【技術實現步驟摘要】
本專利技術實施例涉及半導體結構，尤其涉及一種半導體結構的形成方法。
技術介紹
1、半導體結構的小型化對于商業化和經濟上越來越具有挑戰性，單純微縮尺寸來增加單位面積的晶體管數量變得越來越困難。在此背景下，封裝的小型化收到了更多的關注。運用中介層(interposer)的封裝方式被認為是一種很有前景的延續摩爾定律的路線。此種方式可以實現系統中各組成部分的高密度互聯。這就是我們常說的2.5d封裝方式。當我們需要在interposer的內部進行電連接時，我們需要運用硅通孔結構(through?siliconvia，tsv)來穿透硅晶圓或者器件連接到interposer上，以實現最大的互聯密度。
2、tsv是穿透硅的，內部填充導電材料的垂直孔洞。根據tsv的基本結構和加工流程，tsv制造工藝主要包括tsv刻蝕，絕緣層沉積，導電材料填充和tsv平坦化等，從正面加工的tsv方案，還涉及背面露孔工藝。tsv工藝復雜，工藝之間相關互聯度高。
3、tsv孔洞由于普遍深寬比較大，tsv的刻蝕工藝決定了tsv的形貌，也直接決定了后續產品的性能。因此，通過適當的半導體工藝，得到令人滿意的tsv形貌是tsv工藝流程中的一個關鍵工藝步驟，同時也是一個工藝難點。
技術實現思路
1、本專利技術實施例解決的問題是提供一種半導體結構的形成方法，有利于提高刻蝕速率的均一性和刻蝕效率。
2、為解決上述問題，本專利技術實施例提供一種半導體結構的形成方法，包括：提供基底；在基底上形成催化劑，
3、與現有技術相比，本專利技術實施例的技術方案具有以下優點：
4、本專利技術實施例提供的半導體結構的形成方法中，在基底上形成催化劑，催化劑中具有磁性材料，形成催化劑后，將基底放置于磁性結構上方，利用催化劑進行刻蝕，形成位于基底中的凹槽；在刻蝕過程中，由于磁性相吸作用，有利于增大催化劑與基底之間的作用力，使得催化劑與基底能夠較為充分地接觸，有利于提高刻蝕速率，而且，基底放置于磁性結構上方，則催化劑受到的磁性吸力為垂直于基底表面的縱向，使得刻蝕過程中，催化劑對凹槽側壁的作用力較小，有利于減小因輕微側向刻蝕造成的側壁粗糙度較大的概率，從而有利于提高凹槽側壁的光滑度，有利于提高凹槽的垂直度，且有利于提高刻蝕速率的均一性和刻蝕效率。
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1.一種半導體結構的形成方法，其特征在于，包括：
2.如權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，在所述基底上形成催化劑之前，還包括：在所述基底上形成掩膜層，所述掩膜層中形成有露出基底表面的開口；
3.如權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，在所述基底上形成催化劑的步驟包括：將初始催化劑材料與磁性材料進行預合成，形成由催化劑顆粒構成的催化劑材料，所述催化劑顆粒中間部分為磁性材料且外部包裹為初始催化劑材料；
4.如權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，在所述基底上形成催化劑的步驟包括：將貴金屬材料與磁性材料混合，形成催化劑材料；
5.如權利要求3或4所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，采用物理氣相沉積工藝將所述催化劑材料形成于所述基底表面。
6.如權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，在所述基底上形成催化劑的步驟包括：在所述基底表面形成初始催化劑材料層；
7.如權利要求6所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，采用物理氣相沉積工藝形成所述初始催化劑材料層；采用物理
8.如權利要求3、4或6任一項所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述初始催化劑材料包括貴金屬材料。
9.如權利要求8所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述貴金屬材料包括Ag、Au、Pd、Pt、Rh或Ir中的一種或多種。
10.如權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，采用濕法刻蝕工藝利用所述催化劑進行刻蝕。
11.如權利要求10所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，將所述基底放置于磁性結構上方，利用所述催化劑進行刻蝕的步驟中，將所述基底放置于刻蝕槽中，其中，所述磁性結構集成于刻蝕槽的底部，所述刻蝕槽用于容納刻蝕溶液以進行所述濕法刻蝕工藝；或者，所述磁性結構集成于所述基底下方的吸盤中，所述吸盤用于固定所述基底。
12.如權利要求10所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，采用濕法刻蝕工藝利用所述催化劑進行刻蝕的步驟中，所述濕法刻蝕工藝的刻蝕溶液包括氫氟酸和過氧化氫的混合溶液。
13.如權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，將所述基底放置于磁性結構上方的步驟中，所述磁性結構包括永久性磁性結構或非永久性磁性結構。
14.如權利要求13所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述永久性磁性結構包括合金永磁材料或鐵氧體永磁材料。
15.如權利要求13所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述非永久性磁性結構包括電磁性結構。
16.如權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，在所述基底上形成催化劑，所述催化劑中具有磁性材料的步驟中，所述磁性材料包括磁性金屬材料、陶瓷磁體材料或稀土永磁材料中的一種或多種。
17.如權利要求16所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述磁性金屬材料包括Fe、Co或Ni中的一種或多種；所述陶瓷磁體材料包括氧化鐵和氧化鋇的陶瓷混合物，或者，氧化鐵和氧化鍶的陶瓷混合物；所述稀土永磁材料包括釹鐵硼、釤鈷或鋁鎳鈷中的一種或多種。
18.如權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，形成位于所述基底中的凹槽之后，還包括：去除所述催化劑。
19.如權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，形成位于所述基底中的凹槽的步驟中，所述凹槽包括孔洞、溝槽或貫穿所述基底的通孔。
20.如權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，提供所述基底的步驟中，所述基底的材料包括硅。
...【技術特征摘要】
1.一種半導體結構的形成方法，其特征在于，包括：
2.如權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，在所述基底上形成催化劑之前，還包括：在所述基底上形成掩膜層，所述掩膜層中形成有露出基底表面的開口；
3.如權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，在所述基底上形成催化劑的步驟包括：將初始催化劑材料與磁性材料進行預合成，形成由催化劑顆粒構成的催化劑材料，所述催化劑顆粒中間部分為磁性材料且外部包裹為初始催化劑材料；
4.如權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，在所述基底上形成催化劑的步驟包括：將貴金屬材料與磁性材料混合，形成催化劑材料；
5.如權利要求3或4所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，采用物理氣相沉積工藝將所述催化劑材料形成于所述基底表面。
6.如權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，在所述基底上形成催化劑的步驟包括：在所述基底表面形成初始催化劑材料層；
7.如權利要求6所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，采用物理氣相沉積工藝形成所述初始催化劑材料層；采用物理氣相沉積工藝形成所述磁性材料層。
8.如權利要求3、4或6任一項所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述初始催化劑材料包括貴金屬材料。
9.如權利要求8所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述貴金屬材料包括ag、au、pd、pt、rh或ir中的一種或多種。
10.如權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，采用濕法刻蝕工藝利用所述催化劑進行刻蝕。
11.如權利要求10所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，將所述基底放置于磁性結構上方，利用所述催化劑進行刻蝕的步驟中，將所述基底放置于刻蝕槽中，其中，所述磁性結構集...
【專利技術屬性】
技術研發人員：劉括，
申請(專利權)人：中芯國際集成電路制造北京有限公司，
類型：發明
國別省市：
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