【技術實現步驟摘要】
本技術屬于物理及半導體測試，涉及一種磁光克爾檢測設備，具體地，涉及一種高低溫磁光克爾檢測設備。
技術介紹
1、磁光克爾效應是指反射光會因反光介質的磁化而發生改變，因此可以通過探測被測物表面的反射光來獲取被測物的磁性。在此基礎上，磁光克爾檢測設備通過向被測物發射偏振光，對被測物的反射光的偏振態進行測量，從而測量被測物表面的磁性。
2、cn108594142a公開了一種磁化矢量測量方法，光源、非球面鏡i、非球面鏡ii、視場光闌、偏振器、非球面鏡iii、半透明反射鏡、物鏡依次組成照明光路，物鏡、半透明反射鏡、補償器、檢偏器、非球面鏡iv依次組成成像光路，能夠在寬場磁光克爾顯微鏡中實現了克爾對比度的分離和增強，能夠得到樣品的表面磁化的三維矢量圖。但是，該方案的被測物裸露在外，無法對被測物在不同溫度下的磁性特征進行測量和分析。因此，亟需提供一種能夠對被測物的溫度進行調整的磁光克爾測試設備。
3、需要注意的是，在
技術介紹
部分中公開的上述信息僅僅用于增強對本技術背景的理解，因此可能包含不構成本領域普通技術人員公知的現有技術的信息。
技術實現思路
1、針對現有技術存在的問題，本技術提供了一種高低溫磁光克爾檢測設備，包括光學組件、樣品承載組件、磁場發生組件、腔體，所述樣品承載組件被構造成能夠承托被測物的形式，所述樣品承載組件設置于所述腔體內，所述磁場發生組件被構造成能夠在被測物附近產生大體平行于被測物表面的磁場的形式，所述腔體設置有透光鏡，所述光學組件包括光源、起偏器、檢偏器
2、可選地，所述光學組件還包括分光鏡，所述光源發出的光經過所述起偏器、分光鏡、透光鏡照射至被測物；被測物反射的光經過所述透光鏡、分光鏡、檢偏器并進入所述光接收裝置。
3、進一步地，所述光學組件還包括物鏡，所述分光鏡與所述被測物之間的光路中設置有所述物鏡。
4、可選地，所述被測物的入射光與反射光之間成預設夾角。
5、可選地，所述磁場發生裝置包括勵磁線圈，兩個所述勵磁線圈設置于所述樣品承載組件的兩側，兩個所述勵磁線圈同軸設置，所述勵磁線圈與所述腔體固定連接。
6、可選地，所述檢測設備還包括磁扼，所述磁場發生裝置包括電磁線圈、極頭，所述極頭與所述磁扼導磁連接，所述電磁線圈設置于所述極頭與所述磁扼之間的磁路中，所述極頭的端部靠近所述樣品承載組件的承載有被測物的位置。
7、可選地，所述冷源組件、熱源組件可以采用半導體制冷片。
8、可選地，所述樣品承載組件包括均熱板、位移臺，所述熱源組件、冷源組件的其中至少之一與所述均熱板導熱連接；所述均熱板被所述位移臺承載并能夠在所述位移臺的作用下移動；被測物被承載于所述均熱板。
9、進一步地，所述熱源組件、冷源組件的其中至少之一設置于所述位移臺與均熱板之間。
10、可選地，所述腔體與所述冷源組件間隔設置，所述腔體與所述冷源組件之間通過波紋管連接，所述腔體、冷源組件、波紋管形成密閉腔體。
11、本技術至少具有以下有益效果：本技術所提供的高低溫磁光克爾檢測設備，通過冷源組件、熱源組件對被測物的溫度進行控制，并通過光路組件檢測被測物的克爾偏轉角，從而對不同溫度下的被測物的磁性進行檢測，例如，對高溫狀態下、低溫狀態下的被測物進行磁性檢測；腔體具有較大的容納空間，可以對多種尺寸的被測物進行檢測；通過采用腔體的形式，使被測物所處環境與外部環境隔離，從而減少外部環境與被測物之間的溫度影響，便于對被測物的溫度進行控制。
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1.一種高低溫磁光克爾檢測設備，其特征在于：包括光學組件、樣品承載組件、磁場發生組件、腔體，所述樣品承載組件被構造成能夠承托被測物的形式，所述樣品承載組件設置于所述腔體內，所述磁場發生組件被構造成能夠在被測物附近產生大體平行于被測物表面的磁場的形式，所述腔體設置有透光鏡，所述光學組件包括光源、起偏器、檢偏器、光接收裝置，所述光源發出的光至少經所述起偏器、透光鏡照射至被測物，被測物反射的光至少經過所述透光鏡、檢偏器進入所述光接收裝置，所述光接收裝置被構造成能夠根據接收到的光輸出相應信號的形式；所述樣品承載組件上導熱連接有冷源組件、熱源組件的其中至少之一。
2.如權利要求1所述的一種高低溫磁光克爾檢測設備，其特征在于：所述光學組件還包括分光鏡，所述光源發出的光經過所述起偏器、分光鏡、透光鏡照射至被測物；被測物反射的光經過所述透光鏡、分光鏡、檢偏器并進入所述光接收裝置。
3.如權利要求2所述的一種高低溫磁光克爾檢測設備，其特征在于：所述光學組件還包括物鏡，所述分光鏡與所述被測物之間的光路中設置有所述物鏡。
4.如權利要求1所述的一種高低溫磁光克爾檢測
5.如權利要求1所述的一種高低溫磁光克爾檢測設備，其特征在于：所述磁場發生組件包括勵磁線圈，兩個所述勵磁線圈設置于所述樣品承載組件的兩側，兩個所述勵磁線圈同軸設置，所述勵磁線圈與所述腔體固定連接。
6.如權利要求1所述的一種高低溫磁光克爾檢測設備，其特征在于：所述檢測設備還包括磁扼，所述磁場發生組件包括電磁線圈、極頭，所述極頭與所述磁扼導磁連接，所述電磁線圈設置于所述極頭與所述磁扼之間的磁路中，所述極頭的端部靠近所述樣品承載組件的承載有被測物的位置。
7.如權利要求1所述的一種高低溫磁光克爾檢測設備，其特征在于：所述冷源組件、熱源組件可以采用半導體制冷片。
8.如權利要求1所述的一種高低溫磁光克爾檢測設備，其特征在于：所述樣品承載組件包括均熱板、位移臺，所述熱源組件、冷源組件的其中至少之一與所述均熱板導熱連接；所述均熱板被所述位移臺承載并能夠在所述位移臺的作用下移動；被測物被承載于所述均熱板。
9.如權利要求8所述的一種高低溫磁光克爾檢測設備，其特征在于：所述熱源組件、冷源組件的其中至少之一設置于所述位移臺與均熱板之間。
10.如權利要求1所述的一種高低溫磁光克爾檢測設備，其特征在于：所述腔體與所述冷源組件間隔設置，所述腔體與所述冷源組件之間通過波紋管連接，所述腔體、冷源組件、波紋管形成密閉腔體。
...【技術特征摘要】
1.一種高低溫磁光克爾檢測設備，其特征在于：包括光學組件、樣品承載組件、磁場發生組件、腔體，所述樣品承載組件被構造成能夠承托被測物的形式，所述樣品承載組件設置于所述腔體內，所述磁場發生組件被構造成能夠在被測物附近產生大體平行于被測物表面的磁場的形式，所述腔體設置有透光鏡，所述光學組件包括光源、起偏器、檢偏器、光接收裝置，所述光源發出的光至少經所述起偏器、透光鏡照射至被測物，被測物反射的光至少經過所述透光鏡、檢偏器進入所述光接收裝置，所述光接收裝置被構造成能夠根據接收到的光輸出相應信號的形式；所述樣品承載組件上導熱連接有冷源組件、熱源組件的其中至少之一。
2.如權利要求1所述的一種高低溫磁光克爾檢測設備，其特征在于：所述光學組件還包括分光鏡，所述光源發出的光經過所述起偏器、分光鏡、透光鏡照射至被測物；被測物反射的光經過所述透光鏡、分光鏡、檢偏器并進入所述光接收裝置。
3.如權利要求2所述的一種高低溫磁光克爾檢測設備，其特征在于：所述光學組件還包括物鏡，所述分光鏡與所述被測物之間的光路中設置有所述物鏡。
4.如權利要求1所述的一種高低溫磁光克爾檢測設備，其特征在于：所述被測物的入射光與反射光之間成預設夾角。
5.如權利要求1所述的一種高低溫磁光克爾檢測設備，其特...
【專利技術屬性】
技術研發人員：曹志強，蔡旭東，張學瑩，
申請(專利權)人：致真精密儀器杭州有限公司，
類型：新型
國別省市：
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