【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及射頻，尤其涉及一種射頻功率放大器和射頻前端模組。
技術介紹
1、隨著科技的不斷發展以及日常應用需求的不斷提高，通訊設備特別是移動終端對于性能和續航的要求也越來越高。例如，第五代移動通信技術(5g)的日漸普及使得通訊設備需要支持的頻段增加了很多。而對于射頻前端而言，頻段的增加勢必需要額外的電路結構的支持，但這對于整體設備的續航而言是不利的。因此，在射頻前端的各項設計中，既要滿足不斷提高的各項性能的要求，又要保證功耗的合理優化，這成為了一個亟待解決的技術難題。
技術實現思路
1、本專利技術的目的是：提供一種射頻功率放大器，能夠在實現射頻功率放大器的阻抗匹配同時，還優化了射頻功率放大器的功耗。
2、為了實現上述目的，本專利技術提供了一種射頻功率放大器，包括第一功率放大晶體管，被配置為通過第一輸入路徑接收輸入的第一射頻信號并進行放大后通過第一輸出路徑輸出；第一諧振單元，所述第一諧振單元的第一端連接在所述第一輸入路徑或者所述第一輸出路徑中，所述第一諧振單元的第二端接地；第一被動元件，所述第一被動元件的第一端與第一諧振單元中的一個連接節點連接，所述第一被動元件的第二端接地，被配置為和所述第一諧振單元中的至少一個被動元件形成并聯諧振結構。
3、進一步地，所述第一諧振單元包括第一電容和第一電感，所述第一電容的第一端連接在所述第一輸入路徑或者所述第一輸出路徑中，所述第一電感的第一端與所述第一電容的第二端連接，所述第一電感的第二端接地。
4、進一步地，
5、一種射頻功率放大器，第一功率放大晶體管，被配置為通過第一輸入路徑接收輸入的第一射頻信號并進行放大后通過第一輸出路徑輸出；
6、第一電容，所述第一電容的第一端連接在所述第一輸入路徑或者所述第一輸出路徑中；
7、第一電感，所述第一電感的第一端與所述第一電容的第二端連接，所述第一電感的第二端接地；
8、第二電容，所述第二電容的第一端與所述第一電感的第一端連接，所述第二電容的第二端接地。
9、進一步地，所述第一電容、所述第一電感和所述第二電容被配置為諧振在第一頻率，所述第一電感的電感值小于第一電感值，其中，所述第一電感值為和所述第一電容串聯諧振在所述第一頻率的電感的取值。
10、進一步地，所述第一頻率為所述射頻功率放大器的工作頻率的二倍頻。
11、進一步地，所述第一電感的電感值小于第一電感值，其中，所述第一電感值為和所述第一電容串聯諧振在所述射頻功率放大器的工作頻率的二倍頻的電感的取值。
12、進一步地，所述第二電容的電容值小于所述第一電容的電容值。
13、進一步地，所述第一電容和所述第一電感被配置為諧振在第二頻率，所述第二電容和所述第一電感被配置為諧振在第三頻率，所述第三頻率大于所述第二頻率。
14、進一步地，所述第一電容、所述第一電感和所述第二電容被配置為諧振在第一頻率，所述第一電容和所述第一電感被配置為諧振在第二頻率，所述第一頻率小于所述第二頻率
15、進一步地，所述第一電容的第一端與所述第一功率放大晶體管的第一輸出端連接。
16、一種射頻功率放大器,包括：第一功率放大晶體管，被配置為通過第一輸入路徑接收輸入的第一射頻信號并進行放大后通過第一輸出路徑輸出；第一諧振單元，所述第一諧振單元的第一端連接在所述第一輸入路徑或者所述第一輸出路徑中，所述第一諧振單元的第二端接地；第一電容網絡，所述第一電容網絡的第一端與第一諧振單元中的一個連接節點連接，所述第一電容網絡的第二端接地，所述第一電容網絡被配置為在第一模式下呈現第一電容值，在第二模式下呈現第二電容值。
17、進一步地，所述第一電容網絡包括第二電容、第五電容和第一開關；所述第二電容的第一端與第一諧振單元中的所述連接節點連接，所述第二電容的第二端接地；所述第五電容和第一開關串聯連接在所述連接節點和地之間。
18、進一步地，所述第五電容的第一端與所述第一諧振單元中的所述連接節點連接；所述第一開關包括第一雙極型晶體管和第二雙極型晶體管，所述第一雙極型晶體管的集電極以及所述第二雙極型晶體管的發射極均連接至所述第五電容的第二端，所述所述第一雙極型晶體管的發射極以及所述第二雙極型晶體管的集電極均接地。
19、進一步地，所述第一模式的工作頻帶的頻率小于所述第二模式的工作頻帶的頻率，所述第一電容值大于第二電容值。
20、一種射頻功率放大器，包括：推挽功率放大電路，包括第一功率放大晶體管和第二功率放大晶體管；第一諧振支路，連接在所述第一功率放大晶體管的第一輸入路徑和所述第二功率放大晶體管的第二輸入路徑之間，或者，連接在所述第一功率放大晶體管的第一輸出路徑和所述第二功率放大晶體管的第二輸出路徑之間；第二諧振支路，并聯在所述第一諧振支路的兩個節點之間，被配置為與所述第一諧振支路中的至少一個被動元件形成并聯諧振結構。
21、進一步地，所述第一諧振支路包括第一諧振單元和第二諧振單元，所述第一諧振單元的第一端連接在所述第一功率放大晶體管的第一輸入路徑或者所述第一輸出路徑中，所述第一諧振單元的第二端接地；所述第二諧振單元的第一端連接在所述第二功率放大晶體管的第二輸入路徑或者所述第二輸出路徑中，所述第二諧振單元的第二端接地；所述第二諧振支路的第一端與所述與第一諧振單元中的一個連接節點連接，所述第二諧振支路的第二端與第二諧振單元中的一個連接節點連接。
22、進一步地，所述第二諧振支路包括第一被動元件，所述第一被動元件和所述第一諧振支路的至少一個被動元件和/或所述第二諧振支路中的至少一個被動元件形成并聯諧振結構。
23、進一步地，所述第二諧振支路包括串聯連接的第一被動元件和第二被動元件；所述第一被動元件的第一端與第一諧振單元中的一個連接節點連接，所述第一被動元件的第二端接地，被配置為和所述第一諧振單元中的至少一個被動元件形成并聯諧振結構；所述第二被動元件的第一端與第二諧振單元中的一個連接節點連接，所述第二被動元件的第二端接地，被配置為和所述第二諧振單元中的至少一個被動元件形成并聯諧振結構。
24、進一步地，所述第一諧振單元包括第一電容和第一電感，所述第一電容的第一端與所述第一功率放大晶體管的第一輸入端或者第一輸出端連接，所述第一電感的第一端與所述第一電容的第二端連接，所述第一電感的第二端接地；所述第二諧振單元包括第三電容和第二電感，所述第三電容的第一端與所述第二功率放大晶體管的第二輸入端或者第二輸出端連接，所述第二電感的第一端與所述第三電容的第二端連接，所述第二電感的第二端接地。
25、進一步地，所述第二諧振支路包括串聯連接的第一被動元件和第二被動元件；所述第一被動元件為第二電容，所述第二電容的第一端與所述第一電感的第一端連接，所述第二電容的第二端接地；所述第二被動元件為第四電容，所本文檔來自技高網...
【技術保護點】
1.一種射頻功率放大器，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的射頻功率放大器，其特征在于，所述第一諧振單元包括第一電容和第一電感，所述第一電容的第一端連接在所述第一輸入路徑或者所述第一輸出路徑中，所述第一電感的第一端與所述第一電容的第二端連接，所述第一電感的第二端接地。
3.根據權利要求2所述的射頻功率放大器，其特征在于，所述第一被動元件為第二電容，所述第二電容的第一端與所述第一電感的第一端連接，所述第二電容的第二端接地。
4.一種射頻功率放大器，其特征在于，包括：
5.根據權利要求4所述的射頻功率放大器，其特征在于，所述第一電容、所述第一電感和所述第二電容被配置為諧振在第一頻率，所述第一電感的電感值小于第一電感值，其中，所述第一電感值為和所述第一電容串聯諧振在所述第一頻率的電感的取值。
6.根據權利要求5所述的射頻功率放大器，其特征在于，所述第一頻率為所述射頻功率放大器的工作頻率的二倍頻。
7.根據權利要求4所述的射頻功率放大器，其特征在于，所述第一電感的電感值小于第一電感值，其中，所述第一電感值為和
8.根據權利要求4所述的射頻功率放大器，其特征在于，所述第二電容的電容值小于所述第一電容的電容值。
9.根據權利要求4所述的射頻功率放大器，其特征在于，所述第一電容和所述第一電感被配置為諧振在第二頻率，所述第二電容和所述第一電感被配置為諧振在第三頻率，所述第三頻率大于所述第二頻率。
10.根據權利要求4所述的射頻功率放大器，其特征在于，所述第一電容、所述第一電感和所述第二電容被配置為諧振在第一頻率，所述第一電容和所述第一電感被配置為諧振在第二頻率，所述第一頻率小于所述第二頻率。
11.根據權利要求4所述的射頻功率放大器，其特征在于，所述第一電容的第一端與所述第一功率放大晶體管的第一輸出端連接。
12.一種射頻功率放大器，其特征在于，包括：
13.根據權利要求12所述的射頻功率放大器，其特征在于，所述第一電容網絡包括第二電容、第五電容和第一開關；
14.根據權利要求13所述的射頻功率放大器，其特征在于，所述第五電容的第一端與所述第一諧振單元中的所述連接節點連接；
15.根據權利要求12所述的射頻功率放大器，其特征在于，所述第一模式的工作頻帶的頻率小于所述第二模式的工作頻帶的頻率，所述第一電容值大于第二電容值。
16.一種射頻功率放大器，其特征在于，包括：
17.根據權利要求16所述的射頻功率放大器，其特征在于，所述第一諧振支路包括第一諧振單元和第二諧振單元，所述第一諧振單元的第一端連接在所述第一功率放大晶體管的第一輸入路徑或者所述第一輸出路徑中，所述第一諧振單元的第二端接地；所述第二諧振單元的第一端連接在所述第二功率放大晶體管的第二輸入路徑或者所述第二輸出路徑中，所述第二諧振單元的第二端接地；
18.根據權利要求16所述的射頻功率放大器，其特征在于，所述第二諧振支路包括第一被動元件，所述第一被動元件和所述第一諧振支路的至少一個被動元件和/或所述第二諧振支路中的至少一個被動元件形成并聯諧振結構。
19.根據權利要求16所述的射頻功率放大器，其特征在于，所述第二諧振支路包括串聯連接的第一被動元件和第二被動元件；
20.根據權利要求17所述的射頻功率放大器，其特征在于，所述第一諧振單元包括第一電容和第一電感，所述第一電容的第一端與所述第一功率放大晶體管的第一輸入端或者第一輸出端連接，所述第一電感的第一端與所述第一電容的第二端連接，所述第一電感的第二端接地；
21.根據權利要求20所述的射頻功率放大器，其特征在于，所述第二諧振支路包括串聯連接的第一被動元件和第二被動元件；
22.根據權利要求21所述的射頻功率放大器，其特征在于，所述第一電容、所述第一電感和所述第二電容被配置為在第一頻率諧振，所述第一電感L1的電感值被配置為：
23.根據權利要求17所述的射頻功率放大器，其特征在于，所述第二諧振支路被配置為不參與所述推挽功率放大電路的差模阻抗匹配。
24.根據權利要求17所述的射頻功率放大器，其特征在于，所述第二諧振支路被配置為在第一模式下呈現第一電容值，在第二模式下呈現第二電容值。
25.根據權利要求21所述的射頻功率放大器，其特征在于，所述第二諧振支路還包括第五電容、第六電容、第一開關和第二開關；
26.一種射頻功率放大器，其特征在于，包括：
2...
【技術特征摘要】
1.一種射頻功率放大器，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的射頻功率放大器，其特征在于，所述第一諧振單元包括第一電容和第一電感，所述第一電容的第一端連接在所述第一輸入路徑或者所述第一輸出路徑中，所述第一電感的第一端與所述第一電容的第二端連接，所述第一電感的第二端接地。
3.根據權利要求2所述的射頻功率放大器，其特征在于，所述第一被動元件為第二電容，所述第二電容的第一端與所述第一電感的第一端連接，所述第二電容的第二端接地。
4.一種射頻功率放大器，其特征在于，包括：
5.根據權利要求4所述的射頻功率放大器，其特征在于，所述第一電容、所述第一電感和所述第二電容被配置為諧振在第一頻率，所述第一電感的電感值小于第一電感值，其中，所述第一電感值為和所述第一電容串聯諧振在所述第一頻率的電感的取值。
6.根據權利要求5所述的射頻功率放大器，其特征在于，所述第一頻率為所述射頻功率放大器的工作頻率的二倍頻。
7.根據權利要求4所述的射頻功率放大器，其特征在于，所述第一電感的電感值小于第一電感值，其中，所述第一電感值為和所述第一電容串聯諧振在所述射頻功率放大器的工作頻率的二倍頻的電感的取值。
8.根據權利要求4所述的射頻功率放大器，其特征在于，所述第二電容的電容值小于所述第一電容的電容值。
9.根據權利要求4所述的射頻功率放大器，其特征在于，所述第一電容和所述第一電感被配置為諧振在第二頻率，所述第二電容和所述第一電感被配置為諧振在第三頻率，所述第三頻率大于所述第二頻率。
10.根據權利要求4所述的射頻功率放大器，其特征在于，所述第一電容、所述第一電感和所述第二電容被配置為諧振在第一頻率，所述第一電容和所述第一電感被配置為諧振在第二頻率，所述第一頻率小于所述第二頻率。
11.根據權利要求4所述的射頻功率放大器，其特征在于，所述第一電容的第一端與所述第一功率放大晶體管的第一輸出端連接。
12.一種射頻功率放大器，其特征在于，包括：
13.根據權利要求12所述的射頻功率放大器，其特征在于，所述第一電容網絡包括第二電容、第五電容和第一開關；
14.根據權利要求13所述的射頻功率放大器，其特征在于，所述第五電容的第一端與所述第一諧振單元中的所述連接節點連接；
15.根據權利要求12所述的射頻功率放大器，其特征在于，所述第一模式的工作頻帶的頻率小于所述第二模式的工作頻帶的頻率，所述第一電容值大于第二電容值。
16.一種射頻功率放大器，其特征在于，包括：
17.根據權利要求16所述的射頻功率放大器，其特征在于，所述第一諧振支路包括第一諧振單元和第二諧振單元，所述第一諧振單元的第一端連接在所述第一功率放大晶體管的第一輸入路徑或者所述第一輸出路徑中，所述第一諧振單元的第二端接地；所述第二諧振單元的第一端連接在所述第二功率放大晶體管的第二輸入路徑或者所述第二輸出路徑中，所述第二諧振單元的第二端接地；
18.根據權利要求16所述的射頻功率放大器，其特征在于，所述第二諧振支路包括第一被動元件，所述第一被動元件和所述第一諧振支路的至少一個被動元件和/或所述第二諧振支路中的至少一個被動元件形成并聯諧振結構。
19.根據權利要求16所述的射頻功率放大...
【專利技術屬性】
技術研發人員：曹原，雷永儉，戎星樺，倪建興，
申請(專利權)人：銳石創芯深圳科技股份有限公司，
類型：發明
國別省市：
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