【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】
涉及功率放大器領(lǐng)域，具體涉及高壓壓電陶瓷驅(qū)動。
技術(shù)介紹
1、高壓壓電陶瓷是一種具有電容小、出力大的特點的陶瓷材料。它可以通過施加電壓來引起機械應(yīng)力的變化，從而實現(xiàn)機械振動或位移。然而，由于高壓驅(qū)動電路的特殊需求，一般需要1000v以上的驅(qū)動電壓。為了滿足這種高壓需求，目前常采用集成高壓芯片，如pa89芯片。
2、然而，傳統(tǒng)的高壓驅(qū)動芯片存在一些問題。首先，傳統(tǒng)高壓芯片的驅(qū)動能力較弱，驅(qū)動電流相對較小。這可能在需要較大驅(qū)動力或輸出功率的應(yīng)用中限制了其使用。其次，由于高壓芯片的設(shè)計和生產(chǎn)要求較高，通常會導致成本較高，這對于某些成本敏感的應(yīng)用來說是一個挑戰(zhàn)。
3、為了解決這些問題，一些研究人員已經(jīng)提出了一些方法來增強高壓驅(qū)動電路的能力，同時保持較低的成本。
4、一種方法是采用多級驅(qū)動電路。通過將多個低電壓驅(qū)動芯片級聯(lián)，可以實現(xiàn)高電壓的驅(qū)動。每個低電壓驅(qū)動芯片僅負責一部分電壓，從而減輕了每個芯片的設(shè)計和生產(chǎn)難度，降低了成本。同時，這種方法還可以增加整個驅(qū)動電路的驅(qū)動能力和輸出電流。
5、另一種方法是使用高壓耦合器。高壓耦合器是一種器件，可以將低電壓輸入轉(zhuǎn)變?yōu)楦唠妷狠敵?。通過將低電壓驅(qū)動芯片和高壓耦合器結(jié)合起來，可以實現(xiàn)高壓輸出，并且具有較大的驅(qū)動能力。這種方法可以減少對集成高壓芯片的依賴，從而減低了成本。
6、此外，一些研究還嘗試在驅(qū)動電路中引入功率放大器和增益元件，以增強驅(qū)動能力。這些技術(shù)可以在保證高壓輸出的同時，提供更大的驅(qū)動力和輸出功率。
7、需要注意的是，
8、總結(jié)起來，高壓驅(qū)動電路對于高壓壓電陶瓷的應(yīng)用至關(guān)重要。傳統(tǒng)的集成高壓芯片在驅(qū)動能力和成本方面存在一些限制，現(xiàn)有的功率放大器普遍驅(qū)動能力弱，驅(qū)動電流小，且成本較高。
技術(shù)實現(xiàn)思路
1、為解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的，傳統(tǒng)的集成高壓芯片在驅(qū)動能力和成本方面存在一些限制，現(xiàn)有的功率放大器普遍驅(qū)動能力弱，驅(qū)動電流小，且成本較高的技術(shù)問題，本技術(shù)提供的技術(shù)方案為：
2、高壓功率放大電路，所述電路包括：
3、電阻r26分別連接集成運放的輸入端和電阻r27；
4、所述集成運放、反相電壓放大電路a和pmos管q4的柵極依次串聯(lián)；
5、所述q4的漏極還與電阻r22和nmos管q2的柵極依次串聯(lián)，q2的源級連接正壓過載保護電路的輸出端；
6、所述q4的源級、電阻r24、電阻r51、電阻r20和pmos管q13的漏極依次串聯(lián)，q13的源級連接負壓過保護電路的輸出端；
7、q4的柵極還連接穩(wěn)壓二極管d5的正極，d5的負極連接在r24和r51之間；
8、電容c4與所述r27并聯(lián)；
9、所述r27遠離所述r26的一端分別連接正壓過載保護電路和負壓過載保護電路的輸入端；
10、所述q4的漏極連接二極管d8的正極，d8的負極連接穩(wěn)壓二極管d9的負極，d9的正極連接nmos管q9的漏級，q9的源級連接電阻r60，所述r60連接在所述r20和q13的漏極之間；
11、所述q9的柵極連接所述r51和r20之間，q9還連接穩(wěn)壓二極管d14的負極，d14的正極連接在r20和r60之間。
12、進一步，提供一個優(yōu)選實施方式，所述正壓過載保護電路具體為：
13、npn三極管q5的發(fā)射極、電阻r39、電阻r35、電阻r31和q5的基極依次串聯(lián)；
14、q5的基極和發(fā)射機之間還并聯(lián)有，串聯(lián)的電容c9和電阻r38，所述c9靠近所述q5的基極；
15、二極管d7的負極連接npn三極管q7的集電極，q7的發(fā)射機連接在所述r38和r39之間，q7的基極連接在r35和r39之間。
16、進一步，提供一個優(yōu)選實施方式，所述負壓過載保護電路具體為：
17、pnp三極管q10的發(fā)射極、電阻r34、電阻r47、電阻r52和q10的基極依次串聯(lián)；
18、q10的發(fā)射極和基極之間還并聯(lián)有，串聯(lián)的電容c15和電阻r42，所述c15靠近q10的基極；
19、二極管d16的負極連接pnp三極管q8的集電極，q8的發(fā)射極連接在q10的發(fā)射極和r43之間，q8的基極連接在r43和r47之間。
20、進一步，提供一個優(yōu)選實施方式，所述q2的漏極還連接nmos串聯(lián)電路，q13的漏極還連接pmos串聯(lián)電路。
21、進一步，提供一個優(yōu)選實施方式，所述nmos串聯(lián)電路具體為：nmos管q1的源級連接nmos管q3的漏極；
22、q1的柵極連接穩(wěn)壓二極管d4的負極，d4的正極連接q1的源級；
23、q3的柵極連接穩(wěn)壓二極管d18的負極，d18的正極連接q3的源級；
24、電阻r18連接在d4的負極和q1的漏極之間；
25、電阻r29連接在d4的負極和d18的負極之間；
26、電阻r33的一端連接在r29和d18的負極之間。
27、進一步，提供一個優(yōu)選實施方式，所述pmos串聯(lián)電路具體為：pmos管q11的漏極連接pmos管q12的源級；
28、q11的柵極連接穩(wěn)壓二極管d20的正極，d20的負極連接q11的源級；
29、q12的柵極連接穩(wěn)壓二極管d12的正極，d12的負極連接q12的源級；
30、電阻r53連接在d20的正極和d12的正極之間；
31、電阻r62連接在d12的正極和q12的漏極之間；
32、點入r45的一端連接在r35和d20的正極之間。
33、基于同一專利技術(shù)構(gòu)思，本專利技術(shù)還提供了高壓壓電陶瓷驅(qū)動器，所述驅(qū)動器包括：所述的高壓功率放大器，所述正壓過載保護電路連接正壓過載指示電路，用于在正壓短路時發(fā)出提示，所述負壓過載保護電路連接負壓過載指示電路，用于在負壓短路時發(fā)出提示。
34、進一步，提供一個優(yōu)選實施方式，所述正壓過載指示電路包括：
35、接入所述正壓過載保護電路的光電耦合器u6，u6的光敏三極管的集電極連接電阻r63，發(fā)射極連接電阻r67；
36、與所述r67并聯(lián)的提示模塊d6。
37、進一步，提供一個優(yōu)選實施方式，所述負壓過載指示電路包括：
38、接入所述負壓過載保護電路的光電耦合器u7，u7的光敏三極管的集電極連接電阻r65，q02的發(fā)射極連接電阻r68；
39、與所述r65并聯(lián)的提示模塊d15。
40、進一步，提供一個優(yōu)選實施方式，所述提示模塊d6和提示模塊d15為發(fā)光二極管。
41、與現(xiàn)有技術(shù)相比，本技術(shù)提供的技術(shù)方案的有益之處在于：
42、本技術(shù)提供的高壓功率放大電路，能夠?qū)崿F(xiàn)1000v以上高壓輸出，輸出電流大，瞬時本文檔來自技高網(wǎng)...
【技術(shù)保護點】
1.高壓功率放大電路，其特征在于，所述電路包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高壓功率放大電路，其特征在于，所述正壓過載保護電路具體為：
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高壓功率放大電路，其特征在于，所述負壓過載保護電路具體為：
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高壓功率放大電路，其特征在于，所述Q2的漏極還連接NMOS串聯(lián)電路，Q13的漏極還連接PMOS串聯(lián)電路。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的高壓功率放大電路，其特征在于，所述NMOS串聯(lián)電路具體為：NMOS管Q1的源級連接NMOS管Q3的漏極；
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的高壓功率放大電路，其特征在于，所述PMOS串聯(lián)電路具體為：PMOS管Q11的漏極連接PMOS管Q12的源級；
7.高壓壓電陶瓷驅(qū)動器，其特征在于，所述驅(qū)動器包括：權(quán)利要求4所述的高壓功率放大電路，所述正壓過載保護電路連接正壓過載指示電路，用于在正壓短路時發(fā)出提示，所述負壓過載保護電路連接負壓過載指示電路，用于在負壓短路時發(fā)出提示。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的高壓壓電陶瓷驅(qū)動器，其特征在于，所述正壓過載指示電
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的高壓壓電陶瓷驅(qū)動器，其特征在于，所述負壓過載指示電路包括：
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的高壓壓電陶瓷驅(qū)動器，其特征在于，所述提示模塊D6和提示模塊D15為發(fā)光二極管。
...【技術(shù)特征摘要】
1.高壓功率放大電路，其特征在于，所述電路包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高壓功率放大電路，其特征在于，所述正壓過載保護電路具體為：
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高壓功率放大電路，其特征在于，所述負壓過載保護電路具體為：
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高壓功率放大電路，其特征在于，所述q2的漏極還連接nmos串聯(lián)電路，q13的漏極還連接pmos串聯(lián)電路。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的高壓功率放大電路，其特征在于，所述nmos串聯(lián)電路具體為：nmos管q1的源級連接nmos管q3的漏極；
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的高壓功率放大電路，其特征在于，所述pmos串聯(lián)...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：楊明遠，閆更輝，王棟亮，岳立雷，夏紅敏，楊冬梅，陳峰，王麗丹，
申請(專利權(quán))人：哈爾濱芯明天科技有限公司，
類型：新型
國別省市：
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