【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及半導體，具體而言，涉及一種igbt耐壓測試系統及方法。
技術介紹
1、絕緣柵雙極型晶體管(insulated?gate?bipolar?transistor，簡稱igbt)，是由雙極型三極管（bjt）和絕緣柵型場效應管（mos）組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件，兼具高輸入阻抗和低導通壓降兩方面的優點，被廣泛地應用于各種電子設備中。igbt器件的制造過程中需要經過前道長膜工藝和擴散柵氧工藝。在擴散柵氧工藝完成后，需要測量igbt器件柵氧的耐壓能力來確定柵氧制程工藝是否達到制程要求。如何快速準確地完成igbt器件的耐壓能力測量成為了本領域技術人員所關注的難題。
技術實現思路
1、本專利技術的目的在于提供一種igbt耐壓測試系統及方法，以至少部分改善上述問題。
2、為了實現上述目的，本專利技術采用的技術方案如下：
3、第一方面，本專利技術提供一種igbt耐壓測試系統，所述igbt耐壓測試系統包括：測試機、脈沖電壓源以及電流采集單元，所述脈沖電壓源的第一端用于連接igbt器件的柵極，所述電流采集單元的第一端用于連接igbt器件的發射極，所述脈沖電壓源的第二端連接于所述電流采集單元的第二端，所述測試機分別與所述脈沖電壓源、所述電流采集單元連接；
4、所述測試機用于控制所述脈沖電壓源在所述igbt器件的柵極和發射極之間施加脈沖電壓；
5、所述電流采集單元用于采集所述igbt器件的柵極和發射極之間的漏電流值，并將所述漏電流值傳
6、所述測試機用于根據所述漏電流值確定所述igbt器件的耐壓測試結果。
7、第二方面，本專利技術提供一種igbt耐壓測試方法，應用于上述的igbt耐壓測試系統中的測試機，所述igbt耐壓測試方法包括：
8、獲取測試開始指令；
9、控制脈沖電壓源在所gbt器件的柵極和發射極之間施加脈沖電壓，根據漏電流值確定所述igbt器件的耐壓測試結果。
10、相對于現有技術，本專利技術所提供的一種igbt耐壓測試系統及方法，igbt耐壓測試系統包括：測試機、脈沖電壓源以及電流采集單元，脈沖電壓源的第一端用于連接igbt器件的柵極，電流采集單元的第一端用于連接igbt器件的發射極，脈沖電壓源的第二端連接于電流采集單元的第二端，測試機分別與脈沖電壓源、電流采集單元連接；測試機用于控制脈沖電壓源在igbt器件的柵極和發射極之間施加脈沖電壓；電流采集單元用于采集igbt器件的柵極和發射極之間的漏電流值，并將漏電流值傳輸給測試機；測試機用于根據漏電流值確定igbt器件的耐壓測試結果。通過脈沖電壓源在igbt器件的柵極和發射極之間施加脈沖電壓，快速測量igbt器件的柵極和發射極之間的漏電流值，可以在準確地完成igbt耐壓測試的前提條件下，盡可能縮短igbt耐壓測試的時長，避免長時間連續的電流測試導致igbt器件出現發熱的情況，減少對器件的損害。
11、為使本專利技術的上述目的、特征和優點能更明顯易懂，下文特舉較佳實施例，并配合所附附圖，作詳細說明如下。
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1.一種IGBT耐壓測試系統，其特征在于，所述IGBT耐壓測試系統包括：測試機、脈沖電壓源以及電流采集單元，所述脈沖電壓源的第一端用于連接IGBT器件的柵極，所述電流采集單元的第一端用于連接IGBT器件的發射極，所述脈沖電壓源的第二端連接于所述電流采集單元的第二端，所述測試機分別與所述脈沖電壓源、所述電流采集單元連接；
2.如權利要求1所述的IGBT耐壓測試系統，其特征在于，
3.如權利要求2所述的IGBT耐壓測試系統，其特征在于，
4.如權利要求2所述的IGBT耐壓測試系統，其特征在于，所述IGBT耐壓測試系統用于對待測晶圓進行耐壓測試，所述待測晶圓上待測的IGBT器件的數量為N；
5.如權利要求2所述的IGBT耐壓測試系統，其特征在于，
6.如權利要求1所述的IGBT耐壓測試系統，其特征在于，所述IGBT耐壓測試系統還設置有接地端，所述電流采集單元的第二端連接于所述接地端，所述接地端還用于連接于所述IGBT器件的集電極。
7.一種IGBT耐壓測試方法，其特征在于，應用于權利要求1至6中任一項所述的IGBT
8.如權利要求7所述的IGBT耐壓測試方法，其特征在于，所述控制脈沖電壓源在所GBT器件的柵極和發射極之間施加脈沖電壓，根據漏電流值確定所述IGBT器件的耐壓測試結果的步驟，包括：
9.如權利要求8所述的IGBT耐壓測試方法，其特征在于，所述控制脈沖電壓源在所GBT器件的柵極和發射極之間施加脈沖電壓，根據漏電流值確定所述IGBT器件的耐壓測試結果的步驟，還包括：
10.如權利要求8所述的IGBT耐壓測試方法，其特征在于，在所述獲取測試開始指令之后，所述IGBT耐壓測試方法還包括：
...【技術特征摘要】
1.一種igbt耐壓測試系統，其特征在于，所述igbt耐壓測試系統包括：測試機、脈沖電壓源以及電流采集單元，所述脈沖電壓源的第一端用于連接igbt器件的柵極，所述電流采集單元的第一端用于連接igbt器件的發射極，所述脈沖電壓源的第二端連接于所述電流采集單元的第二端，所述測試機分別與所述脈沖電壓源、所述電流采集單元連接；
2.如權利要求1所述的igbt耐壓測試系統，其特征在于，
3.如權利要求2所述的igbt耐壓測試系統，其特征在于，
4.如權利要求2所述的igbt耐壓測試系統，其特征在于，所述igbt耐壓測試系統用于對待測晶圓進行耐壓測試，所述待測晶圓上待測的igbt器件的數量為n；
5.如權利要求2所述的igbt耐壓測試系統，其特征在于，
6.如權利要求1所述的igbt耐壓測試系統，其特征在于，所述igbt耐壓測試...
【專利技術屬性】
技術研發人員：胡傲雪，孟繁新，封明輝，黃慶波，趙偉，何家霖，唐志堯，岳蘭，
申請(專利權)人：成都高投芯未半導體有限公司，
類型：發明
國別省市：
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