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【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及mems發聲,尤其是一種mems揚聲器。
技術介紹
1、mems發聲芯片技術是讓揚聲器的發聲方式突破傳統的電-聲轉換技術,通過mems+dsr技術,聲波將被像素化,最終實現在發聲端的數字化。mems發聲芯片具有全頻譜、高保真、低功耗、高效率等功能,可以用更小的尺寸從整體到細節實現聲音的完美播放,改變傳統揚聲器的發聲原理。
2、mems揚聲器在使用過程中,會在高頻段產生噪聲,特別是50khz,100khz和150khz附近產生尖銳的脈沖噪音,高頻段的噪聲能量會對其它電子芯片產生干擾,從而影響mems芯片的兼容性;而現有技術中還不存在抑制mems揚聲器的高頻段噪聲的解決方案。
3、鑒于此,為了提升mems芯片的兼容性,需要設計一種新的降噪結構,以解決現有技術中mems揚聲器的高頻段噪聲干擾其它電子芯片的問題。
技術實現思路
1、本專利技術的目的在于提供一種mems揚聲器,用于解決現有技術中mems揚聲器的高頻段噪聲干擾其它電子芯片的問題。
2、為了實現上述目的,本專利技術提供如下技術方案:
3、本專利技術提供一種mems揚聲器,至少可以包括:
4、底板、mems揚聲器本體、吸聲組件以及保護罩;
5、所述mems揚聲器本體設置在所述底板上,所述吸聲組件貼附于所述mems揚聲器本體的發聲側;所述吸聲組件用于濾除驅動所述mems揚聲器時產生的高頻段噪聲;所述吸聲組件包括材質為超聲吸聲材料的多個目標組件;
...【技術保護點】
1.一種MEMS揚聲器,其特征在于,至少包括:
2.如權利要求1所述的揚聲器,其特征在于,多個所述目標組件包括多個擴張管;所述擴張管為至少一個單腔擴張管或一個多腔擴張管。
3.如權利要求2所述的揚聲器,其特征在于,所述擴張管包括管壁為空腔結構的管道;
4.如權利要求3所述的揚聲器,其特征在于,所述矩形結構的橫截面的x方向的管厚度為第一厚度,y方向的管長度為第一長度,z方向的管寬度為第一寬度;其中,所述第一長度等于所述第一寬度,所述第一厚度小于所述第一長度。
5.如權利要求3所述的揚聲器,其特征在于,所述凹形結構的嵌入寬度為第二寬度,嵌入深度為第一深度,空腔深度為第二深度;所述第二寬度小于第一厚度的二分之一。
6.如權利要求1所述的揚聲器,其特征在于,多個所述目標組件包括多個穿孔板,所述吸聲組件還包括連接多個所述穿孔板的固定框;
7.如權利要求6所述的揚聲器,其特征在于,多個所述穿孔板上包括貫穿于所述穿孔板的多個孔狀結構,多個所述孔狀結構按照預設間距均勻分布在所述穿孔板上。
8.如權利要求7所述的揚
9.如權利要求8所述的揚聲器,其特征在于,所述第一穿孔板和第二穿孔板的厚度相同。
10.如權利要求7所述的揚聲器,其特征在于,所述吸聲組件包括第二吸聲組件,所述固定框包括第二固定框架結構,多個所述穿孔板為第三穿孔板、第四穿孔板、第五穿孔板和第六穿孔板;
...【技術特征摘要】
1.一種mems揚聲器,其特征在于,至少包括:
2.如權利要求1所述的揚聲器,其特征在于,多個所述目標組件包括多個擴張管;所述擴張管為至少一個單腔擴張管或一個多腔擴張管。
3.如權利要求2所述的揚聲器,其特征在于,所述擴張管包括管壁為空腔結構的管道;
4.如權利要求3所述的揚聲器,其特征在于,所述矩形結構的橫截面的x方向的管厚度為第一厚度,y方向的管長度為第一長度,z方向的管寬度為第一寬度;其中,所述第一長度等于所述第一寬度,所述第一厚度小于所述第一長度。
5.如權利要求3所述的揚聲器,其特征在于,所述凹形結構的嵌入寬度為第二寬度,嵌入深度為第一深度,空腔深度為第二深度;所述第二寬度小于第一厚度的二分之一。
6.如權利要求1所述的...
【專利技術屬性】
技術研發人員:劉長華,趙靜,陳偲,符友軍,謝海圣,馬逢伯,胡舒怡,
申請(專利權)人:地球山蘇州微電子科技有限公司,
類型:發明
國別省市:
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