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    一種超深碳酸鹽巖斷控縫洞體甜點空間定位方法技術

    技術編號:42956892 閱讀:28 留言:0更新日期:2024-10-11 16:14
    本發(fā)明專利技術提供了一種超深碳酸鹽巖斷控縫洞體甜點空間定位方法,涉及油田的勘探領域,以儲集體反射特征及甜點發(fā)育位置的理論分析出發(fā),分別從斷控縫洞型儲層橫向、縱向到空間位置刻畫入手,確定了超深斷控縫洞型儲集體的優(yōu)質甜點部位。按此方法設計鉆井靶點,提高了斷控縫洞型儲集體的鉆遇率及穩(wěn)產率。與現(xiàn)有技術相比較,本發(fā)明專利技術的核心更加強調儲集內優(yōu)質甜點(大尺度縫洞)的定位,為超深井鉆探保障中靶率或提高儲層改造效果提供指導。

    【技術實現(xiàn)步驟摘要】

    本專利技術涉及油田的勘探領域,具體涉及一種超深碳酸鹽巖斷控縫洞體甜點空間定位方法


    技術介紹

    1、超深斷控油氣藏沿下古生界發(fā)育的深大陡直走滑斷裂分布,主干斷裂帶的油氣突破,揭示了克拉通板內小尺度走滑斷裂控儲、控藏、控富的特征,從油藏勘探開發(fā)來看,油藏呈板狀分布特征,同時油藏縱橫向也表現(xiàn)出較強非均質性,精確儲層甜點定位對于鉆井鉆遇優(yōu)質儲集體至關重要。

    2、塔河油田巖溶縫洞型油藏勘探實踐表明,奧陶系灰?guī)r地層內存在洞穴時,洞穴內充填的油氣水等與圍巖速度差異較大,產生較強的反射振幅,地震反射為串珠特征,這種典型反射特征就是甜點儲層地震響應,但是順北地區(qū)由于奧陶系埋深更大、地表沙丘大、儲集體規(guī)模更小,斷裂帶內儲層甜點識別難度更大。

    3、通過對碳酸鹽巖領域縫洞儲層預測技術的調研,現(xiàn)有技術中,針對巖溶縫洞儲層形成了較為成熟的空間位置“三定”技術(疊前深度偏移定平面、分頻技術定大小、阻抗反演定縱向),但該技術主要針對具備一定規(guī)模同時呈似層狀分布的儲層。

    4、因此,針對斷裂帶內復雜波場條件、弱信號背景下的儲層甜點定位,亟需一種指導超深斷控縫洞型儲集體優(yōu)質儲層空間定位技術,以提高儲集體鉆遇率和鉆井成功率。


    技術實現(xiàn)思路

    1、本專利技術針對現(xiàn)有技術存在的問題,提供了一種超深碳酸鹽巖斷控縫洞體甜點空間定位方法,該方法有效提高了規(guī)模儲層直接鉆遇率及儲層改造成功率,支撐了多口鉆井高產穩(wěn)產。

    2、為實現(xiàn)上述目的,本專利技術采用的技術方案如下:

    3、一種超深碳酸鹽巖斷控縫洞體甜點空間定位方法,包括以下步驟:

    4、(1)正演模擬理論明確斷控縫洞典型地震響應特征:根據(jù)斷控縫洞體的地質特征,設計由斷裂以及不同孔、洞、縫組合的地質模型開展正演模擬研究,并結合實鉆井的分析,通過設計縫洞儲層地質模型,開展波動方程模型正演,得到縫洞儲層的地震反射特征;

    5、(2)彎曲斷控儲集體剖面定儲集體橫向發(fā)育位置:

    6、①根據(jù)理論正演認識,明確地震剖面上的走滑斷裂解釋依據(jù),開展走滑斷層核心面解釋,形成沿斷裂帶走向的核心解釋面;

    7、②將三維地震數(shù)據(jù)在核心解釋面上附著顯示,優(yōu)選出儲集體優(yōu)勢發(fā)育段;

    8、(3)相控阻抗反演定規(guī)模縫洞縱向發(fā)育位置:針對步驟(2)優(yōu)選的儲集體優(yōu)勢發(fā)育段,開展井-震聯(lián)合反演,獲得波阻抗反演數(shù)據(jù)體;

    9、(4)空間雕刻定儲層甜點位置:利用步驟(3)得到的波阻抗反演數(shù)據(jù)體開展斷控縫洞體三維空間雕刻,分類刻畫洞穴、孔洞和裂縫類儲集體,預測洞穴類儲層發(fā)育位置及其與孔洞、裂縫儲層之間關系,明確洞穴類儲層發(fā)育位置中心,并依據(jù)儲層空間展布特征,優(yōu)選得到鉆井靶點。

    10、進一步地,所述超深碳酸鹽巖斷控縫洞體指埋深大于7500米的受走滑斷裂控制的碳酸鹽巖縫洞型儲層。

    11、進一步地,步驟①中所述核心面解釋利用蘭馬dsg軟件三維立體解釋功能進行。

    12、進一步地,步驟②中所述顯示借助蘭馬dsg軟件三維體顯示功能進行。

    13、進一步地,步驟②中所述優(yōu)選具體為:區(qū)分出孤立的強振幅反射以及強振幅反射群的特征,強振幅反射群屬于規(guī)模縫洞的綜合地震響應,作為鉆探目標優(yōu)選依據(jù)。

    14、進一步地,步驟(3)中所述井-震聯(lián)合反演采用低頻趨勢約束。

    15、進一步地,步驟(4)中所述鉆井靶點為能夠最大程度溝通規(guī)模儲集體的甜點儲層發(fā)育位置。

    16、進一步地,步驟(1)中所述縫洞儲層地質模型包括小尺度、中尺度、大尺度,所述小尺度為垂向斷距小于10m、斷裂寬度小于30m,縫洞體小于10m×10m×10m,所述中尺度為垂向斷距小于30m、斷裂寬度小于50m,縫洞體介于10m×10m×10m~40m×40m×40m,所述大尺度為垂向斷距大于30m、斷裂寬度大于50m,縫洞體大于40m×40m×40m。

    17、進一步地,所述大尺度的斷控縫洞體在地震剖面上為典型的串珠狀強反射,所述中尺度和小尺度斷控縫洞體表現(xiàn)為雜亂中強反射。

    18、在一些具體的實施方式中,所述超深碳酸鹽巖斷控縫洞體甜點空間定位方法,包括以下步驟:

    19、(1)正演模擬理論明確斷控縫洞發(fā)育位置。

    20、據(jù)斷控縫洞體的地質特征,設計由斷裂以及不同孔、洞、縫組合的地質模型開展正演模擬研究,并結合實鉆井的分析,明確了“串珠”是斷裂帶內部洞穴、裂縫的綜合響應,通過設計不同尺度縫洞儲層地質模型,開展波動方程模型正演,正演顯示儲集體發(fā)育在串珠紅波谷中下-下零值部位,變化縫洞儲層組合形式,結果與簡化的單個儲層模型正演結果一致,差別在于串珠反射的形態(tài)、能量,串珠異常能量越強,儲集體越發(fā)育。據(jù)此從理論角度闡明串珠結構內的甜點發(fā)育部位對應于紅波谷中下部—下零值附近。

    21、(2)彎曲斷控儲集體剖面定儲集體橫向發(fā)育位置。

    22、結合已鉆井反射特征總結得出的強反射能量為儲集體響應的認識,利用dsg軟件沿斷裂帶走向1*1解釋輔助斷層,斷層解釋不完全考慮斷口位置,而是考慮斷裂帶控制范圍內強異常反射,從而完成縱向斷溶體彎曲剖面制作。單純的垂直斷裂帶剖面均是獨立個體,而彎曲斷控體剖面則直觀展示出各個垂直斷裂走向剖面之間的靜態(tài)分隔或連通特征,一個個孤立的縫洞體串起來放在一個面上分析,可快速明確斷裂帶選段及選點,同時也為一體化井網構建提供了依據(jù)。

    23、(3)相控阻抗反演定規(guī)模縫洞縱向發(fā)育位置。

    24、針對地質目標特點及儲層展布特征,開展基于斷裂帶相控模型的波阻抗反演,通過建立基于分類儲層地震相約束的低頻模型,約束開展阻抗反演,反演結果更符合斷控儲集體的展布規(guī)律,層控特征予以克服,同時縱向儲層甜點主要依靠阻抗值相對大小進行區(qū)分

    25、(4)空間雕刻定儲層甜點位置。

    26、基于前述彎曲剖面明確平面選點,結合鉆井標定門檻值開展阻抗反演體空間雕刻,實現(xiàn)了由前期采用張量、瞬時能量等屬性為主的包絡屬性向串珠紅波谷中下部位儲層甜點的精確定位,橫向選點、縱向選層、空間雕刻聯(lián)合為靶點優(yōu)選提供了支撐。

    27、本專利技術所取得的技術效果是:

    28、本專利技術的方法明確了斷裂帶目標靶點優(yōu)選的原則及思路,其中彎曲斷控儲集體剖面制作及斷控約束下井-震聯(lián)合反演均是針對斷控儲集體這種特殊類型儲集體而研發(fā),通過該技術在順北油田井位部署中的應用,有效提高了規(guī)模儲層直接鉆遇率及儲層改造成功率,支撐了多口鉆井高產穩(wěn)產。

    本文檔來自技高網...

    【技術保護點】

    1.一種碳酸鹽巖斷控縫洞體甜點空間定位方法,其特征在于:包括以下步驟:

    2.根據(jù)權利要求1所述的碳酸鹽巖斷控縫洞體甜點空間定位方法,其特征在于:步驟①中所述核心面解釋利用蘭馬DSG軟件三維立體解釋功能進行。

    3.根據(jù)權利要求1所述的碳酸鹽巖斷控縫洞體甜點空間定位方法,其特征在于:步驟②中所述顯示借助蘭馬DSG軟件三維體顯示功能進行。

    4.根據(jù)權利要求1所述的碳酸鹽巖斷控縫洞體甜點空間定位方法,其特征在于:步驟②中所述優(yōu)選具體為:區(qū)分出孤立的強振幅反射以及強振幅反射群的特征,強振幅反射群屬于規(guī)模縫洞的綜合地震響應,作為鉆探目標優(yōu)選依據(jù)。

    5.根據(jù)權利要求1所述的碳酸鹽巖斷控縫洞體甜點空間定位方法,其特征在于:步驟(3)中所述井-震聯(lián)合反演采用低頻趨勢約束。

    6.根據(jù)權利要求1所述的碳酸鹽巖斷控縫洞體甜點空間定位方法,其特征在于:步驟(4)中所述鉆井靶點為能夠最大程度溝通規(guī)模儲集體的甜點儲層發(fā)育位置。

    7.根據(jù)權利要求1所述的碳酸鹽巖斷控縫洞體甜點空間定位方法,其特征在于:步驟(1)中所述縫洞儲層地質模型包括小尺度、中尺度、大尺度,所述小尺度為垂向斷距小于10m、斷裂寬度小于30m,縫洞體小于10m×10m×10m,所述中尺度為垂向斷距小于30m、斷裂寬度小于50m,縫洞體介于10m×10m×10m~40m×40m×40m,所述大尺度為垂向斷距大于30m、斷裂寬度大于50m,縫洞體大于40m×40m×40m。

    8.根據(jù)權利要求7所述的碳酸鹽巖斷控縫洞體甜點空間定位方法,其特征在于:所述大尺度的斷控縫洞體在地震剖面上為典型的串珠狀強反射,所述中尺度和小尺度斷控縫洞體表現(xiàn)為雜亂中強反射。

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    【技術特征摘要】

    1.一種碳酸鹽巖斷控縫洞體甜點空間定位方法,其特征在于:包括以下步驟:

    2.根據(jù)權利要求1所述的碳酸鹽巖斷控縫洞體甜點空間定位方法,其特征在于:步驟①中所述核心面解釋利用蘭馬dsg軟件三維立體解釋功能進行。

    3.根據(jù)權利要求1所述的碳酸鹽巖斷控縫洞體甜點空間定位方法,其特征在于:步驟②中所述顯示借助蘭馬dsg軟件三維體顯示功能進行。

    4.根據(jù)權利要求1所述的碳酸鹽巖斷控縫洞體甜點空間定位方法,其特征在于:步驟②中所述優(yōu)選具體為:區(qū)分出孤立的強振幅反射以及強振幅反射群的特征,強振幅反射群屬于規(guī)模縫洞的綜合地震響應,作為鉆探目標優(yōu)選依據(jù)。

    5.根據(jù)權利要求1所述的碳酸鹽巖斷控縫洞體甜點空間定位方法,其特征在于:步驟(3)中所述井-震聯(lián)合反演采用低頻趨勢約束。

    6.根據(jù)權利要求1所...

    【專利技術屬性】
    技術研發(fā)人員:李海英陳俊安龔偉韓俊李偉廖茂輝
    申請(專利權)人:中國石油化工股份有限公司
    類型:發(fā)明
    國別省市:

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