【技術實現步驟摘要】
本申請各實施例半導體，尤其涉及一種雙向低容npn特性瞬態電壓抑制器件及封裝結構。
技術介紹
1、隨著電子產品信號傳輸速率不斷增加，后端ic器件工藝制程越來越先進，電子產品對esd(靜電釋放)和eos(電氣過應力)的承受能力越來越弱，這就需要增加瞬態電壓抑制保護器件(tvs)對電子產品后端ic進行防護，同時對tvs器件提出更高的要求，需要更低的鉗位電壓、更小的電容。現有tvs產品有二極管特性無負阻，npn特性(小負阻)，可控硅(scr：silicon?controlled?rectifier)是可控硅整流器(大負阻)。傳統的npn特性瞬態電壓抑制器件和scr特性瞬態電壓抑制器件，雖然有負阻區但擊穿電壓和回掃后的鉗位電壓最小值不好控制。因此專利技術一種新的npn即npn與scr結構相結合的瞬態電壓抑制器件。
技術實現思路
1、為了解決或緩解現有技術中的問題，本申請解決了現有tvs產品擊穿電壓和鉗位電壓最小值不好控制的技術問題。本申請提供的瞬態電壓抑制器件可以同時滿足電容小，鉗位電壓低但不存在閂鎖，擊穿電壓和鉗位電壓好控制的要求。
2、第一方面，本申請實施例提供了一種雙向低容npn特性瞬態電壓抑制器件，包括第一注入區、第二注入區、阱區、第一深溝槽和第二深溝槽；
3、所述第一注入區和第二注入區相鄰設置，只有所述第二注入區設置在阱區中，所述第一注入區和阱區設置在外延層中，所述外延層設置在襯底上表面；
4、所述第一深溝槽間隔設置在靠近所述第一注入區的一側，所
5、其中，所述第一注入區、阱區和襯底均為第一摻雜類型，所述第二注入區和外延層均為第二摻雜類型。
6、本申請實施例提供了一種雙向低容npn特性瞬態電壓抑制器件，本申請在襯底上生長外延層，然后再在外延層上注入阱區，最后再在阱區中形成第一注入區和第二注入區，再遠離第一注入區一側設置第一深溝槽和在靠近第二注入區一側設置第二深溝槽，所述第一深溝槽和第二深溝槽的底部均延申至所述襯底中，所述第一深溝槽和第二深溝槽中均填充有絕緣材料，最終形成縱向由上往下的scr結構和從下往上的npn結構。
7、作為本申請一優選實施例，所述第一注入區和第二注入區均設置在阱區中，只有所述阱區設置在外延層中。
8、作為本申請一優選實施例，還包括第三注入區；
9、所述第三注入區設置在所述第二注入區遠離所述第一注入區的一側；所述第二深溝槽設置在所述第三注入區遠離所述第二注入區的一側；
10、所述第一注入區和第三注入區為第一摻雜類型，所述第二注入區為第二摻雜類型，所述第一注入區、第二注入區和第三注入區均設置在所述阱區中，所述阱區為第一摻雜類型；或，
11、所述第一注入區和第三注入區為第二摻雜類型，所述第二注入區為第一摻雜類型，所述第一注入區、第二注入區和第三注入區均設置在阱區中，所述阱區為第一摻雜類型；或，
12、所述第一注入區和第三注入區為第一摻雜類型，所述第二注入區為第二摻雜類型，只有所述第二注入區設置在所述阱區中，所述阱區為第一摻雜類型。
13、作為本申請一優選實施例，所述外延層包括第一外延層和第二外延層；
14、所述第一外延層和所述第二外延層依次設置在所述襯底上表面；
15、所述第一外延層和所述第二外延層均為第二摻雜類型，所述襯底為第一摻雜類型；
16、所述第一外延層的摻雜濃度小于所述第二外延層和所述襯底的摻雜濃度。
17、作為本申請一優選實施例，所述第一注入區和第三注入區為第二摻雜類型，所述第二注入區為第一摻雜類型，所述第一注入區、第二注入區和第三注入區均設置在阱區中，所述阱區為第二摻雜類型；或，
18、所述第一注入區和第三注入區為第二摻雜類型，所述第二注入區為第一摻雜類型，只有所述第二注入區設置在阱區中，且所述阱區為第二摻雜類型；或，
19、所述第一注入區和第三注入區為第一摻雜類型，所述第二注入區為第二摻雜類型，所述第一注入區、第二注入區和第三注入區均設置在所述阱區中，所述阱區為第二摻雜類型。
20、作為本申請一優選實施例，當只有所述第一注入區設置在阱區中或所述第一注入區和第二注入區均設置在阱區中時，所述阱區和第二注入區均為第二摻雜類型，所述第一注入區為第一摻雜類型。
21、作為本申請一優選實施例，所述外延層包括第一外延層和第二外延層；
22、所述第一外延層和所述第二外延層依次設置在所述襯底上表面；
23、所述第一外延層和所述襯底為第一摻雜類型，所述第二外延層為第二摻雜類型；
24、所述第一外延層的摻雜濃度小于所述第二外延層和所述襯底的摻雜濃度。
25、作為本申請一優選實施例，所述第一摻雜類型為n型，所述第二摻雜類型為p型。
26、第二方面，本申請實施例還提供了一種封裝結構，包括第一方面任一項所述的瞬態電壓抑制器件；
27、兩個所述瞬態電壓抑制器件正面朝上分別間隔設置在不同金屬基島上；
28、兩個所述瞬態電壓抑制器件正面通過導電線連接。
29、與現有技術相比，本申請實施例提供了一種封裝結構，可以實現兩個瞬態電壓抑制器件串聯設置，形成npn-scr結構的瞬態電壓抑制器件。本申請提供的瞬態電壓抑制器件可以同時滿足電容小，鉗位電壓低但不存在閂鎖，擊穿電壓和鉗位電壓好控制的要求。
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1.一種雙向低容NPN特性瞬態電壓抑制器件，其特征在于，包括第一注入區、第二注入區、阱區、第一深溝槽和第二深溝槽；
2.如權利要求1所述的一種雙向低容NPN特性瞬態電壓抑制器件，其特征在于，所述第一注入區和第二注入區均設置在阱區中，只有所述阱區設置在外延層中。
3.如權利要求2所述的一種雙向低容NPN特性瞬態電壓抑制器件，其特征在于，還包括第三注入區；
4.如權利要求1至3任一項所述的一種雙向低容NPN特性瞬態電壓抑制器件，其特征在于，所述外延層包括第一外延層和第二外延層；
5.如權利要求3所述的一種雙向低容NPN特性瞬態電壓抑制器件，其特征在于，所述第一注入區和第三注入區為第二摻雜類型，所述第二注入區為第一摻雜類型，所述第一注入區、第二注入區和第三注入區均設置在阱區中，所述阱區為第二摻雜類型；或，
6.如權利要求1所述的一種雙向低容NPN特性瞬態電壓抑制器件，其特征在于，當只有所述第一注入區設置在阱區中或所述第一注入區和第二注入區均設置在阱區中時，所述阱區和第二注入區均為第二摻雜類型，所述第一注入區為第一摻雜類型。p>
7.如權利要求5或6所述的一種雙向低容NPN特性瞬態電壓抑制器件，其特征在于，所述外延層包括第一外延層和第二外延層；
8.如權利要求7所述的一種雙向低容NPN特性瞬態電壓抑制器件，其特征在于，所述第一摻雜類型為N型，所述第二摻雜類型為P型。
9.一種封裝結構，其特征在于，包括兩個如權利要求1至8任一項所述的瞬態電壓抑制器件；
...【技術特征摘要】
1.一種雙向低容npn特性瞬態電壓抑制器件，其特征在于，包括第一注入區、第二注入區、阱區、第一深溝槽和第二深溝槽；
2.如權利要求1所述的一種雙向低容npn特性瞬態電壓抑制器件，其特征在于，所述第一注入區和第二注入區均設置在阱區中，只有所述阱區設置在外延層中。
3.如權利要求2所述的一種雙向低容npn特性瞬態電壓抑制器件，其特征在于，還包括第三注入區；
4.如權利要求1至3任一項所述的一種雙向低容npn特性瞬態電壓抑制器件，其特征在于，所述外延層包括第一外延層和第二外延層；
5.如權利要求3所述的一種雙向低容npn特性瞬態電壓抑制器件，其特征在于，所述第一注入區和第三注入區為第二摻雜類型，所述第二注入區為第一摻雜類型，所述...
【專利技術屬性】
技術研發人員：李登輝，許成宗，顧起帆，蔡燕楠，
申請(專利權)人：上海韋爾半導體股份有限公司，
類型：發明
國別省市：
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