【技術實現步驟摘要】
【國外來華專利技術】
本申請案大體上涉及微電子裝置封裝，且更具體地說，涉及包含天線和半導體裝置的微電子裝置封裝。
技術介紹
1、用于生產微電子裝置封裝的工藝包含將半導體裸片安裝到封裝襯底，并且用例如模塑料等介電材料覆蓋電子裝置以形成封裝式裝置。
2、將多個天線與半導體裝置并入在微電子裝置封裝中是合乎需要的。天線越來越多地用于微電子裝置和便攜式裝置，例如通信系統、包含支持4g、5g或lte的手機、平板電腦和智能手機的通信裝置。具體地，多個天線有助于使用相控陣列技術，所述相控陣列技術提供出射波束的方向性或接收信號的定向靈敏度。額外應用包含汽車系統中的微電子裝置，例如雷達、導航和空中通信系統。模制微電子裝置中使用的模塑料和在封裝半導體裝置時使用的一些襯底材料具有約3或更高的高介電常數，這可能干擾嵌入式天線的效率。因此，使用具有封裝式半導體裝置的天線的系統通常將天線放置在單獨印刷電路板、有機襯底上，與半導體裝置間隔開。這些方法需要額外元件，包含昂貴的印刷電路板(pcb)襯底，所述pcb襯底有時在具有半導體裸片的模塊內部使用，或有時與設置成與天線間隔開的封裝式半導體裝置一起使用。這些解決方案成本相對較高，并且需要大量的裝置面積。在封裝內形成包含高效且有成本效益的天線的微電子裝置封裝仍然具有挑戰性。
技術實現思路
1、根據實例，一種設備包含第一天線和第二天線，所述第一天線和所述第二天線形成于多層封裝襯底的第一表面上的第一層中，所述多層封裝襯底具有包含圖案化導電部分和介電部分的層，所述多層封裝襯底具有與所
2、根據另一實例，一種設備包含第一天線和第二天線，所述第一天線和所述第二天線形成于多層封裝襯底的第一表面上的第一層中，所述多層封裝襯底具有包含圖案化導電部分和介電部分的層，所述多層封裝襯底具有與所述第一表面相對的第二表面。所述設備還包含：半導體裸片，其安裝到所述多層封裝襯底的所述第一表面，與所述第一天線和所述第二天線間隔開且耦合到所述第一天線和所述第二天線；以及反射器，其形成于所述多層封裝襯底的第四層中。所述設備還包含：頂部接地層，其在所述多層封裝襯底的所述第一層中，所述頂部接地層具有其中形成有第一天線的第一開口和其中形成有第二天線的第二開口；以及隔離壁，其形成于所述多層封裝襯底中，形成于所述多層封裝襯底中的至少第二層和第三層中，其中所述隔離壁從所述頂部接地層延伸到所述反射器。所述設備還包含：第一引線，其耦合到所述第一天線且從所述第一天線延伸；以及第二引線，其耦合到所述第二天線且從所述第二天線延伸。所述設備還包含：第一橫向反射壁，其從所述頂部接地層延伸到所述反射器，除了所述第一引線從所述第一天線延伸的位置之外，所述第一橫向反射壁包圍所述第一天線，其中從所述第一橫向反射壁到所述第一天線的第一距離加上所述頂部接地層與所述反射器之間的第二距離的總和等于所述第一天線被配置成發射或接收的頻率的波長；以及第二橫向反射壁，其從所述頂部接地層延伸到所述反射器，除了所述第二引線從所述第二天線延伸的位置之外，所述第二橫向反射壁包圍所述第二天線。
3、根據另一實例，一種設備包含第一天線和第二天線，所述第一天線和所述第二天線形成于多層封裝襯底的第一表面上的第一層中，所述多層封裝襯底具有包含圖案化導電部分和介電部分的層，所述多層封裝襯底具有與所述第一表面相對的第二表面。所述設備還包含：隔離壁，其形成于所述多層封裝襯底中，形成于所述多層封裝襯底中的至少第二層和第三層中；以及半導體裸片，其安裝到所述多層封裝襯底的所述第二表面且耦合到所述第一天線和所述第二天線。
本文檔來自技高網...【技術保護點】
1.一種設備，其包括：
2.根據權利要求1所述的設備，其中所述多層封裝襯底和所述半導體裸片包含于微電子裝置封裝中。
3.根據權利要求2所述的設備，其中所述微電子裝置封裝包含保護所述半導體裸片和所述多層封裝襯底的模塑料。
4.根據權利要求1所述的設備，其進一步包括形成于所述多層封裝襯底的第四層中的反射器。
5.根據權利要求4所述的設備，其進一步包括在所述多層封裝襯底的所述第一層中的頂部接地層，所述頂部接地層具有其中形成有所述第一天線的第一開口和其中形成有所述第二天線的第二開口。
6.根據權利要求5所述的設備，其中所述隔離壁從所述頂部接地層延伸到所述反射器。
7.根據權利要求5所述的設備，其進一步包括：
8.根據權利要求7所述的設備，其中所述第一引線經由第一柱耦合到所述第一天線，并且所述第二引線經由第二柱耦合到所述第二天線。
9.一種設備，其包括：
10.根據權利要求9所述的設備，其中所述第一引線經由第一柱耦合到所述第一天線，并且所述第二引線經由第二柱耦合到所述第二天線。>
11.根據權利要求9所述的設備，其中所述多層封裝襯底和所述半導體裸片包含于微電子裝置封裝中。
12.根據權利要求11所述的設備，其中所述微電子裝置封裝包含保護所述半導體裸片和所述多層封裝襯底的模塑料。
13.一種設備，其包括：
14.根據權利要求13所述的設備，其中所述多層封裝襯底和所述半導體裸片包含于微電子裝置封裝中。
15.根據權利要求14所述的設備，其中所述微電子裝置封裝包含保護所述半導體裸片和所述多層封裝襯底的模塑料。
16.根據權利要求13所述的設備，其進一步包括形成于所述多層封裝襯底的第四層中的反射器。
17.根據權利要求16所述的設備，其進一步包括在所述多層封裝襯底的所述第一層中的頂部接地層，所述頂部接地層具有其中形成有所述第一天線的第一開口和其中形成有所述第二天線的第二開口。
18.根據權利要求17所述的設備，其中所述隔離壁從所述頂部接地層延伸到所述反射器。
19.根據權利要求17所述的設備，其進一步包括：
20.根據權利要求19所述的設備，其中所述第一引線經由第一柱耦合到所述第一天線，并且所述第二引線經由第二柱耦合到所述第二天線。
...【技術特征摘要】
【國外來華專利技術】
1.一種設備，其包括：
2.根據權利要求1所述的設備，其中所述多層封裝襯底和所述半導體裸片包含于微電子裝置封裝中。
3.根據權利要求2所述的設備，其中所述微電子裝置封裝包含保護所述半導體裸片和所述多層封裝襯底的模塑料。
4.根據權利要求1所述的設備，其進一步包括形成于所述多層封裝襯底的第四層中的反射器。
5.根據權利要求4所述的設備，其進一步包括在所述多層封裝襯底的所述第一層中的頂部接地層，所述頂部接地層具有其中形成有所述第一天線的第一開口和其中形成有所述第二天線的第二開口。
6.根據權利要求5所述的設備，其中所述隔離壁從所述頂部接地層延伸到所述反射器。
7.根據權利要求5所述的設備，其進一步包括：
8.根據權利要求7所述的設備，其中所述第一引線經由第一柱耦合到所述第一天線，并且所述第二引線經由第二柱耦合到所述第二天線。
9.一種設備，其包括：
10.根據權利要求9所述的設備，其中所述第一引線經由第一柱耦合到所述第一天線，并且所述第二引線經由第二柱耦合到所述第二天線。
11.根據權利要求9所述的設備，其...
【專利技術屬性】
技術研發人員：胡安·亞力杭德羅·赫布佐默，唐逸麒，R·M·穆盧干，
申請(專利權)人：德州儀器公司，
類型：發明
國別省市：
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