【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】
【國外來華專利技術(shù)】
本專利技術(shù)涉及軟磁性粉末，特別涉及用于磁性構(gòu)件的軟磁性粉末。
技術(shù)介紹
1、對于構(gòu)成磁性構(gòu)件的磁芯，要求優(yōu)異的磁特性(高飽和磁通密度和低磁芯損耗)。作為能夠?qū)崿F(xiàn)這樣的磁特性的磁性材料，已知有納米晶體材料。通過將軟磁性粉末在納米晶化工序中進(jìn)行熱處理，能夠得到納米晶體材料。例如，在專利文獻(xiàn)1、專利文獻(xiàn)2中公開了用于制作納米晶體材料的軟磁性粉末。
2、現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
3、專利文獻(xiàn)
4、專利文獻(xiàn)1：日本專利第5632608號公報；
5、專利文獻(xiàn)2：日本專利第6741108號公報。
技術(shù)實現(xiàn)思路
1、專利技術(shù)要解決的問題
2、納米晶化工序中的熱處理引起軟磁性粉末的自發(fā)熱。因此，在納米晶化工序中，難以控制軟磁性粉末的溫度。其結(jié)果，通過納米晶化工序所得到的納米晶體材料具有其特性容易偏差的問題。換言之，存在難以穩(wěn)定地進(jìn)行軟磁性粉末的納米晶化的問題。
3、因此，本專利技術(shù)的目的在于，提供能夠穩(wěn)定地進(jìn)行納米晶化的軟磁性粉末。
4、用于解決問題的方案
5、本專利技術(shù)的一個方面提供一種軟磁性粉末，其中，
6、所述軟磁性粉末具有玻璃化轉(zhuǎn)變溫度tg、第一晶化開始溫度tx1、第二晶化開始溫度tx2，
7、所述第一晶化開始溫度tx1為400℃以上且475℃以下，
8、所述第一晶化開始溫度tx1與所述玻璃化轉(zhuǎn)變溫度tg的差δtx＝tx1-tg為50℃以下，
9、所述第二晶化開
10、專利技術(shù)效果
11、本專利技術(shù)的軟磁性粉末具有玻璃化轉(zhuǎn)變溫度tg，因此在納米晶化工序中，產(chǎn)生伴隨玻璃化轉(zhuǎn)變的吸熱反應(yīng)，抑制了納米晶化的自發(fā)熱。除此之外，本專利技術(shù)的軟磁性粉末具有滿足規(guī)定的溫度條件的第一晶化開始溫度tx1和第二晶化開始溫度tx2。因此，本專利技術(shù)的軟磁性粉末能夠穩(wěn)定地進(jìn)行納米晶化，能夠充分地析出細(xì)微的納米晶體。
12、通過參照附圖同時對下述的最佳實施方式的說明進(jìn)行討論，從而能夠準(zhǔn)確地理解本專利技術(shù)的目的，且能夠更加完整地理解其構(gòu)成。
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1.一種軟磁性粉末，其中，
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的軟磁性粉末，其中，
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的軟磁性粉末，其中，
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中的任一項所述的軟磁性粉末，其中，
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中的任一項所述的軟磁性粉末，其中，
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的軟磁性粉末，其中，
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的軟磁性粉末，其中，
8.根據(jù)權(quán)利要求1至7中的任一項所述的軟磁性粉末，其中，
9.根據(jù)權(quán)利要求1至8中的任一項所述的軟磁性粉末，其中，
【技術(shù)特征摘要】
【國外來華專利技術(shù)】
1.一種軟磁性粉末，其中，
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的軟磁性粉末，其中，
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的軟磁性粉末，其中，
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中的任一項所述的軟磁性粉末，其中，
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中的任一項所述的軟磁...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：千葉美帆，浦田顯理，高下拓也，中世古誠，
申請(專利權(quán))人：株式會社東金，
類型：發(fā)明
國別省市：
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