【技術實現步驟摘要】
本申請涉及半導體，特別涉及一種半導體結構的制造方法。
技術介紹
1、常見的半導體封裝技術中，比如芯片封裝技術，通常同時對多個芯片進行封裝，在形成封裝結構后需要對封裝結構進行切割，以得到多個半導體結構。
2、封裝結構設有與每一芯片對應的產品標識，在對封裝結構進行后得到的半導體結構中，可能會出現一些半導體結構的產品標識不完整，或者無產品標識的情況，這些半導體結構將被作為不良品，導致產品良率下降。
技術實現思路
1、本申請實施例提供了一種半導體結構的制造方法。所述半導體結構的制造方法包括：
2、提供半導體中間結構，所述半導體中間結構包括多個芯片及包封各所述芯片的包封層；所述半導體中間結構包括相對的第一表面和第二表面，所述第一表面設有切割標識；
3、在所述半導體中間結構上設置與測試芯片對應的參考標識；所述參考標識位于對應的所述測試芯片的側部，所述參考標識與對應的所述測試芯片之間的距離為預設距離；所述參考標識至少位于所述第二表面；所述多個芯片中的至少一個為所述測試芯片；
4、根據所述測試芯片的產品標識的設計位置信息，在所述第二表面設置所述測試芯片的產品標識；
5、根據所述測試芯片的產品標識與對應的所述參考標識的相對位置信息，判斷所述測試芯片的產品標識是否相對于所述半導體中間結構發生偏移；
6、在判斷出所述測試芯片的產品標識相對于所述半導體中間結構發生偏移時，根據所述測試芯片對應的所述參考標識的位置信息及所述測試芯片的產品
7、根據各所述待標識芯片的產品標識在所述第二表面的位置信息，在所述第二表面設置所述待標識芯片的產品標識。
8、在一個實施例中，所述半導體結構的制造方法還包括：
9、在判斷出所述測試芯片的產品標識相對于所述半導體中間結構未發生偏移時，將待標識芯片的產品標識的設計位置信息作為待標識芯片的產品標識在所述第二表面的位置信息。
10、在一個實施例中，所述參考標識包括貫穿所述第一表面與所述第二表面的通孔；所述在所述半導體中間結構上設置與測試芯片對應的參考標識，包括：
11、根據所述切割標識的位置信息，確定所述測試芯片對應的通孔的位置信息；
12、根據各所述通孔的位置信息，在所述半導體中間結構上開設所述通孔。
13、在一個實施例中，所述測試芯片包括相對的第一側面和第二側面、以及相對的第三側面和第四側面；每一所述測試芯片對應多個所述參考標識，所述第一側面的外側、所述第二側面的外側、所述第三側面的外側及所述第四側面的外側分別設有所述參考標識；
14、所述根據所述測試芯片的產品標識與對應的所述參考標識的相對位置信息，判斷所述測試芯片的產品標識是否相對于所述半導體中間結構發生偏移，包括：
15、確定所述測試芯片的產品標識與位于所述第一側面外側的參考標識之間的第一距離、與位于所述第二側面外側的參考標識之間的第二距離、與位于所述第三側面外側的參考標識之間的第三距離、以及與位于所述第四側面外側的參考標識之間的第四距離；
16、判斷所述第一距離、所述第二距離、所述第三距離及所述第四距離是否均在對應的距離范圍內；
17、若判斷出所述第一距離、所述第二距離、所述第三距離及所述第四距離均在對應的距離范圍內，則確定所述測試芯片的產品標識相對于所述半導體中間結構未發生偏移；若判斷出所述第一距離、所述第二距離、所述第三距離及所述第四距離中的至少一個不在對應的距離范圍內，則確定所述測試芯片的產品標識相對于所述半導體中間結構發生偏移。
18、在一個實施例中，所述多個芯片沿第一方向排布為m行，且沿與所述第一方向相交的第二方向排布為n列；
19、位于第一行且位于第一列的所述芯片、位于第一行且位于第n列的所述芯片、位于第m行且位于第一列的所述芯片及位于第m行且位于第n列的所述芯片均為測試芯片。
20、在一個實施例中，所述測試芯片的數量為多個；
21、所述根據所述產品標識與對應的所述參考標識的相對位置信息，判斷所述產品標識是否相對于所述半導體中間結構發生偏移，包括：
22、對于每一所述產品標識，根據所述產品標識與對應的所述參考標識的相對位置信息，判斷所述產品標識是否相對于對應的所述測試芯片發生偏移；
23、若判斷出部分所述測試芯片的產品標識相對于對應的測試芯片發生偏移，部分所述測試芯片的產品標識相對于對應的測試芯片未發生偏移，確定所述測試芯片的產品標識相對于所述半導體中間結構未發生偏移，并將產品標識相對于對應的測試芯片發生偏移的測試芯片確定為第一不良芯片；
24、在所述根據各所述待標識芯片的產品標識在所述第二表面的位置信息，在所述第二表面設置所述待標識芯片的產品標識之后，得到半導體結構，所述半導體結構的制造方法還包括：
25、對所述半導體結構進行切割，得到多個半導體子結構，所述半導體子結構包括至少一個所述芯片；
26、確定所述第一不良芯片所在的半導體子結構為不良品。
27、在一個實施例中，所述在所述半導體中間結構上設置與測試芯片對應的參考標識之前，所述半導體結構的制造方法還包括：
28、對于每一所述芯片，根據所述芯片對應的切割標識的位置信息及所述切割標識對應的所述芯片的設計位置信息，確定所述芯片的實際位置是否相對于所述芯片的設計位置發生偏移；
29、若所述芯片的實際位置相對于設計位置發生偏移，確定所述芯片為第二不良芯片；
30、在所述根據各所述待標識芯片的產品標識在所述第二表面的位置信息，在所述第二表面設置所述待標識芯片的產品標識之后，得到半導體結構，所述半導體結構的制造方法還包括：
31、對所述半導體結構進行切割，得到多個半導體子結構，所述半導體子結構包括至少一個所述芯片；
32、確定所述第二不良芯片所在的半導體子結構為不良品。
33、在一個實施例中，所述在所述半導體中間結構上設置與測試芯片對應的參考標識之前，所述半導體結構的制造方法還包括：
34、對于每一所述芯片，根據所述芯片對應的切割標識的位置信息及所述切割標識對應的所述芯片的設計位置信息，確定所述芯片的實際位置是否相對于所述芯片的設計位置發生偏移；
35、若所述芯片的實際位置相對于設計位置發生偏移，確定所述芯片為第二不良芯片；所述測試芯片及所述待標識芯片均為所述多個芯片中第二不良芯片之外的芯片。
36、在一個實施例中，在所述根據各所述待標識芯片的產品標識在所述第二表面的位置信息，在所述第二表面設置對應芯片的產品標識之后，得到半導體結構，所述半導體結構的制造方法還包括：
37、根據所述切割標識，確定所述半導體結構的切割位置；...
【技術保護點】
1.一種半導體結構的制造方法，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的半導體結構的制造方法，其特征在于，所述半導體結構的制造方法還包括：
3.根據權利要求1所述的半導體結構的制造方法，其特征在于，所述參考標識包括貫穿所述第一表面與所述第二表面的通孔；所述在所述半導體中間結構上設置與測試芯片對應的參考標識，包括：
4.根據權利要求1所述的半導體結構的制造方法，其特征在于，所述測試芯片包括相對的第一側面和第二側面、以及相對的第三側面和第四側面；每一所述測試芯片對應多個所述參考標識，所述第一側面的外側、所述第二側面的外側、所述第三側面的外側及所述第四側面的外側分別設有所述參考標識；
5.根據權利要求1所述的半導體結構的制造方法，其特征在于，所述多個芯片沿第一方向排布為M行，且沿與所述第一方向相交的第二方向排布為N列；
6.根據權利要求1所述的半導體結構的制造方法，其特征在于，所述測試芯片的數量為多個；
7.根據權利要求1所述的半導體結構的制造方法，其特征在于，所述在所述半導體中間結構上設置與測試芯片對應的參考標
8.根據權利要求1所述的半導體結構的制造方法，其特征在于，所述在所述半導體中間結構上設置與測試芯片對應的參考標識之前，所述半導體結構的制造方法還包括：
9.根據權利要求1所述的半導體結構的制造方法，其特征在于，在所述根據各所述待標識芯片的產品標識在所述第二表面的位置信息，在所述第二表面設置對應芯片的產品標識之后，得到半導體結構，所述半導體結構的制造方法還包括：
10.根據權利要求1所述的半導體結構的制造方法，其特征在于，所述芯片包括背離所述第二表面一側的芯片正面，所述芯片正面設有多個焊墊，所述半導體結構還包括位于所述芯片正面且與所述焊墊電連接的跡線，所述切割標識為所述跡線背離所述第二表面的表面；和/或，
...【技術特征摘要】
1.一種半導體結構的制造方法，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的半導體結構的制造方法，其特征在于，所述半導體結構的制造方法還包括：
3.根據權利要求1所述的半導體結構的制造方法，其特征在于，所述參考標識包括貫穿所述第一表面與所述第二表面的通孔；所述在所述半導體中間結構上設置與測試芯片對應的參考標識，包括：
4.根據權利要求1所述的半導體結構的制造方法，其特征在于，所述測試芯片包括相對的第一側面和第二側面、以及相對的第三側面和第四側面；每一所述測試芯片對應多個所述參考標識，所述第一側面的外側、所述第二側面的外側、所述第三側面的外側及所述第四側面的外側分別設有所述參考標識；
5.根據權利要求1所述的半導體結構的制造方法，其特征在于，所述多個芯片沿第一方向排布為m行，且沿與所述第一方向相交的第二方向排布為n列；
6.根據權利要求1所述的半導體結構的制造方法，其特征在于...
【專利技術屬性】
技術研發人員：謝大海，
申請(專利權)人：矽磐微電子重慶有限公司，
類型：發明
國別省市：
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