【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及半導體，特別是涉及一種集成異質結溝槽柵場效應晶體管。
技術介紹
1、溝槽柵場效應晶體管（mosfet）具有電壓控制、更低的導通電阻、低柵漏電荷密度、驅動功率低、低開關損耗和高輸入阻抗等優點,且封裝密度高,是功率器件中典型的核心器件。溝槽柵場效應晶體管因有著在降低導通電阻的基礎上，能夠減小器件的開關損耗，同時又可以提高其承受反向擊穿電壓的能力，從而提高器件的可靠性而引起了研究者們的普遍重視。
2、隨著溝槽柵場效應晶體管的飛速發展，其低導通電阻、低驅動功率、低導通壓降和低開關損耗等優點，使得溝槽柵場效應晶體管越來越受到推崇和關注。雖然基于溝槽柵和p型屏蔽層的應用，電流密度得到增大，耐壓得到提升，但如果使用了p型屏蔽層，電流的密度就會相對減小而耐壓增大，且器件關斷時漂移區中存儲的大量非平衡載流子,導致mosfet器件有著較長的關斷拖尾現象,增加了器件的開關損耗,限制了mosfet的開關頻率和應用范圍。mosfet器件在耐壓和導通電阻之間的折衷關系進一步限制了mosfet的發展。同時隨mosfet應用范圍的不斷擴展,諸多新的應用對mosfet器件單元面積、工作效率以及可靠性等提出了更高的要求。因此針對mosfet關斷速度慢,電流密度小,導通電阻大等問題的研究意義重大。
技術實現思路
1、針對現有技術中的上述不足，本專利技術提供的一種集成異質結溝槽柵場效應晶體管（mosfet）解決了常規溝槽柵場效應晶體管結構存在較大關斷損耗的問題以及電流密度小和耐壓的問題。
...【技術保護點】
1.一種集成異質結溝槽柵場效應晶體管，其特征在于，包括自下而上依次層疊設置的n型硅襯底（10）、第一導電類型場截至層（9）和第一導電類型半導體漂移區（8），所述第一導電類型半導體漂移區（8）上設有多個依次排列的導電模塊，且相鄰兩個導電模塊對稱設置，所述導電模塊包括由外至內依次設置的第二導電類型電場屏蔽區a（71）、第二導電類型半導體深阱區（5）、第二導電類型電場屏蔽區b（72）和部分的第二類導電材料（6）；
2.根據權利要求1所述的一種集成異質結溝槽柵場效應晶體管，其特征在于，所述第一導電類型溝槽多晶硅區（1）上表面設有第一電極（101），所述第一導電類型溝槽多晶硅區（1）的外側壁上設有第一類絕緣材料柵氧層（11），所述第一導電類型溝槽多晶硅區（1）與第一類絕緣材料柵氧層（11）和第一電極（101）直接接觸，且所述第一導電類型溝槽多晶硅區（1）結構為六邊形，且底部為缺口型結構。
3.根據權利要求1所述的一種集成異質結溝槽柵場效應晶體管，其特征在于，所述第二導電類型電場屏蔽區a（71）、第二導電類型半導體深阱區（5）和第一導電類型電子發射區（2）上表面設有一
4.根據權利要求1所述的一種集成異質結溝槽柵場效應晶體管，其特征在于，所述第二導電類型電場屏蔽區b（72）與第二導電類型半導體深阱區（5）、第一導電類型半導體區（4）、第二類導電材料（6）和第一導電類型半導體漂移區（8）直接接觸，所述第二導電類型電場屏蔽區b（72）與第一導電類型溝槽多晶硅區（1）部分接觸。
5.根據權利要求1所述的一種集成異質結溝槽柵場效應晶體管，其特征在于，所述第二類導電材料（6）與第一導電類型半導體區（4）、第二導電類型電場屏蔽區a（71）、第二導電類型電場屏蔽區b（72）和第一導電類型半導體漂移區（8）直接接觸。
...【技術特征摘要】
1.一種集成異質結溝槽柵場效應晶體管，其特征在于，包括自下而上依次層疊設置的n型硅襯底（10）、第一導電類型場截至層（9）和第一導電類型半導體漂移區（8），所述第一導電類型半導體漂移區（8）上設有多個依次排列的導電模塊，且相鄰兩個導電模塊對稱設置，所述導電模塊包括由外至內依次設置的第二導電類型電場屏蔽區a（71）、第二導電類型半導體深阱區（5）、第二導電類型電場屏蔽區b（72）和部分的第二類導電材料（6）；
2.根據權利要求1所述的一種集成異質結溝槽柵場效應晶體管，其特征在于，所述第一導電類型溝槽多晶硅區（1）上表面設有第一電極（101），所述第一導電類型溝槽多晶硅區（1）的外側壁上設有第一類絕緣材料柵氧層（11），所述第一導電類型溝槽多晶硅區（1）與第一類絕緣材料柵氧層（11）和第一電極（101）直接接觸，且所述第一導電類型溝槽多晶硅區（1）結構為六邊形，且底部為缺口型結構。
3.根據權利要求1所述的一種集成異質結...
【專利技術屬性】
技術研發人員：汪志剛，黃孝兵，熊琴，余建祖，張卓，鐘馳宇，
申請(專利權)人：強華時代成都科技有限公司，
類型：發明
國別省市：
還沒有人留言評論。發表了對其他瀏覽者有用的留言會獲得科技券。