【技術實現步驟摘要】
本技術涉及光電子能譜儀領域，具體特指具有極低溫、超高能量分辨的光電子能譜儀系統。
技術介紹
1、光電子能譜儀一般包括了電子能量分析器、光源、樣品臺、真空系統等核心功能模塊。且樣品溫度通常在4k至30k，分辨率在3mev至50mev。一些he3制冷系統，可以將樣品制冷到1k左右。但因為腔體的熱輻射過大，導致面向分析器方向必須開啟狹縫型的長條。而狹縫型長條，當其寬度太小時，將直接影響電子光學的光路，從而對數據造成了一定的破壞；此外，長條型結構，對電子光學的對稱性造成了破壞，導致了數據的破壞。
技術實現思路
1、為了解決現有技術中存在的不足，本申請提出了一種光電子能譜儀系統，通過對低溫樣品臺、腔體低溫屏蔽層和分析器低溫屏蔽層等結構進行優化設計，可以使得樣品獲得更低溫度，進行更低樣品的測量。
2、本技術所采用的技術方案如下：
3、一種光電子能譜儀系統，包括：
4、磁屏蔽分析腔室，所述磁屏蔽分析腔室內設有分析腔室的低溫屏蔽層；以及
5、電子能量分析器，所述電子能量分析器與磁屏蔽分析腔室連接，在電子能量分析器的入口處設有第二低溫屏蔽層；以及
6、激發光源，所述激發光源與在磁屏蔽分析腔室連接；以及
7、低溫樣品臺，所述低溫樣品臺包括低溫插桿、兩層以上屏蔽層、接地裝置，其中一層屏蔽層與第一低溫屏蔽層配合。
8、進一步，所述低溫樣品臺包括液氮杜瓦和液氦杜瓦，所述液氦杜瓦設于液氮杜瓦內；所述液氮杜瓦下方連接第四低溫屏蔽
9、進一步，在低溫屏蔽層外部安裝有第五低溫屏蔽層；通過轉動第五低溫屏蔽層使其與第一低溫屏蔽層壁面接觸。
10、進一步，低溫插桿的下端設有1k低溫池；1k低溫池通過盤管與液氦杜瓦相連；1k低溫池下端連接樣品座，其上固定待測樣品。
11、進一步，低溫插桿與差分轉臺連接。
12、進一步，磁屏蔽分析腔室包括由內向外依次布置的不銹鋼腔體、外磁屏蔽層和內磁屏蔽層。
13、進一步，第一低溫屏蔽層包括閉循環液氦制冷機、外層低溫屏蔽層和內層低溫屏蔽層，外層低溫屏蔽層和內層低溫屏蔽層分別與閉循環液氦制冷機的一級冷頭和二級冷頭相連。
14、進一步，還包括與磁屏蔽分析腔室依次連通的進樣腔室、傳樣腔室、準備腔室，在腔室連接處設有插板閥。
15、進一步，低溫樣品臺與四軸位移臺相連。
16、本技術的有益效果：
17、本申請所設計的一種光電子能譜儀系統與現有光電子能譜儀系統的差異點在于：
18、(1)本技術的低溫樣品臺中多層屏蔽層的設計，可實現更低溫度的樣品臺結構。
19、(2)分析腔室的低溫屏蔽層以及分析器的低溫屏蔽層有效降低了樣品的熱負載，因此樣品臺上的低溫屏蔽層在樣品方向的開口，就可以開成圓孔而不是狹縫型，仍可以保持樣品足夠低的溫度。
20、(3)在樣品接地方面，進行了優化，可直接進行接地。
21、(4)對系統的各功能進行了優化，可實現更多的自動化功能。
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1.一種光電子能譜儀系統，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的一種光電子能譜儀系統，其特征在于，所述低溫樣品臺(4)包括液氮杜瓦(4a)和液氦杜瓦(4b)，所述液氦杜瓦(4b)設于液氮杜瓦(4a)內；所述液氮杜瓦(4a)下方連接第四低溫屏蔽層(4k)，液氦杜瓦(4b)下方連接第三低溫屏蔽層(4l)；從液氮杜瓦(4a)和液氦杜瓦(4b)中間穿過，并延伸至第三低溫屏蔽層(4l)內。
3.根據權利要求2所述的一種光電子能譜儀系統，其特征在于，在第三低溫屏蔽層(4l)外部安裝有第五低溫屏蔽層(4m)；通過轉動第五低溫屏蔽層(4m)使其與第一低溫屏蔽層(9)壁面接觸。
4.根據權利要求2所述的一種光電子能譜儀系統，其特征在于，低溫插桿(4e)的下端設有1K低溫池(4d)；1K低溫池(4d)通過盤管(4c)與液氦杜瓦(4b)相連；1K低溫池(4d)下端連接樣品座(4f)，其上固定待測樣品(4g)。
5.根據權利要求2、3或4所述的一種光電子能譜儀系統，其特征在于，低溫插桿(4e)與差分轉臺(4h)連接。
6.根據權利要求1所
7.根據權利要求1所述的一種光電子能譜儀系統，其特征在于，第一低溫屏蔽層(9)包括閉循環液氦制冷機(9a)、外層低溫屏蔽層(9b)和內層低溫屏蔽層(9c)，外層低溫屏蔽層(9b)和內層低溫屏蔽層(9c)分別與閉循環液氦制冷機(9a)的一級冷頭和二級冷頭相連。
8.根據權利要求1所述的一種光電子能譜儀系統，其特征在于，還包括與磁屏蔽分析腔室(3)依次連通的進樣腔室(8)、傳樣腔室(7)、準備腔室(5)，在腔室連接處設有插板閥(11)。
9.根據權利要求1所述的一種光電子能譜儀系統，其特征在于，低溫樣品臺(4)與四軸位移臺(6)相連。
...【技術特征摘要】
1.一種光電子能譜儀系統，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的一種光電子能譜儀系統，其特征在于，所述低溫樣品臺(4)包括液氮杜瓦(4a)和液氦杜瓦(4b)，所述液氦杜瓦(4b)設于液氮杜瓦(4a)內；所述液氮杜瓦(4a)下方連接第四低溫屏蔽層(4k)，液氦杜瓦(4b)下方連接第三低溫屏蔽層(4l)；從液氮杜瓦(4a)和液氦杜瓦(4b)中間穿過，并延伸至第三低溫屏蔽層(4l)內。
3.根據權利要求2所述的一種光電子能譜儀系統，其特征在于，在第三低溫屏蔽層(4l)外部安裝有第五低溫屏蔽層(4m)；通過轉動第五低溫屏蔽層(4m)使其與第一低溫屏蔽層(9)壁面接觸。
4.根據權利要求2所述的一種光電子能譜儀系統，其特征在于，低溫插桿(4e)的下端設有1k低溫池(4d)；1k低溫池(4d)通過盤管(4c)與液氦杜瓦(4b)相連；1k低溫池(4d)下端連接樣品座(4f)，其上固定待測樣品(4g)。
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【專利技術屬性】
技術研發人員：汪曉平，王振中，
申請(專利權)人：長三角先進材料研究院，
類型：新型
國別省市：
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