本發明專利技術涉及半導體技術領域，公開玻璃基多芯片異構集成結構及其制備方法，包括：制作正面帶有多層重布線層的第一玻璃基，并使第一玻璃基具有安裝孔；制作正面帶有一層重布線層的第二玻璃基，第二玻璃基厚度小于第一玻璃基厚度；第二玻璃基安裝于第一玻璃基的安裝孔內并通過連接材料固定，使第二玻璃基正面的重布線層與第一玻璃基正面的最外層重布線層之間形成凹槽結構，與該凹槽結構相背的第二玻璃基背面與第一玻璃基背面平齊；提供多個芯片，將芯片分別貼于第一玻璃基和第二玻璃基正面，貼于第二玻璃基上的芯片為射頻芯片，貼于第一玻璃基上的芯片為非射頻芯片。本發明專利技術可實現射頻芯片和非射頻芯片差分異構集成，降低射頻損耗，且工藝簡單。
【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及半導體芯片封裝，具體涉及一種玻璃基多芯片異構集成結構及其制備方法。
技術介紹
1、射頻芯片和其他常規芯片通常在集成封裝時會考慮到射頻信號的特殊性和對環境的敏感性。在傳統的集成電路封裝技術中，將射頻芯片和其他常規芯片封裝在一起的工藝步驟如下：
2、（1）先提供基板，然后在基板表面做沉槽和通孔；
3、（2）在沉槽和通孔內以及基板表面做線路層；
4、（3）將射頻芯片和其他常規芯片芯片貼于基板表面的線路層上并進行塑封。
5、該工藝中，為了降低射頻芯片的射頻損耗，通常將射頻芯片貼于沉槽內的線路層上。然而在該工藝中，存在的主要問題是在沉槽內做線路層比較困難。
技術實現思路
1、本專利技術的目的之一在于提供一種玻璃基多芯片異構集成結構及其制備方法，通過將第二玻璃基安裝于一玻璃基的安裝槽內，實現射頻芯片和非射頻芯片的差分異構集成，可以有效降低射頻芯片的射頻損耗，且無需在沉槽內做線路層，工藝簡單。
2、本專利技術的目的之二在于提供一種玻璃基多芯片異構集成結構及其制備方法，通過將第二玻璃基安裝于一玻璃基的安裝槽內，實現多芯片異構集成，尤其適用于含有射頻芯片的多芯片集成封裝，并能有效降低射頻芯片的射頻損耗，并且該玻璃基多芯片異構集成結構的強度高，不易產生翹曲現象。
3、為達此目的，本專利技術采用以下技術方案：
4、作為一種玻璃基多芯片異構集成方法的方案之一，該玻璃基多芯片異構集成方法包括以下步驟：
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p>5、s10、制作正面帶有多層重布線層的第一玻璃基，并使第一玻璃基具有安裝孔；6、s20、制作正面帶有一層重布線層的第二玻璃基，第二玻璃基的厚度小于第一玻璃基的厚度；
7、s30、將所述第二玻璃基安裝于所述第一玻璃基的安裝孔內并通過連接材料固定，并使所述第二玻璃基的正面的重布線層與所述第一玻璃基的正面的最外層的重布線層之間形成一凹槽結構，與該凹槽結構相背的所述第二玻璃基的背面與所述第一玻璃基的背面平齊；
8、s40、提供多個芯片，將所述芯片分別貼于所述第一玻璃基和所述第二玻璃基的正面，其中，貼于所述第二玻璃基上的芯片為射頻芯片，貼于所述第一玻璃基上的芯片為非射頻芯片。
9、作為玻璃基多芯片異構集成方法的進一步方案，步驟s30中，所述第二玻璃基通過連接材料固定于第一玻璃基的安裝孔內，所述連接材料選自水玻璃、玻璃粉、玻璃膏、膠黏樹脂中任一種。
10、作為玻璃基多芯片異構集成方法的進一步方案，步驟s10具體包括：
11、s10a、提供第一玻璃板，開設一貫穿所述第一玻璃板的安裝孔；
12、s10b、在第一玻璃板的正面制作第一重布線層；
13、s10c、在第一重布線層表面制作介電層，對介電層開孔處理，形成使所述第一重布線層部分外露的窗口；
14、s10d、在所述窗口內制作導電柱以及在所述介電層的表面制作第二重布線層；
15、s10e、在所述第二重布線層表面制作第一阻焊層，并使所述第二重布線層的焊盤區外露。
16、作為玻璃基多芯片異構集成方法的進一步方案，步驟s20具體包括：
17、s20a、提供厚度與所述第一玻璃板一致且與所述安裝孔間隙配合的第二玻璃板，在所述第二玻璃板的正面制作第三重布線層；
18、s20b、在所述第三重布線層表面制作第二阻焊層，并使所述第三重布線層的焊盤區外露。
19、另一方面，本專利技術提供一種玻璃基多芯片異構集成結構，采用上述玻璃基多芯片異構集成方法制得，包括第一玻璃基、第二玻璃基和多個芯片；
20、所述第一玻璃基包括第一玻璃板，所述第一玻璃板沿其厚度方向開設一安裝孔，所述第一玻璃板的正面設置有多層重布線層；
21、所述第二玻璃基包括厚度與所述第一玻璃板一致并與所述安裝孔間隙配合的第二玻璃板，所述第二玻璃板的正面設置有一層重布線層；
22、所述第二玻璃基安裝于所述安裝孔內并通過連接材料固定，且所述第二玻璃基的正面的重布線層與所述第一玻璃基的正面的最外層的重布線層之間形成一凹槽結構，與該凹槽結構相背的所述第二玻璃基的背面與所述第一玻璃基的背面平齊；
23、部分芯片為非射頻芯片，貼于所述第一玻璃基正面的最外層重布線層上；
24、部分芯片為射頻芯片，貼于所述第二玻璃基正面的重布線層上。
25、作為本專利技術的玻璃基多芯片異構集成方法的方案之二，該玻璃基多芯片異構集成方法包括以下步驟：
26、s10、制作正面帶有多層重布線層和背面帶有重布線層的第一玻璃基，并使第一玻璃基具有安裝孔和若干通孔，且正面的重布線層通過通孔內的導電柱與背面的重布線層連接；
27、s20、制作正面帶有一層重布線層和背面帶有與所述第一玻璃基的背面的重布線層結構一致的重布線層的第二玻璃基，且第二玻璃基的厚度小于第一玻璃基的厚度以及第二玻璃基與安裝孔間隙配合；
28、s30、將所述第二玻璃基安裝于所述第一玻璃基的安裝孔內，并使所述第二玻璃基的正面的重布線層與所述第一玻璃基的正面的最外層的重布線層之間形成一凹槽結構，與該凹槽結構相背的所述第二玻璃基的背面與所述第一玻璃基的背面平齊；
29、s40、提供若干芯片，將所述芯片分別貼于所述第一玻璃基和所述第二玻璃基的正面，其中，貼于所述第一玻璃基上的芯片為非射頻芯片，貼于所述第二玻璃基上的芯片為射頻芯片。
30、作為玻璃基多芯片異構集成方法的進一步方案，步驟s10具體包括：
31、s10a、提供第一玻璃板，開設若干第一通孔和一安裝孔；
32、s10b、在第一通孔內制作第一導電柱、在第一玻璃板的正面制作第一重布線層以及在第一玻璃板的背面制作第二重布線層，并使第一重布線層通過所述第一導電柱與所述第二重布線層連接；
33、s10c、在所述第一重布線層表面壓制第一介電層以及在所述第二重布線層表面壓制第二介電層，并對所述第一介電層開孔處理，形成使部分所述第一重布線層外露的孔結構；
34、s10d、在所述孔結構內制作第二導電柱以及在所述第一介電層的表面制作第三重布線層，并使所述第二重布線層通過所述第二導電柱與所述第一重布線層連接；
35、s10e、在所述第三重布線層表面制作第一阻焊層，并使所述第三重布線層的焊盤區外露于所述第一阻焊層。
36、作為玻璃基多芯片異構集成方法的進一步方案，步驟s20具體包括：
37、s20a、提供厚度與所述第一玻璃板一致并與所述安裝孔間隙配合的第二玻璃板，在所述第二玻璃板的正面制作第四重布線層以及在所述第二玻璃板的背面制作第五重布線層；
38、s20b、在所述第四重布線層的表面制作第三阻焊層，并使所述第四重布線層的焊盤區外露于所述第三阻焊層；
39、s20c、在所述第五重布線層的背面壓制第三介電層。
40、另一本文檔來自技高網
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【技術保護點】
1.一種玻璃基多芯片異構集成方法，其特征在于，包括以下步驟：
2.根據權利要求1所述的玻璃基多芯片異構集成方法，其特征在于，步驟S30中，所述第二玻璃基通過連接材料固定于第一玻璃基的安裝孔內，所述連接材料選自水玻璃、玻璃粉、玻璃膏、膠黏樹脂中任一種。
3.根據權利要求1所述的玻璃基多芯片異構集成方法，其特征在于，步驟S10具體包括：
4.根據權利要求1所述的玻璃基多芯片異構集成方法，其特征在于，步驟S20具體包括：
5.一種玻璃基多芯片異構集成方法，其特征在于，包括以下步驟：
6.根據權利要求5所述的玻璃基多芯片異構集成方法，其特征在于，步驟S10具體包括：
7.根據權利要求5所述的玻璃基多芯片異構集成方法，其特征在于，步驟S20具體包括：
8.一種玻璃基多芯片異構集成結構，采用權利要求1-4任一項所述的玻璃基多芯片異構集成方法制得，其特征在于，包括第一玻璃基、第二玻璃基和多個芯片；
9.一種玻璃基多芯片異構集成結構，采用權利要求5-7任一項所述的玻璃基多芯片異構集成方法制得，其特征在于，包括第一玻璃基、第二玻璃基和多個芯片；
10.根據權利要求9所述的玻璃基多芯片異構集成結構，其特征在于，所述第一玻璃板的正面的多層重布線層中，相鄰兩層重布線層之間設置有第一介電層，且相鄰兩層所述重布線層之間通過嵌入至所述第一介電層的第二導電柱連接，最外層的所述重布線層的表面設置有第一阻焊層，且最外層的重布線層的焊盤區外露于所述第一阻焊層；所述第一玻璃基的背面的重布線層為一層，且該重布線層遠離所述第一玻璃板的一面設置有第二介電層；所述第一玻璃板正面的所有的重布線層、第一介電層以及第一阻焊層的厚度之和等于所述第一玻璃板背面的重布線層和第二介電層的厚度之和；
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【技術特征摘要】
1.一種玻璃基多芯片異構集成方法，其特征在于，包括以下步驟：
2.根據權利要求1所述的玻璃基多芯片異構集成方法，其特征在于，步驟s30中，所述第二玻璃基通過連接材料固定于第一玻璃基的安裝孔內，所述連接材料選自水玻璃、玻璃粉、玻璃膏、膠黏樹脂中任一種。
3.根據權利要求1所述的玻璃基多芯片異構集成方法，其特征在于，步驟s10具體包括：
4.根據權利要求1所述的玻璃基多芯片異構集成方法，其特征在于，步驟s20具體包括：
5.一種玻璃基多芯片異構集成方法，其特征在于，包括以下步驟：
6.根據權利要求5所述的玻璃基多芯片異構集成方法，其特征在于，步驟s10具體包括：
7.根據權利要求5所述的玻璃基多芯片異構集成方法，其特征在于，步驟s20具體包括：
8.一種玻璃基多芯片異構集成結構，采用權利要求1-...
【專利技術屬性】
技術研發人員：楊斌，鄒其昱，華顯剛，何健豪，王展博，
申請(專利權)人：廣東佛智芯微電子技術研究有限公司，
類型：發明
國別省市：
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