【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】
本公開的實施例屬于照明，具體涉及一種adb矩陣大燈熱沉基板及其制備方法、adb矩陣大燈。
技術(shù)介紹
1、相關(guān)技術(shù)中，adb矩陣大燈的基板有多種形式：
2、第一種是把矩陣芯片設(shè)置在adb驅(qū)動板上，led光源設(shè)置在燈板上，矩陣芯片的每個通道均通過線束連接到燈板上進而控制led光源發(fā)光，而燈板一般使用散熱性能良好的單面金屬基板或者陶瓷基板，并裝配在散熱器上進行散熱。但是單面金屬基板或陶瓷基板難以實現(xiàn)矩陣芯片的電氣走線，需要大量跳線才能實現(xiàn)，走線時操作就會比較困難。
3、第二種是把矩陣芯片、led光源、can收發(fā)器、溫度檢測電阻、亮度分bin電阻等元器件都設(shè)置在燈板上，此處的燈板可以是一種混合多層板，由單面金屬基板或者陶瓷基板再加上環(huán)氧板進行粘接組合成形，并裝配在散熱器上進行散熱，但這種結(jié)構(gòu)需要通過導(dǎo)電焊盤來實現(xiàn)單面金屬基板或陶瓷基板與多層環(huán)氧板之間的電氣連接，導(dǎo)電焊盤之間的連接采用跳線或者pin針連接。在實現(xiàn)電氣連接時需要跳線排線或者增加連接器，這不僅增加了工藝難度，而且會占用大量燈板內(nèi)的空間，同時使用導(dǎo)電焊盤也會增加焊點，進而可能帶來虛焊、假焊等焊接不良的風險。此外，混合多層板結(jié)構(gòu)的散熱效果較差，不利于芯片的散熱。
4、因此，相關(guān)技術(shù)中的adb矩陣大燈基板難以同時滿足高效散熱和減少電氣走線的需求。
技術(shù)實現(xiàn)思路
1、本公開的實施例旨在至少解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的技術(shù)問題之一，提供一種adb矩陣大燈熱沉基板及其制備方法、adb矩陣大燈。
2、本
3、預(yù)備基板本體；
4、采用激光刻蝕的方式在所述基板本體的至少一側(cè)開設(shè)至少一個凹槽；
5、采用激光刻蝕的方式在每一所述凹槽的底部開設(shè)至少一對間隔布置的通孔；
6、在所述凹槽內(nèi)形成圍繞每一所述通孔的光刻膠圖案；
7、采用電鍍工藝對所述通孔及所述光刻膠圖案進行金屬填充，以形成至少一對金屬焊盤。
8、在本公開的一些實施例中，所述在所述凹槽內(nèi)形成圍繞每一所述通孔的光刻膠圖案前，還包括：
9、采用氫氧化鉀溶液、氫氧化鈉溶液、硫酸溶液、鹽酸溶液、氟化氫溶液中的至少一種溶液清洗基板本體；
10、采用磁控濺射的方式在所述基板本體表面濺射種子層。
11、在本公開的一些實施例中，所述種子層的材質(zhì)為鈦或銅，所述種子層的厚度范圍為0.5～3μm。
12、在本公開的一些實施例中，所述采用電鍍工藝對所述通孔及所述光刻膠圖案進行金屬填充，以形成金屬焊盤后，還包括：
13、清理所述金屬焊盤的表面及周圍；
14、在所述金屬焊盤表面化鍍最終精飾層。
15、在本公開的一些實施例中，所述最終精飾層的材質(zhì)為銀、鎳金、鎳鈀金中的一種，所述最終精飾層的厚度范圍為0.5～5μm。
16、在本公開的一些實施例中，在所述基板本體的相對兩側(cè)分別開設(shè)所述凹槽，兩個所述凹槽對稱布置在所述基板本體的兩側(cè)。
17、在本公開的一些實施例中，所述通孔的直徑范圍為50～100μm。
18、在本公開的一些實施例中，所述基板本體的材質(zhì)為氮化鋁陶瓷或金剛石。
19、本公開第二方面提出了一種adb矩陣大燈熱沉基板，所述adb矩陣大燈熱沉基板根據(jù)上述任一實施例所述的所述adb矩陣大燈熱沉基板的制備方法制備得到，所述adb矩陣大燈熱沉基板包括：
20、基板本體，所述基板本體的至少一側(cè)形成有至少一個凹槽，每一所述凹槽的底部形成有至少一對間隔設(shè)置的通孔，每一所述通孔沿所述基板本體的厚度方向貫穿所述基板本體；
21、至少一對金屬焊盤，每一對所述金屬焊盤貫穿對應(yīng)的一對所述通孔，部分所述金屬焊盤位于所述凹槽內(nèi)。
22、本公開第三方面提出了一種adb矩陣大燈，所述adb矩陣大燈包括上述任一實施例的adb矩陣大燈熱沉基板。
23、根據(jù)本公開的adb矩陣大燈熱沉基板的制備方法、adb矩陣大燈熱沉基板和adb矩陣大燈，首先預(yù)備基板本體，然后采用激光刻蝕的方式在基板本體的至少一側(cè)開設(shè)至少一個凹槽，繼續(xù)采用激光刻蝕的方式在每一凹槽的底部開設(shè)至少一對間隔布置的通孔，在凹槽內(nèi)布置光刻膠圖案，光刻膠圖案圍繞每一個通孔布置，最后采用電鍍工藝對光刻膠圖案進行金屬填充，以形成至少一對間隔布置的金屬焊盤。本公開的adb矩陣大燈熱沉基板的制備方法，制備得到的adb矩陣大燈熱沉基板，其在基板本體的至少一側(cè)形成用于安裝芯片的凹槽，以使安裝芯片的位置的基板本體的厚度減小，便于芯片的散熱，同時，基板本體未開著凹槽的位置可以保證基板本體整體的結(jié)構(gòu)強度；此外，金屬焊盤通過通孔穿設(shè)于基板本體，金屬焊盤的一端位于基板本體的第一側(cè)的凹槽內(nèi)且用于與芯片電連接，金屬焊盤的另一端位于基板本體的第二側(cè)，金屬焊盤的另一側(cè)用于電連接其他部件或電源，金屬焊盤穿設(shè)于基板本體可以減少芯片與電源之間的電氣走線在基板本體表面的布置，使基板本體的表面更加整潔，減少基板本體的跳線排線難度，并且減小基板整體的體積，有利于基板的小型化。
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1.一種ADB矩陣大燈熱沉基板的制備方法，其特征在于，所述制備方法包括以下步驟：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的ADB矩陣大燈熱沉基板的制備方法，其特征在于，所述在所述凹槽內(nèi)形成圍繞每一所述通孔的光刻膠圖案前，還包括：
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的ADB矩陣大燈熱沉基板的制備方法，其特征在于，所述種子層的材質(zhì)為鈦或銅，所述種子層的厚度范圍為0.5～3μm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的ADB矩陣大燈熱沉基板的制備方法，其特征在于，所述清理所述金屬焊盤的表面及周圍后，還包括：
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的ADB矩陣大燈熱沉基板的制備方法，其特征在于，所述最終精飾層的材質(zhì)為銀、鎳金、鎳鈀金中的一種，所述最終精飾層的厚度范圍為0.5～5μm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的ADB矩陣大燈熱沉基板的制備方法，其特征在于，在所述基板本體的相對兩側(cè)分別開設(shè)所述凹槽，兩個所述凹槽對稱布置在所述基板本體的兩側(cè)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的ADB矩陣大燈熱沉基板的制備方法，其特征在于，所述通孔的直徑范圍為50～100μm。
8.根據(jù)權(quán)利要求
9.一種ADB矩陣大燈熱沉基板，其特征在于，所述ADB矩陣大燈熱沉基板根據(jù)權(quán)利要求1至8中任一項所述的所述ADB矩陣大燈熱沉基板的制備方法制備得到，所述ADB矩陣大燈熱沉基板包括：
10.一種ADB矩陣大燈，其特征在于，所述ADB矩陣大燈包括根據(jù)9所述的ADB矩陣大燈熱沉基板。
...【技術(shù)特征摘要】
1.一種adb矩陣大燈熱沉基板的制備方法，其特征在于，所述制備方法包括以下步驟：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的adb矩陣大燈熱沉基板的制備方法，其特征在于，所述在所述凹槽內(nèi)形成圍繞每一所述通孔的光刻膠圖案前，還包括：
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的adb矩陣大燈熱沉基板的制備方法，其特征在于，所述種子層的材質(zhì)為鈦或銅，所述種子層的厚度范圍為0.5～3μm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的adb矩陣大燈熱沉基板的制備方法，其特征在于，所述清理所述金屬焊盤的表面及周圍后，還包括：
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的adb矩陣大燈熱沉基板的制備方法，其特征在于，所述最終精飾層的材質(zhì)為銀、鎳金、鎳鈀金中的一種，所述最終精飾層的厚度范圍為0.5～5μm。
6.根據(jù)...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：何錦華，王兢，梁月，梁超，
申請(專利權(quán))人：江蘇博睿光電股份有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：
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