【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
本專利技術(shù)在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施方案中涉及一種聚合物電解質(zhì)水電解槽氧化石墨烯薄片阻擋材料，其被配置為減輕聚合物電解質(zhì)水電槽內(nèi)的滲透(crossover)。阻擋材料可以是阻擋層。
技術(shù)介紹
1、聚合物電解質(zhì)水電解槽包括陽(yáng)極隔室和陰極隔室，其間具有作為隔離件的聚合物電解質(zhì)膜。陽(yáng)極隔室包含被配置為促進(jìn)水氧化成氫原子的陽(yáng)極催化劑材料。陰極隔室包含被配置為促進(jìn)氫氣析出的陰極催化劑材料。當(dāng)在電極之間施加電壓時(shí)，氫離子穿過(guò)聚合物電解質(zhì)膜從陽(yáng)極隔室到達(dá)陰極隔室。在陰極隔室，氫離子與電子反應(yīng)形成氫氣。在陽(yáng)極隔室，形成氧離子并結(jié)合以形成氧氣。
2、關(guān)于聚合物電解質(zhì)水電解槽運(yùn)行的安全性和效率有許多考慮因素。其中一個(gè)考慮因素是減輕滲透。滲透是反應(yīng)物或產(chǎn)物穿過(guò)聚合物電解質(zhì)膜從一個(gè)電極到另一個(gè)電極的不合意的傳輸。滲透可由一個(gè)或多個(gè)因素引起(例如，滲透的物類的化學(xué)性質(zhì)、聚合物電解質(zhì)膜的性質(zhì)等)。減輕滲透以提高聚合物電解質(zhì)水電解槽運(yùn)行的效率和安全性一直是研究的領(lǐng)域，但減輕滲透尚未得到充分解決。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、本專利技術(shù)的實(shí)施方案涉及阻擋材料(例如，阻擋層)在聚合物電解質(zhì)水電解槽(pewe)中的用途。所述pewe可包括陰極側(cè)阻擋材料材料/層，其包括氧化石墨烯(go)薄片。所述阻擋材料可包封(例如，完全包封)所述陰極催化劑層。所述阻擋材料可完全包封所述陰極催化劑層和/或所述陽(yáng)極催化劑層。所述阻擋材料可單獨(dú)包封陰極催化劑粒子的至少一部分。所述阻擋層包括氧化石墨烯(go)薄片和離聚物粘合劑。
2、在
本文檔來(lái)自技高網(wǎng)...【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
1.一種聚合物電解質(zhì)水電解槽，其包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的聚合物電解質(zhì)水電解槽，其中所述阻擋層包括氧化石墨烯(GO)薄片。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的聚合物電解質(zhì)水電解槽，其中所述離子或分子包括H2氣體、O2氣體、OH*自由基、OOH*自由基、其它自由基、H2O分子、多原子分子、金屬配合物和/或金屬離子。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的聚合物電解質(zhì)水電解槽，其中所述阻擋層含有一種或多種材料的一個(gè)或多個(gè)層。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的聚合物電解質(zhì)水電解槽，其中所述一種或多種材料包括氧化石墨烯(GO)薄片。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的聚合物電解質(zhì)水電解槽，其中所述一種或多種材料包括離聚物粘合劑。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的聚合物電解質(zhì)水電解槽，其中所述一個(gè)或多個(gè)層的數(shù)量為1至10層。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的聚合物電解質(zhì)水電解槽，其中所述第一阻擋層的厚度為20nm至5μm。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的聚合物電解質(zhì)水電解槽，其中所述阻擋層覆蓋所述陰極催化劑層和所述聚合物電解質(zhì)膜之間的整個(gè)界面。
...【技術(shù)特征摘要】
1.一種聚合物電解質(zhì)水電解槽，其包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的聚合物電解質(zhì)水電解槽，其中所述阻擋層包括氧化石墨烯(go)薄片。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的聚合物電解質(zhì)水電解槽，其中所述離子或分子包括h2氣體、o2氣體、oh*自由基、ooh*自由基、其它自由基、h2o分子、多原子分子、金屬配合物和/或金屬離子。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的聚合物電解質(zhì)水電解槽，其中所述阻擋層含有一種或多種材料的一個(gè)或多個(gè)層。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的聚合物電解質(zhì)水電解槽，其中所述一種或多種材料包括氧化石墨烯(go)薄片。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的聚合物電解質(zhì)水電解槽，其中所述一種或多種材料包括離聚物粘合劑。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的聚合物電解質(zhì)水電解槽，其中所述一個(gè)或多個(gè)層的數(shù)量為1至10層。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的聚合物電解質(zhì)水電解槽，其中所述第一阻擋層的厚度為20nm至5μm。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的聚合物電解質(zhì)水電解槽，其中所述阻擋層覆蓋所述陰極催化劑層和所述聚合物電解質(zhì)膜之間的整個(gè)界面。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的聚合物電解質(zhì)水電解槽，其中所述阻擋層包...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：B·斯圖邁爾，C·約翰斯頓，D·基恰耶夫，J·布拉滕，程磊，M·科恩布魯斯，N·P·克萊格，S·梅拉齊，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：羅伯特·博世有限公司，
類型：發(fā)明
國(guó)別省市：
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