【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及發光二極管，尤其涉及一種led芯片分選方法和系統。
技術介紹
1、分選工序是芯片中游的一道工序，其是把經過測試后芯粒經抓取、轉移、排列到另一藍膜上。常見的分選有全分選和反分選，全分選是指將晶圓上的每個芯粒均進行轉移，而反分選方式就是在這個基礎上演化而來，即在分選工序中，不需要把z1-z150全部分選出來，只需要把其中幾個z分選出來即可，且這幾個z有一些相同的地方，都是外觀或者電性不良的z種類。
2、另一方面，現在的分選過程中，往往是一道分選對應一種排列間距，這就導致在后續生產過程中，廠家往往需要對分選后的晶粒重新排列，降低了生產效率。而且，當采用反選工藝時，往往會存在一些“雙胞”缺陷的晶粒，這些晶粒的尺寸不規則，采用同一間距會嚴重耽誤分選的效率。
技術實現思路
1、本專利技術所要解決的技術問題在于，提供一種led芯片的分選方法，其可對同一晶圓上的不同等級的led芯片實現不同間距的分選，簡化分選工序。
2、為了解決上述技術問題，本專利技術提供了一種led芯片的分選方法，其包括：
3、提供晶圓和多個轉移載體，所述晶圓包括多個分割后的led芯片；
4、測試所述led芯片，并根據測試信息將所述led芯片分級；
5、將led芯片轉移到轉移載體上，其中，相同等級的led芯片轉移到同一轉移載體上，不同等級的led芯片轉移到不同轉移載體上；轉移后不同轉移載體上的led芯片之間的間距不同。
6、作為上述技術方案的改
7、作為上述技術方案的改進，所述測試所述led芯片，并根據測試信息將所述led芯片分級的步驟中，所述測試信息包括：正向電壓、亮度和主波長。
8、作為上述技術方案的改進，所述測試所述led芯片，并根據測試信息將所述led芯片分級的步驟包括：
9、測試所述led芯片的正向電壓、亮度和主波長；
10、根據所述led芯片的正向電壓確定其第一分級參數n1i，根據所述led芯片的亮度確定其第二分級參數n2i，根據所述led芯片的主波長確定其第三分級參數n3i；
11、根據下式計算等級參數ni：
12、n＝n1i*n2i*n3i；
13、根據等級參數ni對同一晶圓上的多個led芯片進行分級。
14、作為上述技術方案的改進，所述led芯片具備初始尺寸ch1，轉移載體上相鄰所述led芯片之間的間距≥1/2ch1。
15、作為上述技術方案的改進，所述led芯片呈矩形，其具備橫向尺寸ch1和縱向尺寸ch2；
16、轉移載體上相鄰led芯片在x方向的間距≥1/2ch1，在y方向的間距≥1/2ch2。
17、相應的，本專利技術還公開了一種led芯片的分選系統，其包括：
18、晶圓提供單元，用于提供晶圓，所述晶圓包括多個分割后的led芯片；
19、轉移載體提供單元，用于提供轉移載體；
20、測試單元，用于測試所述led芯片單元，獲取測試信息；
21、分級單元，用于根據所述測試信息對所述led芯片進行分級；
22、轉移單元，用于將分級后的led芯片轉移到轉移載體上，其中，相同等級的led芯片轉移到同一轉移載體上，不同等級的led芯片轉移到不同轉移載體上；轉移后不同轉移載體上的led芯片之間的間距不同。
23、作為上述技術方案的改進，所述測試信息包括：正向電壓、亮度和主波長。
24、作為上述技術方案的改進，所述分級單元根據下述方法對led芯片進行分級：
25、獲取led芯片的正向電壓、亮度和主波長；
26、根據所述led芯片的正向電壓確定其第一分級參數n1i，根據所述led芯片的亮度確定其第二分級參數n2i，根據所述led芯片的主波長確定其第三分級參數n3i；
27、根據下式計算等級參數ni：
28、n＝n1i*n2i*n3i；
29、根據等級參數ni對同一晶圓上的多個led芯片進行分級。
30、作為上述技術方案的改進，所述led芯片呈矩形，其具備橫向尺寸ch1和縱向尺寸ch2；
31、轉移載體上相鄰led芯片在x方向的間距≥1/2ch1，在y方向的間距≥1/2ch2。
32、實施本專利技術，具有如下有益效果：
33、本專利技術的led芯片的分選方法中，先測試led芯片，根據測試信息對led芯片進行分級，再將led芯片轉移到轉移載體上。相同等級的led芯片轉移到同一轉移載體上，不同等級的led芯片轉移到不同轉移載體上；轉移后不同轉移載體上的led芯片之間的間距不同。實施本專利技術，可對同一晶圓上的不同等級的led芯片實現不同間距的分選，可更好地滿足后續的生產要求。
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1.一種LED芯片的分選方法，其特征在于，包括：
2.如權利要求1所述的LED芯片的分選方法，其特征在于，所述測試所述LED芯片，并根據測試信息將所述LED芯片分級的步驟中，所述測試信息包括：正向電壓、反向電壓、反向漏電電流、亮度、峰值波長、中心波長或主波長中的一者或多者。
3.如權利要求1所述的LED芯片的分選方法，其特征在于，所述測試所述LED芯片，并根據測試信息將所述LED芯片分級的步驟中，所述測試信息包括：正向電壓、亮度和主波長。
4.如權利要求1或3所述的LED芯片的分選方法，其特征在于，所述測試所述LED芯片，并根據測試信息將所述LED芯片分級的步驟包括：
5.如權利要求1所述的LED芯片的分選方法，其特征在于，所述LED芯片具備初始尺寸CH1，轉移載體上相鄰所述LED芯片之間的間距≥1/2CH1。
6.如權利要求1所述的LED芯片的分選方法，其特征在于，所述LED芯片呈矩形，其具備橫向尺寸CH1和縱向尺寸CH2；
7.一種LED芯片的分選系統，其特征在于，包括：
8.如權利要求7所述
9.如權利要求7所述的LED芯片的分選系統，其特征在于，所述分級單元根據下述方法對LED芯片進行分級：
10.如權利要求7所述的LED芯片的分選系統，其特征在于，所述LED芯片呈矩形，其具備橫向尺寸CH1和縱向尺寸CH2；
...【技術特征摘要】
1.一種led芯片的分選方法，其特征在于，包括：
2.如權利要求1所述的led芯片的分選方法，其特征在于，所述測試所述led芯片，并根據測試信息將所述led芯片分級的步驟中，所述測試信息包括：正向電壓、反向電壓、反向漏電電流、亮度、峰值波長、中心波長或主波長中的一者或多者。
3.如權利要求1所述的led芯片的分選方法，其特征在于，所述測試所述led芯片，并根據測試信息將所述led芯片分級的步驟中，所述測試信息包括：正向電壓、亮度和主波長。
4.如權利要求1或3所述的led芯片的分選方法，其特征在于，所述測試所述led芯片，并根據測試信息將所述led芯片分級的步驟包括：
5.如權利要求1所述的led芯片的分...
【專利技術屬性】
技術研發人員：劉佑芝，何德義，
申請(專利權)人：佛山市國星半導體技術有限公司，
類型：發明
國別省市：
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