【技術實現步驟摘要】
本專利技術屬于微波介質振蕩器領域，具體地說，是涉及一種低相位噪聲同軸介質振蕩電路。
技術介紹
1、在射頻電路設計中，振蕩器在射頻微波信號產生電路的應用有著不可替代的作用和優勢，隨著現階段振蕩器電路朝著高頻譜純度、低相位噪聲的發展，傳統lc振蕩器的相位噪聲在很多射頻微波電路系統中顯得差強人意，特別是在涉及到頻偏10khz~1mhz相位噪聲要求很低的場景，傳統lc振蕩器的相位噪聲已經不能滿足使用要求。而同軸介質諧振器由于其較高的q值，應用于振蕩器時能夠得到較低的相位噪聲指標，但傳統的同軸介質諧振器相位噪聲指標也表現一般。例如，市面上已經存在的某款商用同軸介質振蕩器，其輸出頻率3.25ghz時在頻偏100khz處的相位噪聲為-135dbc/hz。
2、在專利cn111416576a中，輸出頻率5.75ghz時，在偏移載波100khz處相位噪聲為-131dbc/hz，等效地，折算到3.25ghz信號輸出時在偏移載波100khz處相位噪聲為-136dbc/hz，可見其相位噪聲水平一般，在相位噪聲要求比較高的場景已經難以滿足，而本專利技術所述的一種低相位噪聲同軸介質振蕩電路，可實現在3.25ghz信號時偏移載波100khz處相位噪聲-145dbc/hz的指標。
技術實現思路
1、本專利技術的目的在于提供一種低相位噪聲同軸介質振蕩電路，主要解決現有同軸介質振蕩電路相位噪聲較高的問題。
2、為實現上述目的，本專利技術采用的技術方案如下：
3、一種低相位噪聲同軸介
4、進一步地，在本專利技術中，所述第一串聯諧振網絡由電容器c1、同軸介質諧振器t1和電容器c2構成；電容器c1的一端接地，電容器c1的另一端與同軸介質諧振器t1的一端直接相連，同軸介質諧振器t1的另一端和電容器c2的一端直接相連；電容器c2的另一端與并聯諧振網絡相連。
5、進一步地，在本專利技術中，?所述并聯諧振網絡由電容器c3和同軸介質諧振器t2直接相連構成；電容器c3、同軸介質諧振器t2的相連的一端與電容器c2的另一端相連，電容器c3和同軸介質諧振器t2的另一端分別接地；電容器c3、同軸介質諧振器t2的相連的一端還與第二串聯諧振網絡相連。
6、進一步地，在本專利技術中，所述第二串聯諧振網絡由電容器c4和同軸介質諧振器t3直接相連構成；電容器c4的自由端與電容器c3、同軸介質諧振器t2的相連的一端連接；同軸介質諧振器t3的另一端與主諧振網絡相連。
7、進一步地，在本專利技術中，所述主諧振網絡包括電容器c6、電容器c7、電容器c8、電容器c11、同軸介質諧振器t4、電阻器r4和電感器l2；其中，電容器c6的一端與同軸介質諧振器t3的另一端相連；電容器c6的另一端與電容器c7的一端相連，電容器c7的另一端與電容器c8、同軸介質諧振器t4的一端相連，電容器c8的另一端接地，電感器l2的一端、電容器c11的一端均與同軸介質諧振器t4的另一端相連，電阻器r4的一端與電感器l2的另一端相連，電阻器r4的另一端、電容器c11的另一端分別接地；電容器c6與電容器c7的公共端和同軸介質諧振器t4、電感器l2、電容器c11的公共端均與負阻電路相連。
8、進一步地，在本專利技術中，所述負阻電路包括基極與電容器c6與電容器c7的公共端相連、發射極與同軸介質諧振器t4、電感器l2、電容器c11的公共端相連的晶體管q1，串聯后一端與晶體管q1的集電極相連的電感器l3、電容器c13、電阻器r6和電阻器r7，一端與晶體管q1的集電極相連且另一端接地的電容器c10，一端與電感器l3、電容器c13的公共端相連且另一端接地的電容器c12，一端與電容器c13、電阻器r6的公共端相連且另一端接地的電阻器r5，與晶體管q1的集電極相連的電感器l1，與電感器l1的另一端相連的電阻器r1，一端與電感器l1、電阻器r1的公共端相連且另一端與晶體管q1的基極相連的電阻器r2，一端與晶體管q1的基極相連且另一端接地的電阻器r3，一端與電感器l1、電阻器r1的公共端相連且另一端接地的電容器c9，以及一端與電阻器r1的另一端相連且另一端接地的電容器c5；其中，電阻器r1、電容器c5的公共端作為振蕩電路直流電源vcc的接入點j1；電阻器r6、電阻器r7的公共端作為振蕩電路輸出端。
9、進一步地，在本專利技術中，同軸介質諧振器t1、同軸介質諧振器t2、同軸介質諧振器t3長度均為1/4?，同軸介質諧振器t4長度為1/10?；其中為振蕩輸出信號的波長。
10、與現有技術相比，本專利技術具有以下有益效果：
11、（1）本專利技術的振蕩電路，由于其獨特的諧振電路設計，特別地，在晶體管q1發射極與電容器c7和電容器c8間加入了同軸諧振器t4，同時由電容器c1、同軸介質諧振器t1和電容器c2構成的串聯諧振負載，以及電容器c4和同軸介質諧振器t3構成的串聯諧振網絡通過電容器c6加載于晶體管基極，這些特殊的電路結構，使其具備比傳統同軸介質振蕩器更低的相位噪聲，其輸出頻率3.25ghz時在頻偏100khz處的相位噪聲為-145dbc/hz，在頻偏1mhz處的相位噪聲為-165dbc/hz。例如，在專利cn111416576a中，輸出頻率5.75ghz時，在偏移載波100khz處相位噪聲為-131dbc/hz，等效地，折算到3.25ghz信號輸出時在偏移載波100khz處相位噪聲為-136dbc/hz，而本專利技術所述振蕩電路產生3.25ghz信號在頻偏100khz處的相位噪聲為-145dbc/hz，比專利cn111416576a中電路輸出的相位噪聲好9db。
12、（2）本專利技術的振蕩電路在比傳統同軸介質振蕩器具有更低相位噪聲的情況下，還具有比傳統同軸介質振蕩器更高的輸出功率及更好的輸出諧波抑制。
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1.一種低相位噪聲同軸介質振蕩電路，其特征在于，包括第一串聯諧振網絡，與第一串聯諧振網絡相連的并聯諧振網絡，與并聯諧振網絡相連的第二串聯諧振網絡，與第二串聯諧振網絡相連的主諧振網絡，以及與第二串聯諧振網絡和主諧振網絡均相連的負阻電路。
2.?根據權利要求1所述的一種低相位噪聲同軸介質振蕩電路，其特征在于，?所述第一串聯諧振網絡由電容器C1、同軸介質諧振器T1和電容器C2構成；電容器C1的一端接地，電容器C1的另一端與同軸介質諧振器T1的一端直接相連，同軸介質諧振器T1的另一端和電容器C2的一端直接相連；電容器C2的另一端與并聯諧振網絡相連。
3.根據權利要求2所述的一種低相位噪聲同軸介質振蕩電路，其特征在于，所述并聯諧振網絡由電容器C3和同軸介質諧振器T2直接相連構成；電容器C3、同軸介質諧振器T2的相連的一端與電容器C2的另一端相連，電容器C3和同軸介質諧振器T2的另一端分別接地；電容器C3、同軸介質諧振器T2的相連的一端還與第二串聯諧振網絡相連。
4.根據權利要求3所述的一種低相位噪聲同軸介質振蕩電路，其特征在于，所述第二串聯諧振網絡由電容
5.根據權利要求4所述的一種低相位噪聲同軸介質振蕩電路，其特征在于，所述主諧振網絡包括電容器C6、電容器C7、電容器C8、電容器C11、同軸介質諧振器T4、電阻器R4和電感器L2；其中，電容器C6的一端與同軸介質諧振器T3的另一端相連；電容器C6的另一端與電容器C7的一端相連，電容器C7的另一端與電容器C8、同軸介質諧振器T4的一端相連，電容器C8的另一端接地，電感器L2的一端、電容器C11的一端均與同軸介質諧振器T4的另一端相連，電阻器R4的一端與電感器L2的另一端相連，電阻器R4的另一端、電容器C11的另一端分別接地；電容器C6與電容器C7的公共端和同軸介質諧振器T4、電感器L2、電容器C11的公共端均與負阻電路相連。
6.?根據權利要求5所述的一種低相位噪聲同軸介質振蕩電路，其特征在于，?所述負阻電路包括基極與電容器C6與電容器C7的公共端相連、發射極與同軸介質諧振器T4、電感器L2、電容器C11的公共端相連的晶體管Q1，串聯后一端與晶體管Q1的集電極相連的電感器L3、電容器C13、電阻器R6和電阻器R7，一端與晶體管Q1的集電極相連且另一端接地的電容器C10，一端與電感器L3、電容器C13的公共端相連且另一端接地的電容器C12，一端與電容器C13、電阻器R6的公共端相連且另一端接地的電阻器R5，與晶體管Q1的集電極相連的電感器L1，與電感器L1的另一端相連的電阻器R1，一端與電感器L1、電阻器R1的公共端相連且另一端與晶體管Q1的基極相連的電阻器R2，一端與晶體管Q1的基極相連且另一端接地的電阻器R3，一端與電感器L1、電阻器R1的公共端相連且另一端接地的電容器C9，以及一端與電阻器R1的另一端相連且另一端接地的電容器C5；其中，電阻器R1、電容器C5的公共端作為振蕩電路直流電源VCC的接入點J1；電阻器R6、電阻器R7的公共端作為振蕩電路輸出端。
7.根據權利要求6所述的一種低相位噪聲同軸介質振蕩電路，其特征在于，同軸介質諧振器T1、同軸介質諧振器T2、同軸介質諧振器T3長度均為1/4，同軸介質諧振器T4長度為1/10；其中為振蕩輸出信號的波長。
...【技術特征摘要】
1.一種低相位噪聲同軸介質振蕩電路，其特征在于，包括第一串聯諧振網絡，與第一串聯諧振網絡相連的并聯諧振網絡，與并聯諧振網絡相連的第二串聯諧振網絡，與第二串聯諧振網絡相連的主諧振網絡，以及與第二串聯諧振網絡和主諧振網絡均相連的負阻電路。
2.?根據權利要求1所述的一種低相位噪聲同軸介質振蕩電路，其特征在于，?所述第一串聯諧振網絡由電容器c1、同軸介質諧振器t1和電容器c2構成；電容器c1的一端接地，電容器c1的另一端與同軸介質諧振器t1的一端直接相連，同軸介質諧振器t1的另一端和電容器c2的一端直接相連；電容器c2的另一端與并聯諧振網絡相連。
3.根據權利要求2所述的一種低相位噪聲同軸介質振蕩電路，其特征在于，所述并聯諧振網絡由電容器c3和同軸介質諧振器t2直接相連構成；電容器c3、同軸介質諧振器t2的相連的一端與電容器c2的另一端相連，電容器c3和同軸介質諧振器t2的另一端分別接地；電容器c3、同軸介質諧振器t2的相連的一端還與第二串聯諧振網絡相連。
4.根據權利要求3所述的一種低相位噪聲同軸介質振蕩電路，其特征在于，所述第二串聯諧振網絡由電容器c4和同軸介質諧振器t3直接相連構成；電容器c4的自由端與電容器c3、同軸介質諧振器t2的相連的一端連接；同軸介質諧振器t3的另一端與主諧振網絡相連。
5.根據權利要求4所述的一種低相位噪聲同軸介質振蕩電路，其特征在于，所述主諧振網絡包括電容器c6、電容器c7、電容器c8、電容器c11、同軸介質諧振器t4、電阻器r4和電感器l2；其中，電容器c6的一端與同軸介質諧振器t3的另一端相連；電容器c6的另一端與電容器c7的一端相連，電容器c7的另一端與電容器c8、同軸介質諧振器t...
【專利技術屬性】
技術研發人員：趙乾坤，夏春城，
申請(專利權)人：成都世源頻控技術股份有限公司，
類型：發明
國別省市：
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