【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
本專(zhuān)利技術(shù)涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，尤其是涉及一種電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(resistiverandom?access?memory,rram)單元的側(cè)視圖案結(jié)構(gòu)以及其制作方法。
技術(shù)介紹
1、電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器單元(resistive?random?access?memory,rram)具有簡(jiǎn)單結(jié)構(gòu)、低工作電壓、高運(yùn)作速度、良好耐久性且與cmos制作工藝相容等優(yōu)點(diǎn)。rram是可替代傳統(tǒng)的閃存存儲(chǔ)器之最有前景的替代物，以達(dá)到縮小元件尺寸目的。rram正在諸如光盤(pán)和非易失性存儲(chǔ)器陣列的各種元件中被廣泛應(yīng)用。
2、rram單元將數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在能夠被引發(fā)相變的材料層內(nèi)。在所有或部分的層內(nèi)，材料可以引發(fā)相變，并在高電阻狀態(tài)和低電阻狀態(tài)之間互相切換。不同的電阻狀態(tài)被偵測(cè)后，可以表示為"0"或"1"。在典型的rram單元中，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)層包括非晶金屬氧化物，在施加足夠的電壓后，電壓可形成跨越過(guò)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)層的金屬橋，也就形成低電阻狀態(tài)。接著，可以通過(guò)施加高電流密度的脈沖或以其他方式，以分解或融化所有或部分的金屬結(jié)構(gòu)，使金屬橋斷裂，并且恢復(fù)高電阻狀態(tài)。然后當(dāng)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)層迅速冷卻后，將再次從高電阻狀態(tài)轉(zhuǎn)變成低電阻狀態(tài)。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、本專(zhuān)利技術(shù)提供一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，包含一材料層，多個(gè)電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器單元以一陣列方式排列于材料層上，其中陣列包含有一第一外圈，第一外圈由一部分多個(gè)電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器單元所組成，并位于陣列的最外圈，以及一外圍金屬層，外圍金屬層至少將位于第一外圈中的多個(gè)電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器單元
2、一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的測(cè)試方法，包含提供一材料層，形成多個(gè)電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器單元以一陣列方式排列于材料層上，其中陣列包含有一第一外圈，第一外圈由一部分多個(gè)電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器單元所組成，并位于陣列的最外圈，以及形成一外圍金屬層，外圍金屬層至少將位于第一外圈中的多個(gè)電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器單元串接成一回路。
3、本專(zhuān)利技術(shù)的特征在于，在rram單元所形成的陣列中，將至少最外圈的rram單元以多個(gè)短金屬線段與長(zhǎng)金屬線段串接成一回路。如此一來(lái)可以通過(guò)通電測(cè)試，快速判定最外圈的各rram單元的形成品質(zhì)。與現(xiàn)有技術(shù)不同的是，現(xiàn)有技術(shù)中位于外圍的rram單元通常會(huì)被當(dāng)作虛設(shè)單元而不會(huì)形成導(dǎo)電線路于其上方，而本專(zhuān)利技術(shù)利用該些位于外圈的rram單元當(dāng)作測(cè)試元件，且由于該些短金屬線段與長(zhǎng)金屬線段可以與第二金屬層一同制作，因此也不需要耗費(fèi)額外制作工藝即可形成測(cè)試結(jié)構(gòu)，以進(jìn)一步提升半導(dǎo)體元件的品質(zhì)。
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1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，包含:
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中該電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器單元包含有下電極、電阻轉(zhuǎn)換層以及上電極依序堆疊。
3.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中該外圍金屬層包含有多個(gè)短金屬線段，其中每一個(gè)短金屬線段跨越兩個(gè)該電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器單元的該上電極。
4.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中該外圍金屬層還包含有長(zhǎng)金屬線段，其中該長(zhǎng)金屬線段的末端電連接一個(gè)該電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器單元。
5.如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中該外圍金屬層還包含有接觸墊，電連接該長(zhǎng)金屬線段的另一末端。
6.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中還包含有多個(gè)接觸柱，電連接該陣列中的另一部分該多個(gè)電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器單元的上電極。
7.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中各該接觸柱僅接觸其中一個(gè)該電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器單元的上電極。
8.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中還包含有底金屬層，電連接各該多個(gè)電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器單元的該下電極。
9.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中該陣列還包含有第二外
10.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的測(cè)試方法，包含:
11.如權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的測(cè)試方法，其中該電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器單元包含有下電極、電阻轉(zhuǎn)換層以及上電極依序堆疊。
12.如權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的測(cè)試方法，其中該外圍金屬層包含有多個(gè)短金屬線段，其中每一個(gè)短金屬線段跨越兩個(gè)該電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器單元的該上電極。
13.如權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的測(cè)試方法，其中該外圍金屬層還包含有長(zhǎng)金屬線段，其中該長(zhǎng)金屬線段的末端電連接一個(gè)該電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器單元。
14.如權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的測(cè)試方法，其中該外圍金屬層還包含有接觸墊，電連接該長(zhǎng)金屬線段的另一末端。
15.如權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的測(cè)試方法，其中還包含對(duì)該接觸墊施加電壓，并測(cè)試該回路是否為斷路。
16.如權(quán)利要求15所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的測(cè)試方法，其中若該回路為斷路，則進(jìn)行調(diào)整制作工藝步驟。
17.如權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的測(cè)試方法，其中還包含有多個(gè)接觸柱，電連接該陣列中的另一部分該多個(gè)電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器單元的上電極。
18.如權(quán)利要求17所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的測(cè)試方法，其中各該接觸柱僅接觸其中一個(gè)該電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器單元的上電極。
19.如權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的測(cè)試方法，其中還包含有底金屬層，電連接各該多個(gè)電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器單元的該下電極。
20.如權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的測(cè)試方法，其中該陣列還包含有第二外圈，該第二外圈由一部分該多個(gè)該電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器單元所組成，并鄰近該第一外圈，且位于該陣列的第一外圈之內(nèi)，且還包含形成第二外圍金屬層，該第二外圍金屬層至少將位于該第二外圈中的該多個(gè)電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器單元串接成另一回路。
...【技術(shù)特征摘要】
1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，包含:
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中該電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器單元包含有下電極、電阻轉(zhuǎn)換層以及上電極依序堆疊。
3.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中該外圍金屬層包含有多個(gè)短金屬線段，其中每一個(gè)短金屬線段跨越兩個(gè)該電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器單元的該上電極。
4.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中該外圍金屬層還包含有長(zhǎng)金屬線段，其中該長(zhǎng)金屬線段的末端電連接一個(gè)該電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器單元。
5.如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中該外圍金屬層還包含有接觸墊，電連接該長(zhǎng)金屬線段的另一末端。
6.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中還包含有多個(gè)接觸柱，電連接該陣列中的另一部分該多個(gè)電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器單元的上電極。
7.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中各該接觸柱僅接觸其中一個(gè)該電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器單元的上電極。
8.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中還包含有底金屬層，電連接各該多個(gè)電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器單元的該下電極。
9.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中該陣列還包含有第二外圈，該第二外圈由一部分該多個(gè)該電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器單元所組成，并鄰近該第一外圈，且位于該陣列的第一外圈之內(nèi)，且還包含第二外圍金屬層，該第二外圍金屬層至少將位于該第二外圈中的該多個(gè)電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器單元串接成另一回路。
10.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的測(cè)試方法，包含:
11.如權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的測(cè)試方法，其中該電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器單元包含有下電極、電阻轉(zhuǎn)換層以及上電極依序...
【專(zhuān)利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：潘雄波，談文毅，
申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人：聯(lián)芯集成電路制造廈門(mén)有限公司，
類(lèi)型：發(fā)明
國(guó)別省市：
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