗及烘干。
10、依照本專利技術的一個方面，所述沖淋采用溫度為40-50℃的熱純水進行沖淋，所述漂洗采用常溫純水漂洗，所述烘干采用氮氣烘干，所述氮氣烘干溫度為60-120℃
11、依照本專利技術的一個方面，所述步驟進行spm去光阻為將光掩膜基板置于spm液體中浸泡，所述spm液體體積配比為98％硫酸：29％雙氧水＝4:1～10:1；所述spm液體的溫度為80-120℃，浸泡時間為5-15min。
12、依照本專利技術的一個方面，所述步驟進行激光去膜所用的激光器為飛秒激光器，所述激光器的波段為1030至1060nm，功率為5-30w。
13、依照本專利技術的一個方面，所述步驟進行化學機械拋光為雙面化學機械拋光，拋光液采用納米級二氧化硅拋光液。
14、依照本專利技術的一個方面，所述膜層檢查包括膜層缺陷分析和性能確認。
15、依照本專利技術的一個方面，對膜層檢查為符合膜層標準要求的光掩膜基板，進行充氮保存。
16、依照本專利技術的一個方面，對基底檢查為符合預設標準的石英基底，進行充氮保存。
17、本專利技術實施的優點：采用spm液體進行光阻剝離，能有效去除光刻膠，避免殘留膠質，同時清理玻璃表面污染物，而對石英玻璃基底無腐蝕影響；通過去光阻后進行沖洗、漂洗烘干后對光阻層檢查，以確保光阻層被徹底去除，從而有效防止因光阻層去除不徹底而對激光去膜過程產生的不利影響；通過對合格的光掩膜基板進行充氮保存，充氮保存確保了光掩膜基板與空氣完全隔離，進而防止膜層及其背面玻璃表層的氧化現象，避免因接觸角過大而導致的吸水困難，從而確保光掩膜基板在后續處理中能夠保持清潔且易于清洗。通過飛秒激光器對各種類型的濺鍍膜層進行去除，激光具有高能量密度與高精度特性，能夠實現對膜層的全面分解和移除，同時對石英玻璃基底無損傷；此外，激光還可對石英玻璃表面進行清潔，提升表面質量。與傳統化學去膜方法相比，飛秒激光技術有效避免了化學污染物的產生，展現出更高的環保優勢；光掩膜基板回收利用方法不僅為石英基底的循環利用提供了途徑，同時亦為帶濺鍍膜層的半成品回收創造了方法。這種方法能夠高效地獲得可重復使用的石英襯底或半成品，避免傳統拋磨方式耗時較長、良率較低等弊端，本專利技術提供的一種光掩膜基板回收利用方法，能有效的獲得可重復使用的石英基底或半成品，不僅避免了傳統方式拋磨時間長、良率低的問題，而且方法穩定可靠，操作簡單，極大地提升了工作效率，并顯著降低了生產成本。
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1.一種光掩膜基板回收利用方法，其特征在于，所述方法的步驟包括：
2.根據權利要求1所述的光掩膜基板回收利用方法，其特征在于，所述方法還包括對去光阻后的光掩膜基板進行檢查，對去光阻不達標的光掩膜基板再一次進行SPM去光阻，直到符合標準。
3.根據權利要求1所述的光掩膜基板回收利用方法，其特征在于，所述方法還包括對去光阻后的光掩膜基板進行沖淋、漂洗及烘干。
4.根據權利要求3所述的光掩膜基板回收利用方法，其特征在于，所述沖淋采用溫度為40-50℃的熱純水進行沖淋，所述漂洗采用常溫純水漂洗，所述烘干采用氮氣烘干，所述氮氣烘干溫度為60-120℃。
5.根據權利要求1所述的光掩膜基板回收利用方法，其特征在于，所述步驟進行SPM去光阻為將光掩膜基板置于SPM液體中浸泡，所述SPM液體體積配比為98％硫酸：29％雙氧水＝4:1～10:1；所述SPM液體的溫度為80-120℃，浸泡時間為5-15min。
6.根據權利要求1所述的光掩膜基板回收利用方法，其特征在于，所述步驟進行激光去膜所用的激光器為飛秒激光器，所述激光器的波段為103
7.根據權利要求1所述的光掩膜基板回收利用方法，其特征在于，所述步驟進行化學機械拋光為雙面化學機械拋光，拋光液采用納米級二氧化硅拋光液。
8.根據權利要求1所述的光掩膜基板回收利用方法，其特征在于，所述膜層檢查包括膜層缺陷分析和性能確認。
9.根據權利要求1至7中任一所述的光掩膜基板回收利用方法，其特征在于，對膜層檢查為符合膜層標準要求的光掩膜基板，進行充氮保存。
10.根據權利要求8所述的光掩膜基板回收利用方法，其特征在于，對基底檢查為符合預設標準的石英基底，進行充氮保存。
...【技術特征摘要】
1.一種光掩膜基板回收利用方法，其特征在于，所述方法的步驟包括：
2.根據權利要求1所述的光掩膜基板回收利用方法，其特征在于，所述方法還包括對去光阻后的光掩膜基板進行檢查，對去光阻不達標的光掩膜基板再一次進行spm去光阻，直到符合標準。
3.根據權利要求1所述的光掩膜基板回收利用方法，其特征在于，所述方法還包括對去光阻后的光掩膜基板進行沖淋、漂洗及烘干。
4.根據權利要求3所述的光掩膜基板回收利用方法，其特征在于，所述沖淋采用溫度為40-50℃的熱純水進行沖淋，所述漂洗采用常溫純水漂洗，所述烘干采用氮氣烘干，所述氮氣烘干溫度為60-120℃。
5.根據權利要求1所述的光掩膜基板回收利用方法，其特征在于，所述步驟進行spm去光阻為將光掩膜基板置于spm液體中浸泡，所述spm液體體積配比為98％硫酸：29％雙氧水＝4:1～10...
【專利技術屬性】
技術研發人員：徐根，楊旭，李翼，李偉，
申請(專利權)人：湖南普照信息材料有限公司，
類型：發明
國別省市：
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