【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及太陽能電池，具體涉及一種雙層多晶硅太陽能電池片的制備方法、太陽能電池及應用。
技術介紹
1、隧穿氧化層鈍化接觸太陽能電池(tunnel?oxide?passivated?contact?solarcell,topcon)是2013年在第28屆歐洲pvsec光伏大會上德國fraunhofer太陽能研究所首次提出的一種新型鈍化接觸太陽能電池，首先在電池背面制備一層1～2nm的隧穿氧化層，然后再沉積一層摻雜多晶硅，二者共同形成了鈍化接觸結構，為硅片的背面提供了良好的界面鈍化。
2、目前的topcon太陽能電池利用lpcvd(低壓氣相沉積，是在27～270pa的反應壓力下進行的化學氣相沉積，具有膜的質量和均勻性好、產量高、成本低、易于實現自動化的優點)工藝在硅片背面沉積隧穿氧化層和多晶硅，隧穿氧化層利用量子隧穿效應，既能讓電子順利通過，又可以阻止空穴的復合，與摻雜多晶硅共同形成背面鈍化接觸效應。
3、專利cn104733564a公開了一種多晶硅太陽能電池及其制作方法，該方法包括：對多晶硅基體進行酸溶液清洗；清洗完成后，對多晶硅基體進行擴散吸雜；擴散吸雜完成后，對多晶硅基體表面進行織構化處理，制成太陽能電池。該制作方法可以利用酸溶液清洗去除多晶硅基體表面吸附的一些金屬離子，避免這些金屬離子在后期制作中進入硅基體內部，再利用擴散吸雜減小多晶硅基體內部的金屬雜質離子，降低多晶硅基體內部的重金屬雜質離子數量，提高了多晶硅太陽能電池的轉化效率。
4、上述公開的專利中雖然降低了多晶硅基體內部的重金屬
技術實現思路
1、基于
技術介紹
中存在的問題，本專利技術的目的在于提供一種雙層多晶硅太陽能電池片的制備方法、太陽能電池及應用，通過兩步沉積法構筑晶粒尺寸、厚度不一致的雙層多晶硅，抑制電極金屬離子穿過隧穿氧化層，有利于提升太陽能電池的開路電壓，從而提升光電轉換效率。
2、本專利技術通過下述技術方案實現：
3、第一方面，本申請提供一種雙層多晶硅太陽能電池片的制備方法，包括以下步驟：
4、步驟1：對原硅片進行制絨、硼沉積、激光se、硼推進、背刻處理，得到具有pn結的電池片半成品一；
5、步驟2：對電池片半成品一進行低壓化學氣相沉積處理，得到具有雙層多晶硅結構的電池片半成品二；其中雙層多晶硅的厚度為120nm～140nm，且第一層多晶硅的厚度：第二層多晶硅的厚度＞1:1；
6、步驟3：對電池片半成品二背面進行磷擴散，得到電池片半成品三；
7、步驟4：對電池片半成品三進行正刻、al2o3鈍化、鍍膜、金屬化處理，得到雙層多晶硅太陽能電池片。
8、其中，硅片制絨的方法為：
9、1)腐蝕去除單晶硅片表面的損傷層；
10、2)通過去離子水清洗單晶硅片；
11、3)使用含有氫氧化鈉、異丙醇、硅酸鈉的制絨液進行制絨。
12、其中使用的氫氧化鈉、異丙醇、硅酸鈉的用量比為(3～3.5)：(18～21)：1。
13、異丙醇可加快反應，起到消除氣泡的作用；用少量硅酸鈉與氫氧化鈉和異丙醇的混合液來制作絨面，可獲得更加均勻、反射率更低的表面結構。
14、其中，激光se處理是指通過激光器發射相應的激光，按照一定的圖形參數發射至電池硅片上，以對擴散后的電池硅片進行重摻雜處理，以獲得合適的方阻，便于重摻雜區域與銀漿更好的接觸，從而提高電池片的轉換效率。
15、進一步的，步驟2的具體處理方法為：
16、(1)向管式爐中通入氧氣，氧氣與電池片半成品一背面的硅反應生成氧化硅，形成氧化硅隧穿氧化層；
17、(2)管式爐高溫通硅烷沉積第一層多晶硅；
18、(3)管式爐中再次通入氧氣，形成第二層氧化硅隧穿氧化層；
19、(4)管式爐中再次高溫通硅烷沉積第二層多晶硅。
20、進一步的，步驟(1)中的氧化硅隧穿氧化層的厚度為1.5nm～2.1nm。
21、進一步的，步驟(2)中的溫度控制在600℃～620℃。
22、進一步的，步驟(2)中的沉積時間控制在700s～1000s。
23、進一步的，步驟(4)中的溫度控制在590℃～610℃。
24、進一步的，步驟(4)中的沉積時間控制在400s～800s。
25、進一步的，步驟3中磷擴散推進溫度控制為890℃～910℃。
26、第二方面，本申請提供一種太陽能電池，采用上述任意一種制備方法制備的雙層多晶硅太陽能電池片制備。
27、第三方面，本申請提供一種電池組件，包括上述太陽能電池，即上述太陽能電池和太陽能電池片的制備方法的應用。
28、本專利技術與現有技術相比，具有如下的優點和有益效果：
29、本專利技術通過兩步沉積法構筑晶粒尺寸、厚度不一致的雙層多晶硅，抑制電極金屬離子穿過隧穿氧化層，有利于提升太陽能電池的開路電壓，從而提升光電轉換效率。
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1.一種雙層多晶硅太陽能電池片的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
2.根據權利要求1所述的一種雙層多晶硅太陽能電池片的制備方法，其特征在于，步驟2的具體處理方法為：
3.根據權利要求2所述的一種雙層多晶硅太陽能電池片的制備方法，其特征在于，步驟(1)中的氧化硅隧穿氧化層的厚度為1.5nm～2.1nm。
4.根據權利要求2所述的一種雙層多晶硅太陽能電池片的制備方法，其特征在于，步驟(2)中的溫度控制在600℃～620℃。
5.根據權利要求2所述的一種雙層多晶硅太陽能電池片的制備方法，其特征在于，步驟(2)中的沉積時間控制在700s～1000s。
6.根據權利要求2所述的一種雙層多晶硅太陽能電池片的制備方法，其特征在于，步驟(4)中的溫度控制在590℃～610℃。
7.根據權利要求2所述的一種雙層多晶硅太陽能電池片的制備方法，其特征在于，步驟(4)中的沉積時間控制在400s～800s。
8.根據權利要求1所述的一種雙層多晶硅太陽能電池片的制備方法，其特征在于，步驟3中磷擴散推進溫度控制為890℃～
9.一種太陽能電池，其特征在于，采用權利要求1～8任意一項所述的制備方法制備的雙層多晶硅太陽能電池片制備。
10.一種電池組件，其特征在于，包括權利要求9所述的太陽能電池。
...【技術特征摘要】
1.一種雙層多晶硅太陽能電池片的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
2.根據權利要求1所述的一種雙層多晶硅太陽能電池片的制備方法，其特征在于，步驟2的具體處理方法為：
3.根據權利要求2所述的一種雙層多晶硅太陽能電池片的制備方法，其特征在于，步驟(1)中的氧化硅隧穿氧化層的厚度為1.5nm～2.1nm。
4.根據權利要求2所述的一種雙層多晶硅太陽能電池片的制備方法，其特征在于，步驟(2)中的溫度控制在600℃～620℃。
5.根據權利要求2所述的一種雙層多晶硅太陽能電池片的制備方法，其特征在于，步驟(2)中的沉積時間控制在700s～1000s。<...
【專利技術屬性】
技術研發人員：周珊合，劉大偉，何振雄，吳秋宏，
申請(專利權)人：綿陽炘皓新能源科技有限公司，
類型：發明
國別省市：
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