【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及信息管理領域，具體是一種關于半導體水系統的數字孿生管理方法及系統。
技術介紹
1、在半導體制造工藝中，水系統是至關重要的組成部分，半導體生產過程中需要大量的超純水來清洗、冷卻和加工半導體芯片，同時還需要對廢水進行處理，以確保環境保護和資源回收；由于水在半導體生產中的重要性，水系統的管理對于確保生產質量、提高效率和降低成本至關重要；
2、如何對半導體水系統進行實時監測，在半導體水系統內設備參數發生異常時，進行準確地調節，確保半導體水系統穩定高效運行，是我們需要解決的問題，為此，現提供一種關于半導體水系統的數字孿生管理方法及系統。
技術實現思路
1、為了解決上述技術問題，本專利技術的目的在于提供一種關于半導體水系統的數字孿生管理方法及系統。
2、本專利技術的第一個目的在于開發一種關于半導體水系統的數字孿生管理方法。
3、本專利技術的第二個目的在于開發一種關于半導體水系統的數字孿生管理系統。
4、為實現上述第一專利技術目的，本專利技術通過以下技術方案實現：一種關于半導體水系統的數字孿生管理方法，包括以下步驟：
5、步驟s1：構建半導體水系統物理模型，所述半導體水系統物理模型由預處理網絡、反滲透網絡以及拋光網絡構成；
6、步驟s2：獲取半導體水系統中設備終端的運行數據以及水質數據，并將所獲取的運行數據以及水質數據映射至半導體水系統物理模型內，獲得半導體水系統數字模型；
7、步驟s3：根據所獲得
8、步驟s4：根據判斷結果進行異常處理。
9、進一步的，構建半導體水系統物理模型的過程包括：
10、通過3d建模構建設備終端虛擬模型，所述設備終端虛擬模型包括預處理設備終端虛擬模型、反滲透設備終端虛擬模型以及拋光設備終端虛擬模型；
11、所述預處理網絡由若干個預處理設備終端虛擬模型構成，所述反滲透網絡由若干個反滲透設備終端虛擬模型構成，所述拋光網絡由若干個拋光設備終端虛擬模型構成；
12、將預處理設備終端虛擬模型進行連接，將反滲透設備終端虛擬模型進行連接，將拋光設備終端虛擬模型進行連接，獲得半導體水系統物理模型。
13、進一步的，獲取半導體水系統中設備終端的運行數據以及水質數據的過程包括：
14、所述設備終端包括預處理設備終端、反滲透設備終端以及拋光設備終端，所述設備終端的運行數據包括設備終端的壓力以及水流量，所述水質數據包括naclo濃度、nahso3濃度、naoh濃度以及電阻率；
15、將壓力傳感器、水流量傳感器、naclo濃度傳感器、nahso3濃度傳感器、naoh濃度傳感器以及電阻率傳感器安裝在半導體水系統內的對應位置處；
16、通過所安裝的壓力傳感器以及水流量傳感器分別獲取設備終端的壓力以及水流量，通過所安裝的naclo濃度傳感器、nahso3濃度傳感器、naoh濃度傳感器以及電阻率傳感器分別獲取設備終端內的naclo濃度、nahso3濃度、naoh濃度以及電阻率。
17、進一步的，根據所獲得的半導體水系統數字模型判斷生產半導體水的過程中是否發生異常的過程包括：
18、所述預處理設備終端虛擬模型內設置有對應的壓力、水流量以及naclo濃度閾值范圍，將預處理設備終端虛擬模型的壓力、水流量以及naclo濃度分別與壓力閾值范圍、水流量閾值范圍以及naclo濃度閾值范圍進行比較，根據比較結果判斷預處理設備終端虛擬模型是否發生異常；
19、所述反滲透設備終端虛擬模型內設置有對應的壓力、水流量、naoh濃度以及nahso3濃度閾值范圍，將反滲透設備終端虛擬模型的壓力、水流量、naoh濃度以及nahso3濃度分別與壓力閾值范圍、水流量閾值范圍、naoh濃度閾值范圍以及nahso3濃度閾值范圍進行比較，根據比較結果判斷反滲透設備終端虛擬模型是否發生異常；
20、所述拋光設備終端虛擬模型內設置有對應的壓力、水流量以及電阻率閾值范圍，將拋光設備終端虛擬模型的壓力、水流量以及電阻率分別與壓力閾值范圍、水流量閾值范圍以及電阻率閾值范圍進行比較，根據比較結果判斷拋光設備終端虛擬模型是否發生異常；
21、若預處理設備終端虛擬模型發生異常或反滲透設備終端虛擬模型發生異常或拋光設備終端虛擬模型發生異常，則生產半導體水的過程中發生異常，若預處理設備終端虛擬模型未發生異常且反滲透設備終端虛擬模型未發生異常且拋光設備終端虛擬模型未發生異常，則生產半導體水的過程中未發生異常。
22、進一步的，根據判斷結果進行異常處理的過程包括：
23、若預處理設備終端虛擬模型的壓力異常或水流量異常，則派遣相關人員對壓力異常或水流量異常的預處理設備終端進行修理；
24、若預處理設備終端虛擬模型內的naclo濃度異常，則將naclo濃度異常的預處理設備終端虛擬模型記為異常預處理設備終端虛擬模型，并對異常預處理設備終端虛擬模型內的naclo濃度進行調節；
25、若反滲透設備終端虛擬模型內的naoh濃度異常，則將naoh濃度異常的反滲透設備終端虛擬模型記為naoh異常反滲透設備終端虛擬模型，并對naoh異常反滲透設備終端虛擬模型內的naoh濃度進行調節；
26、若反滲透設備終端虛擬模型內的nahso3濃度異常，則將nahso3濃度異常的反滲透設備終端虛擬模型記為nahso3異常反滲透設備終端虛擬模型，并對nahso3異常反滲透設備終端虛擬模型內的nahso3濃度進行調節；
27、若拋光設備終端虛擬模型的壓力異常或水流量異常或電阻率異常，則派遣相關人員對壓力異常或水流量異常或電阻率異常的拋光設備終端進行修理。
28、進一步的，對異常預處理設備終端虛擬模型內的naclo濃度進行調節的過程包括：
29、所述預處理設備終端內設置有naclo濃度調節部件，獲取naclo濃度控制量；
30、根據所獲取的naclo濃度控制量、所設置的naclo濃度閾值范圍以及所獲得的異常預處理設備終端虛擬模型內的naclo濃度獲得naclo濃度調節量；
31、naclo濃度調節部件根據所獲得的naclo濃度調節量對異常預處理設備終端虛擬模型內的naclo濃度進行調節，將與naclo濃度調節量相同劑量的naclo放入異常預處理設備終端虛擬模型對應的預處理設備終端內。
32、進一步的，獲取naclo濃度控制量的過程包括：
33、獲取異常預處理設備終端虛擬模型內水的體積；
34、根據所設置的naclo濃度閾值范圍、所獲得的異常預處理設備終端虛擬模型內的naclo濃度以及所獲取的異常預處理設備終端虛擬模型內水的體積獲得naclo濃度控制量。
35、基于相同的專利技術原理，為實現上述第二專利技術目的，本專利技術提供一種關于半導體水系統的數字孿生管理系統，采用如第一專利技術創本文檔來自技高網...
【技術保護點】
1.一種關于半導體水系統的數字孿生管理方法，其特征在于，包括以下步驟：
2.根據權利要求1所述的一種關于半導體水系統的數字孿生管理方法，其特征在于，構建半導體水系統物理模型的過程包括：
3.根據權利要求2所述的一種關于半導體水系統的數字孿生管理方法，其特征在于，獲取半導體水系統中設備終端的運行數據以及水質數據的過程包括：
4.根據權利要求3所述的一種關于半導體水系統的數字孿生管理方法，其特征在于，根據所獲得的半導體水系統數字模型判斷生產半導體水的過程中是否發生異常的過程包括：
5.根據權利要求4所述的一種關于半導體水系統的數字孿生管理方法，其特征在于，根據判斷結果進行異常處理的過程包括：
6.根據權利要求5所述的一種關于半導體水系統的數字孿生管理方法，其特征在于，對異常預處理設備終端虛擬模型內的NaClO濃度進行調節的過程包括：
7.根據權利要求6所述的一種關于半導體水系統的數字孿生管理方法，其特征在于，獲取NaClO濃度控制量的過程包括：
8.一種關于半導體水系統的數字孿生管理系統，其特征在于，
...【技術特征摘要】
1.一種關于半導體水系統的數字孿生管理方法，其特征在于，包括以下步驟：
2.根據權利要求1所述的一種關于半導體水系統的數字孿生管理方法，其特征在于，構建半導體水系統物理模型的過程包括：
3.根據權利要求2所述的一種關于半導體水系統的數字孿生管理方法，其特征在于，獲取半導體水系統中設備終端的運行數據以及水質數據的過程包括：
4.根據權利要求3所述的一種關于半導體水系統的數字孿生管理方法，其特征在于，根據所獲得的半導體水系統數字模型判斷生產半導體水的過程中是否發生異常的過程包括：
5.根據權...
【專利技術屬性】
技術研發人員：謝海，張家暉，羅志剛，張忠源，
申請(專利權)人：高頻北京科技股份有限公司，
類型：發明
國別省市：
還沒有人留言評論。發表了對其他瀏覽者有用的留言會獲得科技券。