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    一種MEMS揚聲器制造技術

    技術編號:42956072 閱讀:26 留言:0更新日期:2024-10-11 16:13
    本發明專利技術公開一種MEMS揚聲器,涉及MEMS發聲技術領域,以解決現有技術中MEMS揚聲器的高頻段噪聲干擾其它電子芯片的問題。設備至少包括:底板、MEMS揚聲器本體、吸聲組件以及保護罩;MEMS揚聲器本體設置在底板上,吸聲組件貼附于MEMS揚聲器本體的發聲側;吸聲組件用于濾除驅動MEMS揚聲器時產生的高頻段噪聲;吸聲組件包括材質為超聲吸聲材料的多個目標組件;保護罩設置在底板上,且保護罩與底板形成容納空間;吸聲組件以及MEMS揚聲器本體均位于該容納空間內;保護罩用于對MEMS揚聲器以及吸聲組件進行安全防護,保護罩上設置有多個聲孔;實現了利用吸聲組件對MEMS揚聲器產生的高頻段噪聲的濾除,避免了MEMS揚聲器產生的高頻段噪聲干擾其它電子芯片,提升了兼容性。

    【技術實現步驟摘要】

    本專利技術涉及mems發聲,尤其是一種mems揚聲器。


    技術介紹

    1、mems發聲芯片技術是讓揚聲器的發聲方式突破傳統的電-聲轉換技術,通過mems+dsr技術,聲波將被像素化,最終實現在發聲端的數字化。mems發聲芯片具有全頻譜、高保真、低功耗、高效率等功能,可以用更小的尺寸從整體到細節實現聲音的完美播放,改變傳統揚聲器的發聲原理。

    2、mems揚聲器在使用過程中,會在高頻段產生噪聲,特別是50khz,100khz和150khz附近產生尖銳的脈沖噪音,高頻段的噪聲能量會對其它電子芯片產生干擾,從而影響mems芯片的兼容性;而現有技術中還不存在抑制mems揚聲器的高頻段噪聲的解決方案。

    3、鑒于此,為了提升mems芯片的兼容性,需要設計一種新的降噪結構,以解決現有技術中mems揚聲器的高頻段噪聲干擾其它電子芯片的問題。


    技術實現思路

    1、本專利技術的目的在于提供一種mems揚聲器,用于解決現有技術中mems揚聲器的高頻段噪聲干擾其它電子芯片的問題。

    2、為了實現上述目的,本專利技術提供如下技術方案:

    3、本專利技術提供一種mems揚聲器,至少可以包括:

    4、底板、mems揚聲器本體、吸聲組件以及保護罩;

    5、所述mems揚聲器本體設置在所述底板上,所述吸聲組件貼附于所述mems揚聲器本體的發聲側;所述吸聲組件用于濾除驅動所述mems揚聲器時產生的高頻段噪聲;所述吸聲組件包括材質為超聲吸聲材料的多個目標組件;p>

    6、所述保護罩設置在所述底板上,且所述保護罩與所述底板形成容納空間;所述吸聲組件以及所述mems揚聲器本體均位于所述容納空間內;所述保護罩用于對所述mems揚聲器以及吸聲組件進行安全防護,所述保護罩上設置有多個聲孔。

    7、與現有技術相比,本專利技術提供的一種mems揚聲器,通過設置底板、mems揚聲器本體、吸聲組件以及保護罩;將mems揚聲器本體設置在底板上,將吸聲組件貼附于所述mems揚聲器本體的發聲側;該吸聲組件用于濾除驅動所述mems揚聲器時產生的高頻段噪聲;吸聲組件包括材質為超聲吸聲材料的多個目標組件;將保護罩設置在底板上,且該保護罩與底板形成容納空間;吸聲組件以及mems揚聲器本體均位于該容納空間內;保護罩用于對mems揚聲器以及吸聲組件進行安全防護,保護罩上還設置有多個聲孔;基于此,實現了利用吸聲組件對mems揚聲器產生的高頻段噪聲的濾除,避免了mems揚聲器產生的高頻段噪聲干擾其它電子芯片,提升了mems揚聲器的兼容性。

    本文檔來自技高網...

    【技術保護點】

    1.一種MEMS揚聲器,其特征在于,至少包括:

    2.如權利要求1所述的揚聲器,其特征在于,多個所述目標組件包括多個擴張管;所述擴張管為至少一個單腔擴張管或一個多腔擴張管。

    3.如權利要求2所述的揚聲器,其特征在于,所述擴張管包括管壁為空腔結構的管道;

    4.如權利要求3所述的揚聲器,其特征在于,所述矩形結構的橫截面的x方向的管厚度為第一厚度,y方向的管長度為第一長度,z方向的管寬度為第一寬度;其中,所述第一長度等于所述第一寬度,所述第一厚度小于所述第一長度。

    5.如權利要求3所述的揚聲器,其特征在于,所述凹形結構的嵌入寬度為第二寬度,嵌入深度為第一深度,空腔深度為第二深度;所述第二寬度小于第一厚度的二分之一。

    6.如權利要求1所述的揚聲器,其特征在于,多個所述目標組件包括多個穿孔板,所述吸聲組件還包括連接多個所述穿孔板的固定框;

    7.如權利要求6所述的揚聲器,其特征在于,多個所述穿孔板上包括貫穿于所述穿孔板的多個孔狀結構,多個所述孔狀結構按照預設間距均勻分布在所述穿孔板上。

    8.如權利要求7所述的揚聲器,其特征在于,所述吸聲組件包括第一吸聲組件,所述固定框包括第一固定框架結構,多個所述穿孔板包括第一穿孔板和第二穿孔板;

    9.如權利要求8所述的揚聲器,其特征在于,所述第一穿孔板和第二穿孔板的厚度相同。

    10.如權利要求7所述的揚聲器,其特征在于,所述吸聲組件包括第二吸聲組件,所述固定框包括第二固定框架結構,多個所述穿孔板為第三穿孔板、第四穿孔板、第五穿孔板和第六穿孔板;

    ...

    【技術特征摘要】

    1.一種mems揚聲器,其特征在于,至少包括:

    2.如權利要求1所述的揚聲器,其特征在于,多個所述目標組件包括多個擴張管;所述擴張管為至少一個單腔擴張管或一個多腔擴張管。

    3.如權利要求2所述的揚聲器,其特征在于,所述擴張管包括管壁為空腔結構的管道;

    4.如權利要求3所述的揚聲器,其特征在于,所述矩形結構的橫截面的x方向的管厚度為第一厚度,y方向的管長度為第一長度,z方向的管寬度為第一寬度;其中,所述第一長度等于所述第一寬度,所述第一厚度小于所述第一長度。

    5.如權利要求3所述的揚聲器,其特征在于,所述凹形結構的嵌入寬度為第二寬度,嵌入深度為第一深度,空腔深度為第二深度;所述第二寬度小于第一厚度的二分之一。

    6.如權利要求1所述的...

    【專利技術屬性】
    技術研發人員:劉長華趙靜陳偲符友軍謝海圣馬逢伯胡舒怡
    申請(專利權)人:地球山蘇州微電子科技有限公司
    類型:發明
    國別省市:

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